The Bipolar Field-Effect Transistor: ⅩⅢ. Physical Realizations of the Transistor and Circuits (One-Two-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base)

This paper reports the physical realization of the Bipolar Field-Effect Transistor (BiFET) and its one-transistor basic building block circuits. Examples are given for the one and two MOS gates on thin and thick, pure and impure base, with electron and hole contacts, and the corresponding theoretical current-voltage characteristics previously computed by us, without generation-recombination-trapping-tunneling of electrons and holes. These ex-amples include the one-MOS-gate on semi-infinite thick impure base transistor (the bulk transistor) and the impure-thin-base Silicon-on-Insulator (SOI) transistor and the two-MOS-gates on thin base transistors (the FinFET and the Thin Film Transistor TFT). Figures are given with the cross-section views containing the electron and hole concen-tration and current density distributions and trajectories and the corresponding DC current-voltage characteristics.     

一种基于VB的流媒体播放系统研究

音/视频技术是流媒体存储和传输的关键.结合当前流行的流媒体技术和VB程序设计,介绍了流媒体的播放和MPEG标准.针对不同的流媒体播放要求,研究了一个基于VB的流媒体播放系统.     

热电冷却的激光二极管

热电冷却组件现正被用来冷却与光纤元件联接的固体激光二极营并对其进行温度控制。数以千计的热电致冷装置已安装在长途透信、中继站、长波光探测器和特殊的集成电路中。它们能提高灵敏度，使激光输出稳定并达到最大值，还可延长激光器寿命。     

基于学习通和BOPPPS模型的混合式教学实践

针对课堂教学中存在的问题,尝试基于学习通和BOPPPS模型的《数据库原理与应用》课堂混合式教学设计实践。首先阐述了学习通+BOPPPS模型的教学模式,然后以“函数在查询中的应用”为例,围绕课前(导言、学习目标、前测)、课中(参与式学习、后测)、课后(总结),探讨了学习通+BOPPPS模型在课堂教学设计中的具体应用,提高学生的学习能动性,提高教学质量。     

短期蓄能的光伏-燃料电池混合系统的最优化及预见性能量管理

本文讨论了光伏-燃料电池混合发电系统的特征，以及超级电容的短期能量存储效应；指出了燃料电池-超级电容混合单元的优点，也即其对提高能量效率和延长燃料电池寿命的促进作用；提出了一个1．2KW的试验性系统，用于对新型最优化、预见性能麓管删算法进行测试；此外，本文还简要讨论了，一种新型的、用于对波动光电和负载时间序列进行预测的分类算法模型。     

基于红外图像的一种立体化方法的研究

红外图像由于其独特性,近几年来对它的研究和应用越来越广泛.但其存在对比性差、边缘模糊、纹理较弱等固有缺陷,使其应用受到很大限制,同时也由于物体不断辐射导致能量不断减少的因素,立体化方面的研究更是少见相关报道.尝试在这方面做了初步的研究工作,用Ti30红外摄像仪摄取红外图像,进行复制,在复制后的图像人为的加入双眼视差异信息,采用对比度自适应直方图均衡化和边缘增强法对图像进行处理,最后利用双眼融合原理观察立体图对.实验表明,这种方法能清晰得到各个物体的空间几何位置分布.     

用偏振敏感技术对光纤带光缆进行应力研究

本文介绍有关高密度光纤带光缆应力特性的实验结果，实验用两种技术进行的：偏振模色散法和偏振光时域反射法，它们之间的相关性和从理论上得出的数据表明：在这样的光缆中，双折射部分是决定性的。     

多核心节点本地OTN网络解决方案

主要针对多核心节点本地OTN网络（核心和汇聚都是10G速率）,采用SNCP保护方式的情况下,造成数据城域网出口节点间的波道利用率过高的情况,提出解决方案。     

双极场引晶体管:VI.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)

本文报告了硅互补金属氧化层硅（CMOS）电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构：在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势（静电势和电子及空穴电化学势）. 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.     

场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.