检验检测机构全面质量管理体系的应用分析

对全面质量管理的核心进行了比较深入的论述,在此基础上,结合检验检测机构的实际工作情况,对全面质量管理体系的具体应用进行了系统全面的分析研究,有助于推动全面质量管理体系的不断深化。     

考虑先导发展随机性的输电线路雷击仿真模型

随着电压等级的升高,由雷电绕击而引起的线路跳闸事故所占比例越来越大。为准确评价线路的绕击耐雷性能,考虑先导发展随机性,运用模拟电荷法,建立了输电线路雷屏蔽性能的雷击仿真模型。仿真结果表明:随着下行先导随机发展的方向由靠近输电线路变为远离输电线路,雷击目的物也由地线逐渐转变为导线,并最终变为大地;相比地线,导线上的上行先导较难产生。算得的对地击距与IEEE推荐的击距公式一致,绕击概率与雷击模拟实验结果相符,证实了模型的可信性。     

硅衬底上制作GaAs两层器件

<正> 据报道日本冲电气在 Si 衬底上直接形成可制作器件的 GaAs,继而完成 GaAs 三维电路元件。Si 衬底上的 GaAs 晶体由 MOCVD 法生成,用直接离子注入法,最终制成17级 E/D 结构的环形振荡器。栅长1μm,栅宽10μm 的典型器件的跨导为240mS/mm,环形振荡器的 t_(pd)是51ps/门,t_(ps)·p 是10.4,fJ/门(t_(pd)为63ps/门),这些数值几乎与平常的 GaAs 器件一样。     

高速GaAs ADC与GaAs DAC研制现状

本文叙述了高速GaAs ADC与GaAs DAC的研制现状。着重介绍了在芯片上有T/H电路的闪光型ADC和在芯片上有电流源的DAC,以及它们的性能。     

异质结双极晶体管概况

<正> 一、前言 1951年肖克莱提出了宽能带发射极原理,1957年由Kroemer详细地介绍了双极晶体管中采用宽能带发射区,从而提高注入效率和电流放大系数的理论。由于当时没有先进的工艺技术作基础,无法证实这种双极晶体管的优越性能。直到七十年代初,随着液相外延(LPE)技术的出现,对异质结晶体管的研制及其有关的研究工作才开始活跃起来。许多学者曾利用LPE技术制成了微波和光电应用的AlGaAs/GaAs异质结构的分立器件,并证明了异质结双极晶体管(HBT)的许多优点。随着对HBT的深入研究,发现它所要求的基区宽度很薄,要求     

低频低噪声器件概况

叙述了Si低频低噪声器件的噪声性能.在低频工作时,器件的1/f噪声和猝发噪声占支配地位,并对其产生机理作了讨论.介绍了目前主要采用的一些技术,例如完美晶体、低温钝化、氧化铝钝化等都能有效地改善和保护器件表面状态,从而获得良好的噪声特性.     

海岛短纤维设备及工艺技术的研究

介绍了定岛型海岛短纤维的生产流程及生产设备。详细分析了复合喷丝组件的构造及生产原理,并探讨了预结晶、干燥、复合纺丝、拉伸及卷曲、定型工艺。结果表明:采用先进的复合纺丝设备,用Φ256/248f×37岛喷丝组件,以COPET/PA6为30/70可生产出满足后道纺织加工的海岛短纤维。     

双极型MOSFET

<正> 据报道最近东芝开发了新型功率半导体器件——双极型 MOSFET。该器件的基本结构除了衬底的漏层不是 n 层而是 p 层以外,基本上与垂直型功率 MOSEFT的结构相似,它是采用了两步扩散形成低阻 p 基区层,独特的剥离图形及其最佳化技术。象n 型缓冲层杂质浓度、精密控制的空穴注入量的最佳化、电子束照射后引起载流子寿命的精密控制等都是使用了一系列先进技术而制成的。它能在低电压控制下高速驱动大功率,导通电流特性表明负温度性能,负荷短路耐量大,电压过压耐量大,易于并联连接。由于开关性能好,在变换器应用中能获得极好性能。栅极驱动电容小,提高了控制响应。     

日本电气

<正> 一、引言最近,普及光通信技术的工作干得很出色,不仅是基干传输系统,而且LAN和用户系统等各种光通信系统也正走向实用阶段。集成了光器件和电子电路的单片OEIC,是支持这些新兴光系统的关键器件之一。其目标是通过将光和电子这样的具有各不相同性质和特点的载流子组合起来,以实现优于过去分立光器件的新功能。对OEIC来说,这些基本概念很重要:(1)小型、价廉、高可靠性;(2)高速、高灵     

介绍氧化塘技术在煤矿中的应用

本文着重介绍氧化塘处理高寒地区生活污水的可行性,并通过实例说明在东煤公司所管辖的东北三省及内蒙古等边远矿区,有建造氧化塘的适宜条件,具有一定的应用价值.