通用二阶曲率补偿带隙基准电压源

详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,且具有较低的温度系数。     

一种新型高线性度CMOS自举采样开关

分析了采样开关中非线性的来源,以及传统自举采样开关的弊端,提出了一种新型高线性度CMOS自举采样开关电路结构.相比传统自举采样开关,新型电路可以将阈值电压随输入信号变化引入的非线性减至最小.采用0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真.结果显示,当输入频率为15 MHz、峰峰值为0.84 V的正弦波,且采样时钟频率为30 MHz时,采样开关的无杂散动态范围达到93 dB,较之传统自举采样开关提高了近20 dB.     

基于Cadence界面的工艺设计包设计方法

详细阐述了基于Cadence界面的工艺设计包(PDK)的框架结构及设计方法;采用该方法,在Cadence界面上设计了一套实用的PDK库siscPDK;用实际的IC单元电路进行了验证,得到了正确的结果,证明了该方法的可行性.     

模拟集成电路的特点及设计平台

讨论了常规和射频模拟集成电路(IC)设计和工艺的特点，介绍了模拟集成电路设计平台，着重论述了电子设计自动化的软件工具、硬件平台，以及设计与工艺接口的设计数据库。详细介绍了模拟IC及RFIC的设计流程和工艺设计包。     

与双极工艺兼容的离子注入结型场效应晶体管的二维分析

本文在介绍长、短沟JFET沟道中电场的不同以及载流子漂移速度饱和概念的基础上,给出了Wong和Liou通过二维器件模拟程序PISCES分析双极工艺兼容的离子注入长、短沟JFET静态特性的方法和结果。除了分析线性区和饱和区外,他们的模拟还就JFET的过渡区提出了新的见解,给出了短沟JFET几种以前未曾强调的特性:a)在饱和区不会发生夹断;b)在饱和工作区自由载流子漂移速度发生饱和;c)截止区的I～V特性符合幂函数规律。在Wong和Liou的报道中,详细论述了导电沟道形状、电场矢量、电流矢量和电流电压特性的情况。     

一种新型低抖动快速锁定时钟稳定电路

介绍了一种新型低抖动快速锁定时钟稳定电路.该电路通过检测输入时钟信号的上升沿,产生一个尖峰脉冲和一个精确延迟半个周期的尖峰脉冲,共同组成一个稳定的低抖动时钟.该电路采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在100 MHz输入时钟频率下,输出时钟抖动为56 fs,电路的功耗仅有35 mW.     

D/A转换器抗辐射加固技术研究

介绍了一种16位D/A转换器抗辐射加固设计和工艺技术。主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述;重点对BiCMOS加固工艺的器件结构设计原理进行了详细阐述,给出了器件仿真数据和实验结果;最后,对辐照试验进行了分析。采用该加固工艺研制的16位D/A转换器实现了转换速率大于30 MSPS,建立时间小于50 ns,线性误差和微分误差均小于±8 LSB等性能指标;其抗中子辐射水平为5×1013n/cm2,抗γ总剂量辐射水平达5.0×103Gy(Si)。     

一种高电源抑制比CMOS运算放大器

解释了基本两级CMOS运算放大器电源抑制比(PSRR)低的原因;提出了只通过改变偏置结构来提高CMOS运算放大器PSRR的方法.采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,结果显示:通过改变偏置结构,运算放大器的PSRR在一个很宽的频率范围内比传统运算放大器可提高20 dB以上.     

一种速度低于100ns的256kDRAM

动态随机存取存贮器(DRAM)不仅在密度方面一直在提高,而且在实现高速度方面也在提高。由于三层多晶硅技术和增压高电平时钟发生器电路的使用,一种管芯面积为34.1mm~2、速度低于100ns的DRAM已经获得。这种器件能够以一个CAS时钟的15ns存取时间的半节型工作,并且也能够用CAS先于RAS的时序刷新。     

CMOS8085微处理机系列的抗辐照设计原理

用抗辐照体硅栅CMOS电路设计成微处理机系列。系列的三个主要产品是英特尔NMOS器件的逻辑模拟:SA3000-通用8位中央处理机(CPU)(Intel 8085A);SA3001-具有两个8位I/O接口,一个6位I/O接口和一个计时器(Intel 8155/56)的256×8位静态RAM;SA3002-有两个8位I/O接口(Intel 8355)的2×8位ROM。本文叙述实现全静、全补偿CMOS器件的设计原理及方法学,其结果能经受1兆拉德以上的辐照总剂量。这些设计是无闩锁的,采用3微米栅长工艺制作在外延衬底上。为了达到这一水平的辐照容限,必须测量该工艺的辐照特性,并且整个设计都应适应辐照效应。