In∶Ho∶LiNbO3晶体的生长及抗光损伤性能

在同成分铌酸锂(LiNbO3)晶体中掺入1%(摩尔分数,下同)Ho2O3和分别为0,1%,3%,5%的In2O3,采用提拉法生长In∶Ho∶LiNbO3晶体.测试晶体的紫外-可见吸收光谱、双折射梯度和抗光损伤能力.结果表明:随着In∶Ho∶LiNbO3晶体中In3+含量的增加,吸收谱中吸收边连续紫移;5%In∶1%Ho...     

掺铈铌酸锂相位共轭腔的双稳输出特性

以掺铈铌酸单晶为相位共轭镜构成了相位共轭光腔,测量了它的稳态输入输出特性。该特性表现出明显的双稳态。     

Mg∶Fe∶LiNbO3晶体光学性能的研究

在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe^2 ／Fe^3 和抗光致散射杂质离子Mg^2 ，以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg^2 浓度达到阈值浓度，Mg(6％)：Fe∶LiNbO3晶体OH^-吸收峰由3482cm^-1移到3529cm^-1，测试晶体的位相共轭反射率和响应时间，计算光电导。Mg(6％)：Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。     

近化学计量比Zn:LiTaO3晶体的生长和抗光折变性能

采用顶部籽晶溶液法,生长了直径约15mm,长度为10mm的近化学计量比钽酸锂(near-stoichiometric Li TaO3,SLT)和Zn掺杂的近化学计量比钽酸锂(Zn:SLT)晶体。生长的晶体无色透明,没有宏观缺陷。通过X射线粉末衍射法测试晶体结构和晶格参数,Zn:SLT晶体的晶格参数小于未掺杂的SLT晶体。与同成分钽酸锂晶体相比,SLT晶体的抗光损伤能力显著提高,Zn:SLT晶体的抗光损伤阈值大于500MW/cm2。     

掺镁铌酸锂晶体吸收边紫移及占位离子的离子极化模型

测量了系列Mg~(2+):LiNbO_3晶体的吸收边,根据晶体吸收边紫移和离子极化理论,提出:Mg~(2+)将首先取代位于Li~+位的Nb~(5+),当浓度超过5mol％后,才开始进入正常Li~+位。此模型可解释Mg~(2+):LiNbO_3抗光折变增强和光电导增大的机制。     

P-RAP法Bridgman技术生长KBr单晶

采用P-RAP法生长KBr单晶,用CHBr_3作为纯化固体粉料的试剂,CCl_4与CH_2Br_2的混合物作为纯化KBr熔体的RAP试剂,解决了晶体粘附坩埚引起坩埚的炸裂问题。初步探讨了P-RAP法生长KBr单晶的反应机理。所生长的KBr晶体的吸收系数较用普通方法生长KBr晶体的吸收系数降低两个数量级。     

Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究

原料采用在Fe(0.03%,质量分数):LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf:Fe:LN晶体.抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数):Fe:LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数):Fe:LN晶体提高2个数量级以上.以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围.结果表明,Hf:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体.     

近化学计量比In:Fe:LiNbO3晶体光学性能的研究

采用助溶剂法以TSSG技术生长近化学计量比SInFeLiNbO3晶体.测试S InFeLiNbO3晶体的晶格常数,SInFeLiNbO3晶体的晶格常数既小于LiNbO3晶体也小于InFeLiNbO3晶体.晶格常数的变化是由于Li+取代反位铌NbLi4+和占据锂空位引起的.测试SInFeLiNbO3晶体的红外光谱,OH-吸收峰移到3503.cm-1,测试SInFeLiNbO3晶体的指数增益系数Γ,SInFeLiNbO3晶体的Γ值达到28cm-1,高于InFeLiNbO3晶体.     

高掺镁LiNbO3晶体抗光折变性能研究

在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%)LN,Mg(3mol%)LN,Mg(5mol%)LN,Mg(7mol%)LN,和Mg(9mol%)LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试MgLiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的MgLiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试MgLiNbO3晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)MgLiNbO3晶体的相位匹配温度随Mg2+浓度的增加而改变,Mg(5mol%)LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol%)LN晶体在室温附近.     

双掺铈锰铌酸钾锂晶体的生长及光折变性能的研究

在铌酸钾锂(KLN)中掺进CeO2和MnCO3,采用Czchralski法首次生长CeMnKLN晶体,测试晶体的晶格常数,CeMnKLN晶体的晶格常数变小.测试晶体的吸收光谱,它的吸收边相对KLN晶体发生红移.研究晶体吸收边发生红移的原因.以二波耦合光路测试CeMnKLN晶体的指数增益系数Γ.它的指数增益系数最大值Γmax=9.2cm-1,大于KLN晶体的Γ值.