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与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计 总被引:11,自引:9,他引:2
用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm. 相似文献
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提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型. 相似文献
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钻孔灌注桩后压浆提高承载力的机理及计算 总被引:5,自引:3,他引:2
钻孔灌注桩承载力取决于桩体几何尺寸,侧阻力及端阻力,分析了影响钻孔灌注桩承载力充分发挥的因素:沉渣,泥皮厚度及孔壁形状等。说明了后压浆技术在钻孔灌注桩施工中提高单桩承载力的机理,并引入侧阻力影响系数及端阻力影响系数,提出了后压浆钻孔灌注桩单桩承载力的计算方法。 相似文献
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如何将断层对回采的影响降到最低限度 ,提高巷道的利用率 ,成为济宁二号煤矿确定巷道掘进方案的一大课题。通过几年的实践 ,总结出了一系列过断层的方案 ,达到了充分利用巷道、降低成本、提高回采率、降低回采过断层难度的目的 相似文献
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