基于双相机的数字摄影测量系统关键技术研究

基于双相机的数字摄影测量技术是利用相机采集的二维信息来求得被摄场景三维信息的一项技术,在此基础上可进而重建出场景的三维模型.这里对数字摄影测量中的若干关键技术进行了研究和改进.这些关键的环节包括相机畸变校正、相机定标以及特征匹配点的获取.还实现了一个三维重建系统.实验结果表明,该系统具有较强的实用性和可靠性.     

基于平面波叠加模型的混响室莱斯场环境模拟

从经典混响室的平面波叠加模型出发,针对已有的概率统计模型不能模拟莱斯分布场环境的情况,建立了改进型的平面波叠加模型。为了验证该模型的有效性,用蒙特卡洛方法仿真了不同K因子下的各场量的概率密度函数(PDF),并用理想PDF进行拟合。并进一步验证了当莱斯K因子为零时,莱斯分布场模型退化为经典混响室的场模型。最后考虑了模型的抽样参数(平面波叠加数和搅拌器位置数)对仿真结果的影响,确定最佳的抽样样本,从而获得稳定的PDF曲线。     

碳纳米管/聚苯胺化学修饰电极的制备及其对抗坏血酸的检测

通过恒电压沉积法将纳米金属镍沉积于石墨电极表面, 经化学气相沉积法在石墨电极表面原位生长出碳纳米管(CNTs), 通过电化学聚合法在CNTs表面原位聚合聚苯胺, 从而获得化学修饰电极。采用扫描电子显微镜对所得电极形貌结构进行表征, 并研究CNTs与PNAI复合电极对抗坏血酸(AA)的检测效果。研究结果表明: 制备的CNTs都能均匀地生长在石墨电极表面, 纳米中空管状结构都保持完好; PANI均匀地包覆在CNTs管壁上, 复合材料呈现出典型的三维网状结构。所制备的CNTs/PANI修饰电极对AA具有良好的电化学响应, 其中管径较小CNTs的修饰电极对AA的电化学响应更强: 具有更宽的检测范围和更低的检出限。其检测线性范围为1.0×10^-6~4.5×10^-4 mol/L, 检出限为1.0×10^-7 mol/L (S/N = 3)。且具有良好的稳定性、重复性和可靠性。     

聚合物光伏电池结构调控的研究进展EI北大核心CSCD

聚合物太阳能电池作为一种新型的清洁能源,因其具有质轻、柔性、可穿戴、与环境兼容等突出优势而备受各国政府、企业和科研人员的重视。经过三十多年的发展,聚合物太阳能电池的能量转换效率已经突破10%,体现出良好的应用前景。聚合物光伏电池效率的提高不仅归功于对器件光物理过程的认识,还取决于高性能给、受体材料的合成和器件结构的调控优化。为了梳理近年来聚合物光伏电池所取得的研究进展,文中将从聚合物光伏器件的结构出发,综述活性层形貌调控、界面修饰以及器件构型等方面的研究进展。最后对聚合物光伏器件的发展趋势进行了展望。     

眼底成像仪

正设计说明:本产品一改同类产品的厚重感,根据其功能对产品本身分割,进行模块化设计。产品的外观造型设计中融入了曲线元素,线条流畅贯穿整体,使产品看起来更加完整简洁,细节处的圆角设计使得机器本身增添了一丝亲近感,增加了产品的层次感。黑白灰的整体色彩搭配又凸显了医疗器械的严谨,给人一种安全、可靠的心理感受,加强了产品整体的科技感与医疗感。     

智能插座

正设计说明:此款插座机身为经典黑色,简洁大气,造型上有别于传统插座,每个插孔都是独立的个体,插座与插座之间角度可以自由调控避免了插头与插头之间的碰撞;功能上相比传统插座也更加智能更加人性化、科技化,插座附有USB插口,简洁方便,可与APP连接,即使出远门也不用担心插座是否关掉的问题,任何时候都可以关掉家中电器电源;此外,插座顶端部位向上滑动后将手机     

食品生物胺安全控制关联的包装技术研究进展

目的 综述包装技术在食品生物胺安全控制领域的研究现状及应用进展,为新型高效的食品生物胺控制包装的研发提供借鉴与参考,助力食品安全国家战略的实施。方法 通过收集和整理相关文献,在概述食品中生物胺的形成机制和危害的基础上,探讨传统食品包装在控制生物胺形成方面的成效和局限性,重点总结近年来出现的新型生物胺控制包装技术(气调包装、抑脱羧酶活性包装及抑菌活性包装)及其研究进展,并对其未来发展方向进行展望。结论 食品包装可实现生物胺的安全控制,研发新型、高效的生物胺安全控制包装技术对于保障消费者舌尖上的安全具有重要的现实意义。     

基于模糊控制的教室中央空调与照明智能节能系统

本文针对学校建筑能耗高,能源浪费严重的问题,开发设计出了用于学校的教室中央空调与照明智能节能系统。论文主要阐述利用图像处理技术实现中央空调与照明的智能节能控制和使用模糊控制算法实现教室温度的节能控制。本文所研究的节能系统,经过实际项目运行测试,达到了预期的设计效果,对实现大型建筑的照明智能化控制具有一定的理论指导作用和实用价值。     

一种带埋层的超低比导通电阻槽型LDMOS

提出了一种带n型浮空埋层的超低比导通电阻的变k槽型LDMOS(TLDMOS)。新结构在漂移区内引入变介电常数(VK)的深槽结构和自驱动的U型p区,不仅可提高漂移区的掺杂浓度,还可优化体内电场分布。衬底中引入的n埋层在器件阻断时进一步调制漂移区的电场分布。同时,额外p衬底/n埋层结的引入提高了LDMOS的纵向耐压。导通时,由于集成低压电源施加于U型p区,在其周围产生的电子积累层使器件在不增加栅电荷的情况下显著降低了比导通电阻(Ron,sp)。仿真结果表明,与传统TLDMOS相比,在相同元胞尺寸下,新结构的击穿电压提高了59.3%,Ron,sp降低了86.3%。