砷化镓单晶的等效微重力生长

论述了砷化镓晶体的等效微重力生长的原理和所采用的方法,并讨论了主要结果。     

缓冲层温度对Si(111)上GaN表面形貌影响

用不同温度的Al N缓冲层在Si(111)衬底上外延GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:缓冲层生长温度通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。较低温度下的Al N缓冲层,在衬底表面形成的成核颗粒因温度太低,无法运动到相邻的颗粒而结合成大的成核颗粒,因此成核密度高,成核尺寸小;高温生长的Al N缓冲层,成核颗粒有足够的能量运动到相邻的成核颗粒,因此使成核颗粒的尺寸增大,成核密度低。这种初始成核密度和尺寸的不同,造成外延层形貌的差异,如表面形貌中凹坑的密度和大小就是受初始成核的直接影响。通过实验和分析,提出了外延生长的物理模型。     

半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷

通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和X射线异常透射形貌等技术,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷.实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于75mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域,一般都有由高密度位错的运动和反应而形成的蜂窝状网络结构,并且位错和微缺陷之间,有着强烈的相互作用,位错吸附微缺陷,微缺陷缀饰位错.     

X射线衍射仪在研究砷化镓缺陷中的应用

本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构。X射线形貌技术可以显示SI-GaAs中的高密度位错的结构与分布,从而评估其质量。     

来函照登

编辑同志:1983年4月初寄去“酵母培菌工作浅见”一稿,按三个月未收回信作者可自行处理的常例,我将该稿稍事修改后投寄《山东轻工科技》,并刊用于12月出版的第4期。后见贵刊1984年第3期刊出此文,这样便形成了“一稿两投”,请贵刊妥善处理为盼(编者按:     

垂直磁场条件下锗熔体粘度的测量

设计制作了由永磁材料构成的,能提供均匀磁场的环形磁场.在锗熔体范围内引入此磁场提供的垂直磁场.采用旋转转子法,测定了不同温度不同磁场强度条件下锗熔体的粘度.结果表明,不同的条件下,锗熔体的粘度有不同程度的降低.粘度降低的原因,可以用磁场对运动带电粒子的作用来解释.     

NTDCZSi内吸除技术的研究

利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区.本文探讨了将NTD技术与IG技术相结合的问题,并讨论了NTDCZSi IG效应机理.     

CZ硅片热处理中若干问题探讨

本文讨论了集成电路用直拉单晶硅片热处理时的几个问题.提出了用于MOS电路和双极型电路硅片的内吸除处理工艺及原始硅材料的质量要求.     

Formation and Removement Mechanism of Haze Defects on（111）p－type Silicon Wafers

ＦｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄＲｅｍｏｖｅｍｅｎｔＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＨａｚｅＤｅｆｅｃｔｓｏｎ（１１１）ｐ－ｔｙｐｅＳｉｌｉｃｏｎＷａｆｅｒｓＸｕＹｕｅｓｈｅｎｇ．；ＬｉＹａｎｇｘｉａｎ；ＬｉｕＣａｉｃｈｉ；ＪｕＹｕｌｉｎ；ＴａｎｇＪｉａｎａｎｄＺｈｕ...