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21.
白酒陈酿过程的作用机理 总被引:6,自引:0,他引:6
一、前言 名酒要陈酿,这是实践经验的总结。几乎所有的白酒生产工厂都建立了庞大的贮酒库,通过长期陈酿,少则半年,多则三至五年不等来改善酒的品质。是什么原因使陈酿过的白酒口感柔和,回味悠长,醇厚芳香呢?这就涉及到陈酿过程的机理问题。一般认为陈酿包括两种作用过程:一是物理成熟的过程,主要是醇 相似文献
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利用COMOSL多物理场有限元软件,对无孔、圆形孔、正方形孔、菱形孔四种新型折叠梁形桥面结构Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器进行了电压-位移、应力和镜面平整度仿真,以优选最佳的桥面结构。结果显示,在相同驱动电压下,菱形孔桥面的位移最大。同时,桥面达到相同位移时,菱形孔桥面所需的驱动电压最小,并且菱形孔桥面的应力和平整度也能满足滤波器的设计要求。利用Essential Macleod软件对优选出的菱形孔桥面结构滤波器进行了滤波性能分析,结果表明,滤波器在3~5μm的光谱调谐范围内,具有良好的滤波效果,可以满足低电压驱动和宽调谐范围的要求。 相似文献
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中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置是一台用于材料、光谱、生物、医学等领域前沿研究的多功能用户装置,在实验室现有的太赫兹自由电子激光装置(CTFEL)基础上,拟新增两套2×9-cell超导加速单元和两台波荡器,将电子能量提升至最大50 MeV,输出频率覆盖范围拓展至0.1~125 THz,最大宏脉冲功率大于100 W。同时,采用跑道型束线设计,拟建设一台小型能量回收型直线加速器实验研究平台。本文主要介绍了中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置的总体设计、工作模式以及用户实验站布局。 相似文献
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SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development. 相似文献
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采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(αl)以及密度随Bi2O3含量的变化关系。结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi—O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大。 相似文献
28.
鄂尔多斯盆地定北地区上古生界致密砂岩具备一定的油气勘探潜力,但纵横向上成岩差异较大,且富含火山灰,成岩相及其展布较常规碎屑岩更为复杂。综合运用普通薄片、铸体薄片、扫描电镜、X射线衍射及测井响应等资料,对定北地区上古生界太2段、盒1段含火山灰的致密砂岩储层的成岩作用、成岩演化过程进行研究,划分成岩相类型并厘清成岩相平面展布规律。研究结果表明:(1)研究区储层经历了火山灰蚀变、压实—压溶、胶结、交代、自生矿物充填等对储层不利的成岩作用及溶蚀、破裂等对储层有利的成岩作用。不同火山灰经过成岩作用演化形成不同成岩相类型,进一步影响储层储集性能,其中研究区中—基性火山灰易形成溶蚀相,储集性能较好。(2)综合成岩环境、矿物成分、成岩作用等多因素,依据“成岩环境—岩性—成岩作用”复合因素的成岩相划分标准,划分出5种成岩相:大气淡水塑性颗粒砂岩致密压实相、酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀压实相、酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀蚀变相、酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀相及碱性环境碳酸盐矿物胶结交代相,其中酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀相为有利成岩相。(3)依据各成岩相测井判别特征确定了研究区成岩相分布特征,太2段和盒1段各小层优质成岩... 相似文献
29.
研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点 相似文献
30.
本文叙述了VLSI CAD中版图参数提取并行算法在Transputer并行加速器上的实现。参数提取的并行算法是利用图形运算的区域并行性将版图划分为与处理器数目相等的若干区域,然后并行地在各处理器中完成对应区域的版图参数提取。用保持划分区域内图形向量数相等的方法,使各处理器负载均衡,经计算证实,各处理器负载均衡性较好,大大提高了运行速度。Transputer并行加速器具有优良的性能价格比,在其上实现 相似文献