低温常压烧成工艺制备Al2O3-SiC复相材料

将6H-SiC和α-Al2O3以质量比7:3混合,添加质量分数0~10%的MgO-CaO作为烧结助剂,球磨后的粉体压制成生坯,在1 200℃预氧化1 h后在氢气氛下常压烧结1 h制备Al2O3-SiC复相材料。研究了烧成温度和MgO-CaO含量对该复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:1 500℃下,随着烧结助剂含量的增加,烧结致密性明显提高,当烧结助剂质量分数为10%时,显气孔率降至0.1%。预氧化时,添加烧结助剂MgO-CaO,方石英和α-Al2O3与之反应,生成CaAl2Si2O8和Mg2Al4Si5O18,促进6H-SiC的进一步氧化。烧成过程中,CaAl2Si2O8和MgAl2O4溶解生成玻璃相促进烧结,同时α-Al2O3从玻璃相中析出,1 500℃烧结试样所含物相为6H-SiC和α-Al2O3。     

固体燃料种类和配比对烧结矿质量的影响

为了合理利用燃料资源和降低生产成本,以混匀矿为主要含铁原料,系统研究了焦粉和2种煤粉对烧结矿化学成分、矿物结构和矿物组成以及烧结矿冶金性能的影响。结果表明,在等热值条件下,焦粉有利于改善烧结矿的中温还原性能,但会恶化其低温还原粉化性能;而2种煤粉做固体燃料可以增加烧结矿总的交织-熔蚀结构,对改善烧结矿的冷态强度和低温还原粉化性能比较有利。     

基于计算机网络的监控系统在高校中的运用研究

在网络时代,高校监控系统的设计和运行都必须充分利用网络的优势,从而存进监控系统功能的更好发挥。监控系统在高校的运用起步于上个世纪90年代末,至今已经比较成熟了。那么,高校监控系统在设计和运行方面有哪些经验?又该注意什么问题呢?本文对此展开了论述。本文认为高校监控系统的总体设计需要划分不同的功能模块:监控功能模块、指令功能模块和系统模块。另外,本文还探讨了监控端和被监控端的运行流程。     

遏止(Quenching)及其在分析RTD逻辑电路中的应用

在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了“遏止(Q uench ing)”的概念。并进一步以此概念说明了RTD/HEM T电路中,单-双稳转换逻辑单元(M OB ILE)、多值逻辑(M VL)文字(L itera l)逻辑门、三态反相器(T ernary inverter)等逻辑单元的工作原理。通过此种分析,证实了“遏止”概念是解释和分析复杂RTD电路原理的强有力工具。以上论证也适用于由其它负阻器件构成的逻辑电路。     

SiC改性Mg_2SiO_4陶瓷微波衰减性能的研究

采用热压烧结工艺在1500℃下保温1h,制备了SiC改性Mg_2SiO_4陶瓷,研究了SiC添加量对Mg_2SiO_4陶瓷烧结性能、显微结构及微波衰减性能的影响。初步探讨了该Mg_2SiO_4陶瓷的微波衰减机制。结果表明:当SiC质量分数从0增加到10%,Mg_2SiO_4陶瓷的表观气孔率逐渐增大,烧结性能下降;Mg_2SiO_4陶瓷的谐振频率随之向低频移动,谐振吸收峰的峰值逐渐减小,有效衰减带宽增大。电阻损耗和介质损耗是Mg_2SiO_4陶瓷主要的微波衰减机制。     

总线桥技术在回转窑温度监测上的应用

<正>以前工程设计一般采用点对点方法,即在需要检测温度设备附近设置现场温度控制箱,将设备轴承或油温处的测温热电阻Pt100测得的信号引至现场温度控制箱内的智能温度变送仪表上,每一台测温热电阻Pt100对应连接一台智能温度变送仪表,然后由智能温度变送仪表将Pt100测得的电阻信号转换成标准4~20mA信号送至车间计算机控制系统,如图1所示。这样设计的优点是设备中所有测温热电阻Pt100跟现场温度控制箱内的智能温度变送仪表一一对应,在     

贵州省车用汽油产品质量状况及对策

对《车用汽油》的多个技术指标进行了分析,为规范成品油经销企业的经营行为、监督管理部门对成品油经销企业的管理提出了建议、对策。     

闪光釉闪光机理的研究

闪光釉的特征是对入射光有金属镜面般的反向,研究表明,这种反射是由釉中心（200）晶面平行于釉面的的CeO2晶粒造成的,晶粒的取向程度越高反射越强,闪光釉只有施在相应的底釉上才具有闪光效果。     

浅谈暖通空调系统的节能问题

论述了暖通空调系统的节能问题，明确了在暖通空调领域节能的重要意义，分析了现行暖通空调系统在节能方面存在的主要问题，提出了在暖通空调领域节能的方法与途径，从而实现大幅度节能，产生显著的环境效益和社会效益。     

ODR反射器结构对InGaAs电池性能增益的研究

光谱匹配更良好的反向三结InGaP/GaAs/InGaAs太阳电池是进一步提高空间用太阳电池性能的重要技术方案。然而,整个电池的性能受InGaAs子电池弱的抗辐射性能影响,制约其空间应用。基区减薄是提高电池抗辐照性能的主要手段,然而会带来电流不足的问题。通过在基区减薄的InGaAs电池底部引入全方位反射器(omnidirectional reflector, ODR)结构,在提高其抗辐射性能的同时保证了其电流密度。通过光照I-V测试及外量子效率(EQE)测试,发现ODR结构的引入可增加载流子收集率提高短路电流密度。通过光照I-V测试及暗态I-V测试,发现ODR结构的引入降低了复合电流,并提高了开路电压。结合理论分析,载流子收集率的增益以及复合电流的降低有利于提高填充因子。最终,ODR背反射结构有效提高了基区减薄InGaAs电池的性能。