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本文基于CMOS工艺设计了一种工作于31.7GHz具有良好输入匹配性能和线性性能的低噪声放大器。宽带输入匹配性能的实现基于一种简单的LC网络的组合,使得S11的曲线在-10dB以下出现1个以上的凹谷。为了获得输入阻抗Zin与负载的关系,文中分析了匹配电路的原理,确定了影响Zin的关键因素。文中着重对Zin和负载配置的关系进行了深入探讨,这在以往并未引起太多关注。此外,本文使用级联矩阵建立了输入级噪声模型而非使用传统的噪声理论,这样一来,Zin和NF便可以用统一的公式进行计算。线性分析在本文也有所涉及。最后,本文设计了一个低噪声放大器加以验证。芯片测试结果表明本文设计的低噪声放大器具有9.7dB的功率增益,S11在频率高于29GHz的仪器量程范围内全部在-10dB以下。测得的输入1dB压缩点和3阶交调点分别为-7.8dB和5.8dB。低噪声放大器的制造采用90 nm射频CMOS工艺,包括焊盘在内整个芯片的尺寸为755 um x 670 um。电路在1.3 V电压下的耗散功率为24 mW。 相似文献
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在校园恢弘的叙事尺度之外,高校师生对人性化尺度的空间需求日益增长。恢弘之外是日常,而日常往往存在于那些被我们忽视的角落里。通过新老校区两个校园角落空间的更新改造,探讨空间本身、空间尺度和空间价值之间的逻辑。 相似文献
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107.
本文给出了利用0.18umCMOS工艺设计的5.2GHz低噪声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益为15.8dB噪声系数为1.4dB. 相似文献
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ARM11核心板属于高速电路板,在设计中需要降低电源配送网络(Power Delivery Network)的输入阻抗来提高电源完整性。基于有限元方法对10个晶体管产生的同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise)、调整前后PDN的直流/交流特性进行仿真,仿真结果表明:10个晶体管同时开关时芯片电源电压波动达7.9%;1.2 V PDN的直流电压从1.17 V增加到1.18 V,PDN的电流密度整体得到降低;在397 MHz谐振频率处PDN的谐振现象得到减弱;因此当达到10个晶体管同时开关时芯片电源电压已不满足要求,在对PDN调整后最终降低了PDN的输入阻抗和电压波动。 相似文献
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