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11.
煤矸石的纳米结构及其对合成SiC的影响   总被引:16,自引:0,他引:16  
通过AFM研究,发现硅质煤矸石的两种主要组成SiO和C具有纳米粒状结构和纳米层状结构.SiO纳米颗粒的尺度为3~20nm,C质纳米颗粒的尺度为10~20nm.纳米层厚为5~80nm.矸石中的SiO和C呈密接触状态.用这种结构的煤矸石为原料,在1300℃时就可合成β-SiC,其合成温度明显低于人工混合物料同等条件下的合成温度,而且产率也可大幅度提高.  相似文献   
12.
利用高钠质瓷砂研制无釉玻化砖   总被引:1,自引:0,他引:1  
以湖北省钟祥县境内开采的高钠质瓷砂为主要原料,试制出了适合低温快烧的玻化砖配方,经1170℃的最高温度焙烧,可制得无釉玻化砖。其瓷化安全,具有的技术性能,质量完全符合国家标准。可作外墙或地面装饰用。  相似文献   
13.
SiO_2-C-N_2-O_2系统合成SiC反应机理的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在实验室使用工业原料石英砂和无烟煤 ,于 135 0 ,14 5 0 ,15 5 0℃合成了 β-SiC。通过X射线衍射法并结合热力学理论计算 ,研究温度在 160 0℃以下SiO2 -C -N2 -O2 系统的主要化学反应过程。认为该系统合成SiC的反应机理是 :反应过程主要分 3个阶段 ,反应初期以气相反应为主 ,主要反应式为SiO 2C =SiC CO ;反应中、后期以固相反应为主 ,主要反应式为SiO2 3C =SiC 2CO ,其反应中间过程为 :Si2 N2 O O2 =SiO2 SiO N2 和 3SiO 3C 2N2 =Si3N4 3CO。  相似文献   
14.
SiC晶须的结晶性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用固-液-气(VLS)法,在无限微热源炉中成功地合成了碳化硅晶须(SiCw),运用SEM,XRD,EDS等分析检测技术对SiCw的形态和显微结构进行研究。在制备出的SiCw产物中,出现不同形态的晶须形貌,除了细长均匀的碳化硅晶须外,还出现了各种其它不规则形状的晶须。通过分析,不规则形状的晶须也为SiCw。  相似文献   
15.
吐哈与准噶尔盆地J煤系有机相及生气性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
详细划分了吐哈与准噶尔盆地J煤系有机相,将本区泥岩有机相和煤相分别划出4类。对这些有机相样品进行了Py-GC生气性实验,首次提出了C01,C02,Cg1,Cg2,D11,D22等反映烃源岩生气能力的重要,结合荧光有机组分指数,将研究区各类泥质烃源岩和煤烃源岩分为3类原岩,改进和完善了气源岩有机岩石学-有机地化评价体系,通过每一个有机相现阶段(低熟阶段)和远景(成熟、过成熟阶段)生气能力逐一评述,划出了本区有利生气相带,指出有利生气相带与气聚集带呈重合叠置关系。  相似文献   
16.
使用传统稀释剂和聚合物电解质对蒙脱石和含蒙脱石瓷砂泥浆进行稀释试验。结果表明,传统稀释剂对蒙脱石泥浆不能起稀释作用,但只对含蒙脱石的瓷砂泥浆有一定的稀释作用,其中六偏磷酸钠效果很好。而有机阳离子聚合电解质对二者都有很好的稀释作用。并通过ζ电位、红外光谱和透射电镜等测试,探讨了有机阳离子聚合电解质对蒙脱石的稀释机理。  相似文献   
17.
SiO2-C-N2-O2系统合成SiC反应机理的研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
在实验室使用工业原料石英砂和无烟煤,于1350,1450,1550℃合成了β—SiC。通过X射线衍射法并结合热力学理论计算,研究温度在1600℃以下Si02—C—N2—02系统的主要化学反应过程。认为该系统合成SiC的反应机理是:反应过程主要分3个阶段,反应初期以气相反应为主,主要反应式为Si0 2C=SiC CO;反应中、后期以固相反应为主,主要反应式为SiO 3C=SiC 2CO,其反应中间过程为:Si2N20十02=SiO2十Si0十N2和3SiO十3C十2N2=Si3N4十3CO。  相似文献   
18.
碳化硅冶炼炉温度场的ANSYS模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用ANSYS数值模拟软件对碳化硅冶炼炉内热量传递及温度分布进行模拟,得到了炉内热量传递及最终温度分布模拟图,分析了冶炼炉内温度分布规律,提出了扩大碳化硅生成温度区域的具体措施。  相似文献   
19.
以 9种烟煤与SiO2 为原料 ,分别在氮气氛下进行合成试验。结果表明 ,在 15 0 0℃条件下 ,低变质烟煤易于形成SiC ,高变质烟煤易于形成Si3N4 ,而处于煤种过渡阶段的气煤、肥煤和焦煤既不易合成SiC也不易合成Si3N4 。其原因主要与不同变质程度烟煤在高温下的体变特性和孔隙结构差异有关  相似文献   
20.
朱海马  李晓池  张岳涛 《材料导报》2007,21(Z2):155-157
以a-SiC为原料添加Al2O3、Fe2O3、H3BO3进行了SiC电热元件的烧结,研究了不同助剂的含量对SiC电热元件的密度、气孔率、电阻率的影响,还研究了混合添加剂对SiC电热元件的影响.并研究了SiC电热元件的导电机理及添加剂对其导电性的影响.结果表明,单种添加剂中Al2O3含量为0.3%时,密度最大,Fe2O3含量为0.2%时电阻率最小.多种添加剂中Al2O3 Fe2O3各含0.5%时密度最大,电阻率较小.通过SEM和能谱分析,表明有2Al4C3·SiC相存在.  相似文献   
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