光电化学技术在金属腐蚀研究中应用新进展

光电化学技术是研究金属腐蚀和缓蚀行为的有效手段,除了将光电化学方法应用于研究金属铜在不同介质中的腐蚀行为及添加不同缓蚀剂后的缓蚀行为之外,综述了近年来采用光电化学技术对铜合金在不同介质中的腐蚀行为、自组装膜对金属的防护效果和将具有光响应的TiO2薄膜涂覆于金属表面进行防腐蚀等方面的研究新进展.     

Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料研究进展

综述了目前国内外以As-基与Sb-基为基础的Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料的研究现状,系统地介绍了其生长方法与物理特性的研究进展,并指出其发展趋势与应用前景.     

白铜超疏水表面的构建及耐蚀性能的研究

超疏水膜具有良好的防腐蚀性能,能够有效地延长金属制品的使用寿命,提高经济效益.选取白铜作为研究对象,采用化学刻蚀氧化自组装法进行超疏水膜表面的制备.通过交流阻抗和极化曲线法,在模拟海水条件下,利用三电极体系对超疏水表面的耐蚀性能进行了研究和测定.结果表明,所制备的白铜超疏水表面的接触角达到了154°,在3.5%的NaCl溶液中的缓蚀效率有99.1%,具备较高的超疏水性能和耐蚀性能,且其表面具有微纳米级的树枝状结构.     

铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较

对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究．特别是对它们的振荡形式、起振条件、外界影响因素及光电调制等进行了归纳，较系统地总结了IB族元素与In，Se构成的三元半导体化合物薄膜的电化学振荡的基本特点．     

聚天冬氨酸及其复配对3%NaCl溶液中黄铜的缓蚀作用

采用交流阻抗法和极化曲线法,研究了两种环境友好型水处理药剂聚天冬氨酸和钨酸钠的单一配方及其复配对3%N aC l溶液中黄铜的缓蚀效果。研究表明:聚天冬氨酸和钨酸钠各自的单一配方对于黄铜均具有一定的缓蚀效果,其中聚天冬氨酸在浓度为40 m g/L时对黄铜的缓蚀效果最佳,钨酸钠在浓度为40 m g/L时缓蚀效果最佳。在缓蚀剂总浓度为40 m g/L时,聚天冬氨酸与钨酸钠配比为3∶1时对黄铜的缓蚀效果最佳,且具有缓蚀协同效应。     

硫化物光催化剂的形貌控制及光催化性能的研究进展

无机纳米材料的结构、维度、形貌、尺寸等因素对它们的功能性能有着直接影响。CdS、ZnS以及其复合纳米材料在光、电、磁、催化和力学等方面有着特殊的性能,这与晶体形态和形貌紧密相关,因此制备可控粒度、形状、取向的CdS等硫化物半导体纳米材料,研究其结构、形貌对光催化性能的影响,对新型高效光催化材料的研究与开发具有重要的意义。本文重点介绍了近几年硫化物形貌和粒径的控制的研究进展以及此类光催化剂在光催化分解水制氢和降解有机染料等方面的应用。     

三乙醇胺和钨酸钠复配对模拟冷却水中黄铜的缓蚀作用

通过电化学阻抗谱和极化曲线研究了三乙醇胺(TEA)和钨酸钠复配对黄铜在模拟热电厂冷却水中的缓蚀作用。结果表明,TEA和Na2WO4单一使用时对黄铜都具有一定的缓蚀作用,TEA的最佳缓蚀浓度为30mg.L-1,缓蚀效率为45.35%。Na2WO4的最佳缓蚀浓度为20mg.L-1,缓蚀效率达77.35%。在缓蚀剂总浓度为20mg.L-1时,TEA和Na2WO4的复配对黄铜具有很明显的缓蚀效果,TEA和Na2WO4最佳配比为1∶9,缓蚀效率可达89%。     

绿色铜缓蚀剂的研究进展

随着环保意识的加强,传统缓蚀剂已经无法满足工业绿色化发展的需要.开发易生物降解、价格低廉、高效的绿色缓蚀剂是近年来铜缓蚀剂研究的热点.结合本课题组在聚天冬氨酸、聚环氧琥珀酸、植酸等方面的研究成果,对国内外绿色铜缓蚀剂的研究现状进行了概括,对铜缓蚀剂中存在的问题及未来发展的方向作了分析.     

纳米SnO_2/聚苯胺/环氧复合涂层的防腐蚀性能

采用原位氧化聚合法合成了不同质量比的纳米SnO2/聚苯胺复合材料,运用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)对材料进行表征,并在304不锈钢表面制备了纳米SnO2/聚苯胺的环氧涂层,利用电化学工作站和浸泡增重试验研究其耐蚀性能。结果表明,纳米SnO2/聚苯胺复合材料的防腐蚀效果优于聚苯胺,且当SnO2在复合材料中的质量分数为4%时,防腐蚀性能最佳。依据不锈钢表面复合涂层的结构,建立合理的等效电路,结合电化学阻抗谱数据,研究了纳米SnO2/聚苯胺/环氧复合涂层耐蚀性增强的机制。     

聚天冬氨酸对铜缓蚀作用的光电化学研究

用光电化学方法研究了绿色水处理药剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用,铜在硼酸-硼砂缓冲溶液（pH=9.2）中,表面的Cu₂O膜显p-型光响应,添加适量缓蚀剂聚天冬氨酸（PASP）后,PASP吸附在铜电极表面成膜促使Cu₂O膜增厚,体现在电位在负向扫描过程中Cu₂O膜的p-型光电流增大。 p-型光电流越大,缓蚀性能越好。当PASP浓度为3 mg·L^-1时,Cu₂O膜的p-型光电流最大,缓蚀性能最好。 Cl^-的存在会阻止PASP在铜电极表面的吸附,使Cu₂O膜暴露而受侵蚀,导致了PASP的缓蚀性能变差。