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41.
介绍了对冷却塔大悬臂变长度施工平台的研究,解决了平台前桥与建筑物施工层高度平齐、平台前桥长度随建筑物半径的变化而变化的技术难点,实现了空中自助变幅以及后桥结构重心自动前移,能较好地适应现代冷却塔施工工艺的特殊要求.  相似文献   
42.
对聚苯乙烯斜插钢丝网架喷射混凝土复合承重墙板(CS细石混凝土板)进行了材料和构造设计,在国家固定灭火系统和耐火构件质量监督检验中心进行了足尺寸(4 140 mm×3 700 mm×240 mm)板材加载耐火性试验.实验结果表明,采用C25强度等级混凝土并采用喷射施工技术成型的混凝土复合保温板,其聚苯乙烯板厚度为130 mm,混凝土层厚度这55mm.在轴向荷载作用下,在按标准时间-温度曲线加热实验条件下,经3h未丧失承载力、完整性、隔热性,达到防火一级的国家标准要求.具有斜插丝聚苯乙烯保温层曲的射细石混凝土结构与抹灰砂浆等复合板相比具有良好的耐足火,耐火极限达到3h,可作为防火墙使用,可满足我国几乎各类建筑承重墙防火设计的最高等级要求.  相似文献   
43.
本文主要介绍了宁茂产品在染整定型机中心卷取系统上的应用。  相似文献   
44.
功血是妇科的常见病,我院90年以来,用氦氖激光治疗排卵型和无排卯型功血94例,效果显著。在收治94例患者中,治愈80例占85.11%,有效11例,占11.70%,无效3例,占33.19%,总有效率为96.81%。用激光照射穴位,是一种物理刺激,它可穿透组织一定深度,直接刺激经穴而起到治疗作用,我们用体针、耳针、激光三者相结合,取其优点,从而强化了疗效。  相似文献   
45.
本文对<混凝土外加剂应用技术规范>GB50119-2003中相关问题进行讨论,旨在进一步规范混凝土外加剂的应用.  相似文献   
46.
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。  相似文献   
47.
本文尝试提出传统中小型火力发电厂生产过程信息化的解决方案.目的在于为当前电力竞价上网中遇到的实时动态成本提供准确可靠的数据。方案充分发挥现有设备的性能,力求性能费用比最低。  相似文献   
48.
4 欧姆接触的退化 源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻R_s和R_d,并由此而影响器件的特征参数如I_(dss),g_m,P_o,N_F等。 GaAs上的欧姆接触最常采用的是Au-Ge-Ni合金系统,因为它能提供高频、大功率应用所需的低接触电阻(0.1-0.5Ωmm)。 表4总结了对试验样品的Au-Ge-Ni欧姆接触进行研究得出的最新结论。接触电阻的增加归因于四种效应:(1)Au对Ga的过量吸杂作用造成Ga外扩散,在接触下产生一个电阻率较高、成份失配的多缺陷区域。在最上面的Au层和Au-Ge-Ni之间加入合适的扩散阻挡层可以减少这种影响。(2)覆盖层结构会对接触产生不利影响,这可能是由于有互扩散的原因。(3)Au和Ni的内扩散会降低接触区下面半导体的掺杂浓度。(4)热退火会使NiAs(Ge)或Ni_2GeAs晶相和GaAs之间的接触面积减小。  相似文献   
49.
通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理.从而得出经验公式,可以在流片前估算出器件的ESD失效电压.通过在设计阶段预测器件的ESD性能可以缩短设计周期,节约成本.  相似文献   
50.
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析.通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106 h.失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流,IDs退化的主要失效机理.  相似文献   
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