PZT陶瓷材料低温相变的内耗测量

通过差热分析(DSC)、内耗以及Young’S模量等测量了PZT铁电陶瓷材料的相变行为，结果表明，在261和225K各出现一个内耗峰．前者与DSC探测到的峰温一致，对应于从四方到单斜的一级相变；后者峰形不对称，对应的Young’S模量有突变，但在DSC上无反映，这可能与界面的运动有关，即与相变的稳态内耗有关。     

磁电复合材料CuFe2O4/PbZr0.53Ti0.47O3的内耗与介电损耗

制备了组分为xCuFe2O4-(1-x)PbZr0.53Ti0.47O3(其中x=0．1，0．2，0．3，1．0)的磁电复合材料，XRD实验表明，样品中只存在着CuFe2O4和PbZr0.53Ti0.4703相．利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1--6．4Hz)的内耗，同时利用HP4194A阻抗分析仪测量了样品低频(100Hz--1 MHz)的介电损耗，分析了复合物中CuFe2o4和PZT对内耗及介电损耗分别所作的贡献．     

结构可靠度分析的人工智能响应面法及程序

为了进行各种极限状态方程不明确的大型结构可靠度分析,提出了人工智能响应面法.利用BP网络来模拟响应面,基于遗传算法的优化法来进行可靠指标计算,确定性有限元分析采用ANSYS软件进行.综合VC与Matlab混合编程技术、基于VC和APDL的ANSYS二次开发技术及M atlab的遗传算法(GA)和神经网络(NN)工具箱函数,编制了可以适应各种复杂工程结构的可靠度分析程序.算例分析表明本文方法计算精度高.本文方法与程序适用于随机变量数目较多,功能函数为隐式时的复杂结构可靠度分析.     

弛豫铁电体电场诱发顺电到铁电的相变研究

制备了低PbTiO3含量的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3陶瓷样品，测量了它们的低频介电性能，研究了偏压降温－自然升温（FC－ZFH）过程的介电常数和压电谐振频率。根据实验结果，对弛豫铁电体中电场诱发的铁电相变机理进行了讨论。     

Bi4Ti3O12陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究

测量了Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗。在温度损耗谱上观察到一损耗峰，通过氧处理和内耗等相关实验手段，证实该峰（PI）是与氧空位有关的弛豫峰。同时观察该峰随不同掺杂类型的变化，分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响。     

La掺杂对SrBi4Ti4O15铁电介电性能影响

研究了La掺杂对SrBi4Ti4O1s铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2Pr极大值为17.8 μC/cm2,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度Tc降低.