SACP技术在红外器件研制工艺中的应用探讨

各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文介绍利用电子通道技术来检验半导体晶片表面的污染、损伤及结构完整性我们所进行的一些初步工作。对由同一晶锭上切割下的碲镉汞晶片任取10片分为两组进行了对比分析。结果表明在机械磨、拋     

铸态贝氏体灰口铸铁中显微缩松的观察分析

用扫描电镜(SEM)研究了铸铁拉伸断口中的显微缩松,讨论了缩松缺陷的形成特点及其对断裂的影响     

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的电子束感生电流法观测

本文用EBIC法对SBD元件进行了观测。在加速电压1—2.5kV、束流约3×10~(-12)A的条件下,对SBD元件的结深进行了非破坏性测量,其值约13nm,此值与同样元件的二次离子剥离法测量结果相符。     

带微处理机的电度表自动校验装置

本文简单地介绍了这种校验装置的工作原理、接口电路、应用软件,并对装置的误差作了分析。     

光网络智能测试技术研究

基于OTDR原理,采用链路感知技术,设计出能智能分析光网络中光纤链路组成,判断光纤链路故障原因的技术方案,并且提出了方案实现的关键技术和实现途径。与传统的测试技术相比,该技术测试结果更准确、更全面和效率更高。     

带有宽总线网络的可重构计算模型上的并行归并排序算法

在介绍带有宽总线网络的可重构计算模型(RAPWBN)的二进制值的前缀和操作的基础上,提出了该模型上的抽取压缩操作算法,并由此得到了该模型上的并行归并排序算法。在具有N个处理器和N条行总线的RAPWBN模型上,若总线带宽ω>log N字节,对长度为N的序列进行归并排序,在最坏情况下以O(logN·loglogN)时间完成。     

交直流电压电流标准源反馈调节环路的设计及其误差分析

叙述了交直流标准电压电流源反馈环路的设计原理和设计电路，对直流和交流输出分别进行了误差分析，给出了实测结果。