化学沉淀-水热法合成高矫顽力碳纳米管磁性复合材料

采用化学沉淀-水热法成功的合成了一种新颖的Ni0.75Zn0.25Fe2O4纳米晶包覆多壁碳纳米管(Ni0.75Zn0.25Fe2O4-CNTs)磁性复合材料.采用透射电镜、X射线衍射、红外光谱和振动样品磁强计等方法对制备的样品进行了表征.透射电镜结果表明Ni0.75Zn0.25Fe2O4纳米晶包覆在碳纳米管表面,纳米晶的大小为8～15 nm.X射线衍射结果表明:200℃是制备纳米Ni0.75Zn0.25Fe2O4包覆碳纳米管复合材料较好的反应条件,比合成单相Ni0.75Zn0.25Fe2O4纳米晶的温度要低.磁性复合材料中Ni0.75Zn0.25Fe2O4晶体的大小约为16.0nm.红外结果表明NiZn的特征峰在590cm-1和414cm-1处.磁滞回线结果表明室温下复合材料具有较高的矫顽力(Hc=27 244.3 kA/m).     

一种疏水型可聚合光引发剂的合成、表征及其应用

以2-羟基-4'-(2-羟乙氧基)-2-甲基苯丙酮与甲基丙烯酰氯为原料,通过Schotten-Baumann反应合成了一种疏水型可聚合紫外光引发剂2-(对2-羟基-2甲基苯丙酮)-甲基丙烯酸羟乙酯(HMEM)。对合成产物使用红外光谱、核磁共振谱和紫外-可见吸收光谱进行了分析和表征,证明甲基丙烯酰氯上的酰氯基团与2-羟基-4'-(2-羟乙氧基)-2-甲基苯丙酮上的伯羟基发生Schotten-Baumann反应生成酯基结构,从而制备了具有疏水性及光引发活性的新型光引发剂HMEM。随后将HMEM接枝到聚苯乙烯(PS)微球表面,并通过红外光谱和紫外-可见吸收光谱表征证明光引发剂以化学键合的方式存在于微球表面,从而使微球同时具有光引发活性和交联作用,完成了对微球表面的功能化构筑。     

BHET/纳米TiO2催化合成PET性能的研究

采用对苯二甲酸双羟乙酯(BHET)/纳米TiO_2复合材料为催化剂合成聚酯(PET),研究了催化剂的催化活性以及所合成PET的性能。结果表明:催化剂添加量为16.5μg/g(换算成TiO_2的有效含量)时,酯缩聚时间为80 min,所合成的PET的色度b值达到纤维级聚酯切片一级品标准;PET成型加工性能优异,PET初生纤维拉伸4.0倍时,断裂强度达3.78 cN/dtex,PET薄膜双向拉伸3.7倍时,其断裂强度为116.0 MPa,断裂伸长为122.5%。     

聚丙烯纤维可染改性进展

聚丙烯纤维染色改性作为丙纶改性的热点,受到纤维工作者的广泛重视,尤其对高聚物共混改性丙纶的探索为获得性能优良的可染纤维积累了经验.添加剂性质、共混体系性能、上染机理及纺丝、上染的工艺都对染色效果有不同程度影响.     

TiN/聚吡咯纳米复合材料的制备及表征

采用氨解法制备了纳米氮化钛(TiN)粉体,对纳米TiN粉体进行表面改性,使其均匀分散到吡咯单体中.采用原位聚合法制备了TiN/聚吡咯(PPy)纳米复合材料.对合成的复合材料用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、四探针测试仪等方法进行了表征与检测.结果表明:PPy成功地包覆在TiN纳米颗粒表面,形成了纳米TiN/PPy复合材料.复合材料具有优良的电性能.     

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗Ⅰ-Ⅴ特性和输运机制

采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗Ⅰ-Ⅴ特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域:旁路电阻(0～0.15V)、非理想二极管2(0.15～0.3V)、理想二极管1(0.3～0.5V)和串联电阻(>0.5V).拟合结果表明,适当的氢处理时间(～30s)可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性.对于282～335K的暗Ⅰ-Ⅴ温度特性的研究表明,在0.15～0.3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0.3～0.5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释.     

高职院校须以就业为导向培养电子商务专业高素质人才

电子商务专业的就业率问题,是此专业开设以来一直有争论的话题,很多人认为电子商务专业的就业率低,专业对口率低,其实说到专业对口率,很多专业都存在这样的问题。尽管如此,我们作为高职院校电子商务专业的教育教学工作者,还是要尽量地拓展思路,以就业为导向,培养出高素质的电子商务专业人才。     

RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜

利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量.     

高效率n-nc-Si:H/p-c-Si异质结太阳能电池

采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17.27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池.     

高效率n-nc-Si∶H/p-c-Si异质结太阳能电池

采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17.27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池.