复印机线扎故障检测仪

本文介绍了该检测仪的用途,优点、工作原理、逻辑函数表达式以及仪器的调试等。     

Nakagami-m衰落MIMO中继系统性能分析

研究固定增益放大转发协议,信源和终端需要配置多根天线,而中继只有单根天线的两跳中继转发系统。为获得空间分集,信源利用正交空时分组编码的发射策略,终端利用选择合并方式,简化中继配置的复杂度,采用固定增益放大转发的协议。导出Nakagami-m衰落下系统终端概率的封闭表达式与平均误比特率的封闭表达式,通过蒙特卡罗仿真和数值结果比较,验证了封闭表达式的精确性。     

一种实验室综合管理系统的开发与实践

设计开发了一种基于指纹识别技术和UHF无线技术的实验室综合管理系统;该系统以实验室业务管理为核心构建了数据库并运用ADO技术对其访问,采用了URU4000B指纹仪进行身份注册与验证,开发了无线发射接收电源通断控制装置控制实验设备电源开关,将三层C/S软件架构思想应用到软件系统的设计;该系统实现了包括实验设备、实验人员、实验项目的综合管理,并为网上预约提供了数据支持和接口;使用效果表明,该实验室综合管理系统不仅节省了大量的布线,减轻了设备与通信线路的维护压力,而且显著提高了实验室运作效率和设备的有效使用率.     

半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应

本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温度的依赖关系,确定了115K为亚稳态恢复至稳态的最低温度转变点。由实验结果提供的EL2能级内部结构的信息,提出EL2能级的理论模型。     

基于自适应拟牛顿子空间跟踪的盲多用户检测算法

该文提出了一种新的基于自适应拟牛顿子空间跟踪盲多用户检测算法,这种算法的计算复杂度为O(n2r),其中n为扩频因子,r为用户数。仿真分析表明:该文提出的方法的算法稳态性能及收敛速度比其他基于子空间的盲多用户检测算法都要好,因而是一种优秀的盲自适应多用户检测算法,具有一定的应用和研究价值。     

X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用

本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。     

NTD CZ-Si708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带特性

本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.     

FT─IR技术在半导体材料中的应用

介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。     

Determination of Substitutional Carbon in SI-GaAs Thin Wafers by Infrared Microscope

Determination of substitutional carbon in SI-GaAs thin wafers was investigated by FT-IR microscopeat room temperature for the first time.The experimental results showed that the carbon concentration inGaAs thin wafers can be measured directly with simple treatment.The calculation method of carbon concen-tration is in agreement with that for normal IR spectrum with 0.5 cm~(-1)resolution.The resolution of1 cm~(-1)can be taken in order to obtain a high signal-to-noise(S/N)ratio using 2.34×10~(16)cm~(-2)calibration factor for calculating carbon concentration at room temperature.