高速GaAs ADC与GaAs DAC研制现状

本文叙述了高速GaAs ADC与GaAs DAC的研制现状。着重介绍了在芯片上有T/H电路的闪光型ADC和在芯片上有电流源的DAC,以及它们的性能。     

超导电子学初探

本文叙述了几种超导晶体管模型,并提出在无缓冲层的Si及GaAs衬底上淀积高温超导体YBCO薄膜是困难的,只有缓冲层材料才能改善超导薄膜的质量。     

硅衬底上制作GaAs两层器件

<正> 据报道日本冲电气在 Si 衬底上直接形成可制作器件的 GaAs,继而完成 GaAs 三维电路元件。Si 衬底上的 GaAs 晶体由 MOCVD 法生成,用直接离子注入法,最终制成17级 E/D 结构的环形振荡器。栅长1μm,栅宽10μm 的典型器件的跨导为240mS/mm,环形振荡器的 t_(pd)是51ps/门,t_(ps)·p 是10.4,fJ/门(t_(pd)为63ps/门),这些数值几乎与平常的 GaAs 器件一样。     

低频低噪声器件概况

叙述了Si低频低噪声器件的噪声性能.在低频工作时,器件的1/f噪声和猝发噪声占支配地位,并对其产生机理作了讨论.介绍了目前主要采用的一些技术,例如完美晶体、低温钝化、氧化铝钝化等都能有效地改善和保护器件表面状态,从而获得良好的噪声特性.     

异质结双极晶体管概况

<正> 一、前言 1951年肖克莱提出了宽能带发射极原理,1957年由Kroemer详细地介绍了双极晶体管中采用宽能带发射区,从而提高注入效率和电流放大系数的理论。由于当时没有先进的工艺技术作基础,无法证实这种双极晶体管的优越性能。直到七十年代初,随着液相外延(LPE)技术的出现,对异质结晶体管的研制及其有关的研究工作才开始活跃起来。许多学者曾利用LPE技术制成了微波和光电应用的AlGaAs/GaAs异质结构的分立器件,并证明了异质结双极晶体管(HBT)的许多优点。随着对HBT的深入研究,发现它所要求的基区宽度很薄,要求     

高速逆流色谱法分离β-谷甾醇和菜油甾醇的研究

利用高速逆流色谱法 ,并选用V(庚烷 )∶V(乙腈 )∶V(乙酸乙酯 ) =5∶5∶1溶剂体系 ,成功地分离了混合植物甾醇标准品中的 β 谷甾醇和菜油甾醇。经过HPLC检测 ,一次性分离可得到质量分数为 97%的 β 谷甾醇和质量分数为 91%的菜油甾醇产品 ,收率分别可达 5 6 %和 5 0 %。该方法简便、重现性好 ,可作为高纯度 β 谷甾醇和菜油甾醇标准品的制备分离方法     

海岛短纤维设备及工艺技术的研究

介绍了定岛型海岛短纤维的生产流程及生产设备。详细分析了复合喷丝组件的构造及生产原理,并探讨了预结晶、干燥、复合纺丝、拉伸及卷曲、定型工艺。结果表明:采用先进的复合纺丝设备,用Φ256/248f×37岛喷丝组件,以COPET/PA6为30/70可生产出满足后道纺织加工的海岛短纤维。     

超高频大功率MOS场效应晶体管

尽管小信号用的硅 MOS 场效应晶体管已经大量生产和大量使用,但功率用的硅MOS 场效应管除了二、三篇报告以外还没有别的报道。高频大功率 MOS 场效应管所以出现较晚的原因,一方面是由于出自 MOS 场效应管的工作原理而使管芯面积增大,也就是说因为 MOS 场效应管的电流通路是在表面极薄的沟道层,所以为了流过大电流,管芯的面积就要增大,以取得电流通过的面积。同时,作为高频功率用的场效应管沟道长度要短,沟道宽度也要显著地加宽,就工厂生产技术水平而言,能否稳定地成品率较高地     

考虑先导发展随机性的输电线路雷击仿真模型

随着电压等级的升高,由雷电绕击而引起的线路跳闸事故所占比例越来越大。为准确评价线路的绕击耐雷性能,考虑先导发展随机性,运用模拟电荷法,建立了输电线路雷屏蔽性能的雷击仿真模型。仿真结果表明:随着下行先导随机发展的方向由靠近输电线路变为远离输电线路,雷击目的物也由地线逐渐转变为导线,并最终变为大地;相比地线,导线上的上行先导较难产生。算得的对地击距与IEEE推荐的击距公式一致,绕击概率与雷击模拟实验结果相符,证实了模型的可信性。     

常压辉光放电及其在薄膜表面处理中的应用

常压辉光放电 (APGD)是具有较高电子能量的非平衡等离子体 ,比低压辉光放电更易于实现工业化应用。比较了几种获得常压辉光放电的实验方案 ,基于对常压辉光放电等离子体基本物化特性的深入了解 ,探讨了各种等离子体气氛对于绝缘介质薄膜电气及化学特性的作用 (比如憎水性、表面位能等 ) ,并将之用于绝缘介质薄膜的表面处理中 ,对于薄膜性质的改善起到了较好的作用 ,对常压辉光放电等离子体的应用作了有益的尝试