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21.
选择同样规格管坯进行了:①变形量ε分别为15%,28%,34%,40%的冷轧变形实验;②Q值为0.86,1.15,2.62的冷轧变形实验;③加热温度分别为680,715,730,820℃,均保温1 h的中间退火实验;④5种热处理工艺制度实验;⑤冷轧和拉拔2种不同加工方式实验.实验后用10%HF+30%HNO3+60%H2O酸洗液对管材表面进行处理,之后测试管材的力学性能.结果表明,该合金的变形量(ε)应选在30%~35%之间,Q值控制在2以下;中间退火温度应选在相变点以上,此时可获得最高的合金塑性,具有优良的冷加工性能;最终热处理应先在750℃固溶处理,然后再在510℃时效处理4 h可以得到塑性和强度匹配良好的管材.另外,采用轧制方法生产出的管材强度较高,塑性较低,表质量好,而采用拉拔方法生产出的管材塑性较高,强度略低,表面光洁度差. 相似文献
22.
怎样理解“璧羡度尺”玉璧在古代是贵重的信物。《史记·廉颇蔺相如列传》记,秦昭王愿用十五座城池来换取赵国的和氏璧。赵王不敢拒绝,但又怕上当。蔺相如自愿出使秦国,他向赵王保证说:“城入赵而璧留秦,城不入,臣请完璧归赵。”《考工记》“玉人之事”条记:“典瑞璧羡以起度,玉人璧羡度尺,好三寸,以为度”。郑玄注:“好,璧孔也,《尔雅》曰:‘肉倍好,谓之璧’”。典瑞,主管玉璧为信物的官职,玉人,制作玉璧的工匠。这段话告诉我们,朝廷作信物用的玉璧,形圆,中间的圆孔称“好”,其直径为三寸;外环称“肉”,其宽度(半肉)也是三寸。所以对于玉璧… 相似文献
23.
从2002年第10期开始。《中国计量》杂志开辟《计量史话》专栏四年来,已刊登了60多篇计量史话文章,深受读者的欢迎和计量单位领导的重视,使得学习、研究、整理和收集计量史料、文物,弘扬我国古代计量科技成就的活动悄然升温。一些省市计量部门从收集和研究本地区古今的计量史料入手.建立、筹建和拟建“度量衡博物馆”、“计量博物馆”、“计量文史馆”。天津市质量技术监督局结合本市现存民国时期成套度量衡标准器,筹建了“天津市计量文史馆”,同时,拟题组织撰写一些我国计量发展史文章。现对涉及到我国计量发展史相关的“三量”、“四量”和“五量”之说的问题。提出我们的一孔之见,恳请专家及广大计量工作者指正赐教。 相似文献
24.
爆破不锈钢复合板界面组织和性能分析及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了普碳钢和不锈钢爆破成型的工艺和组织、性能,结果表明,不锈钢复合板界面呈波纹原子状结合,形成约30μm宽的亚微米级的超细晶粒带,具有高的结合强度,热处理后界面存在碳的扩散,结合区爆破态的硬度高于热处理态。用此工艺生产的不锈钢复合板材料成本低,综合性能好。 相似文献
25.
26.
以水为反应介质,用硅烷偶联剂(MPS)对纳米级粒子二氧化硅(SiO2)进行预处理,用化学氧化聚合方法合成了聚吡咯/二氧化硅(PPy/MPS-SiO2)复合材料.对影响聚合反应的诸因素(温度、时间、搅拌速度等)进行了探讨,利用红外光谱、元素分析、电镜、四探针技术表征了这些材料的组成、结构和性能. 相似文献
27.
采用模糊数学法建立课堂教学质量模糊评价模型,对课堂教学质量进行了二级综合评价,并通过范例分析得出了评价过程和结论.提示对通过学生调查问卷得出的课堂教学质量评价结果运用模糊数学法进行分析,可得出较为客观、合理的分析结果。 相似文献
28.
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 相似文献
29.
纵观东京湾等成功经验,粤港澳、京津冀、长三角将成为高度城市化区域。高度城市化面临水环境承载能力降低和面污染负荷通量升高、产污布局不合理和不协调、涉水公共突发事件风险和损失加剧等问题。在研究世界高度城市化地区的发展历程、污染过程、修复路径的基础上,总结了水综合治理的一般性思路。结合我国发展特点和制度优势,通过政府主导、流域统筹、系统治理、公众参与,提出了覆盖水生态文明建设全要素的"十大策略"——水综合治理方法,并以此提出具体治水行动。作为高度城市化地区的典型区域,深圳在水的综合治理方面先行先试,取得了较好的成效,为助力粤港澳大湾区建设发展提供了水环境治理的深圳经验。 相似文献
30.
Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2. 相似文献