不同辅助措施对CT输尿管显影的影响

CT已经逐渐成为检查输尿管疾病的主要影像学方法,通过CT平扫和CT排泄期扫描观察输尿管疾病.研究者通过不同的辅助措施来改善CT排泄期扫描中输尿管的显影情况,这些辅助措施包括改变体位、腹部加压、水合作用、静脉注射小剂量速尿剂等.不同的辅助措施对输尿管显影的影响存在较大的差异.     

深基坑施工对地铁车站影响的数值仿真分析

随着地铁及城市轻轨交通项目在我国快速兴建,地铁及轻轨沿线土地开发项目迅速增加,而大量新建建筑深基坑工程位于地铁车站和隧道附近或地铁保护范围内,使得地铁车站和隧道不可避免地受到工程建设的影响.本文以临近苏州轨道交通2号线石路站某深基坑工程为背景,运用FLAC3D软件建立三维数值分析模型,对深基坑施工进行数值仿真分析.仿真...     

聚酰亚胺薄膜热降解动力学研究

聚酰亚胺薄膜是目前已经工业化的高分子材料中耐热性最好的品种,具有优越的综合性能。常规热老化应用已经成熟,但实验周期长。通过热重分析(TG)方法研究聚酰亚胺(PI)薄膜的热老化寿命。利用Popescu方法求出反应动力学机理函数,采用Ozawa法求得PI在空气氛围下的热分解活化能(E),同时计算出相应的碰撞系数(A),最后估算出其长期使用的上限温度。     

Fenton氧化与活性炭吸附深度处理高含盐难降解海上采油废水的研究

采用Fenton高级氧化和活性炭吸附法处理经自然沉降、粗粒化高效聚结、分离工艺、气浮工艺、混凝沉降工艺处理后的高含盐难降解的采油废水中的COD和油污,考察了Fenton试剂的配比和活性炭吸附时间等因素的影响。结果表明,废水p H=3,Fenton试剂配比c(H2O2)/c(COD)=2,n(H2O2)/n(Fe)=10,氧化40 min时,Fenton高级氧化对废水中COD、含油量去除效果最佳。氧化对活性炭吸附具有促进作用,吸附时间45 min,COD去除率达75%,出水COD为48.31 mg/L,含油量为1.76 mg/L,达到《辽宁省地方标准污水综合排放标准(DB 21/1627—2008)》要求。     

原水铁锰含量对细菌除铁除锰效能的影响

将从水厂成熟锰砂中分离出来的细菌进行驯化和增殖培养,通过改变原水中铁锰含量来改变细菌生长环境,考察了不同条件下混合细菌对铁锰的去除效果.结果表明:在有Fe2+存在的情况下,铁锰氧化细菌维持着正常的活性,对铁锰始终具有高效而稳定的去除能力;Fe2+的存在与否也影响着Mn2+的氧化速率;原水中锰的存在对细菌除铁影响较小.     

多反射面反光镜的仿真设计

介绍了多反射面反光镜对照度均匀性的影响,以及提升回转曲面反光镜照度均匀性的设计方法,并据此设计了照度分布均匀的多反射面反光镜。利用TracePro软件对所设计的反光镜进行了光线追迹分析,对比常规回转曲面反光镜,其照射面的照度均匀性分布有较大改善。     

分光光度法测定工业硫化钠中的氯离子

硫化钠产品的成分比较复杂,硫化钠产品中的杂质分析也很重要,提高硫化钠的质量,开拓硫化钠的新用途,可满足现代高科技发展对硫化钠的特殊要求。介绍了采用分光光度法对其中的氯离子进行了测定,并通过测定回收率来进行验证的分析方法,结果表明该方法测定硫化钠中氯离子的含量准确可靠,非常适用样品的快速测定。     

乌东德拱坝坝肩三维抗滑稳定分析

 基于非线性有限元分析,采用三维有限差分程序FLAC3D,对乌东德拱坝联合坝肩岩体进行三维弹塑性数值模拟。由拱座岩体内不连续裂隙产状确定9个可能滑动楔块。将有限元计算的应力值通过插值转移到楔块滑面上,以滑面内短小裂隙建议连通率为依据折减滑面抗剪强度,采用三维矢量和法计算楔块安全系数。弹塑性计算结果表明,坝肩岩体在荷载条件下位移、应力分布基本对称河谷,但是受近坝断层F15,f42及K25岩溶系统影响,右坝肩受影响范围略大于左岸。正常蓄水条件下9个楔块具有较高的安全裕度,温升荷载导致大部分楔块稳定性降低,温降荷载主要对右坝肩稳定不利。地震荷载条件下,所有楔块稳定性大幅降低,平均降低30%,最大降低53.9%,坝肩岩体整体仍能保持稳定。     

基于感知小波变换的语音增强方法研究

在ERB尺度下构造的感知小波符合人耳对固有语音的频率感知特性,通过一种纯数学算法计算其参数,在听觉感知上可以近乎完美地使信号进行重构。首先采用感知小波对带噪语音进行分解,其次在语音信号的子带层次上用一种类似于软阈值的无穷阶可导的函数进行阈值处理,最后应用谱减法进行二次增强。实验表明,该算法使信噪比和PESQ得分都有较大提高,特别是在信噪比较高时,语音具有很好的清晰度和可懂度。     

Formation of a silicon micropore array of a two-dimension electron multiplier by photo electrochemical etching

A semiconductor PEC etching method is applied to fabricate the n-type silicon deep micropore channel array. In this method, it is important to arrange the direction of the micropore array along the crystal orientation of the Si substrate. Otherwise, serious lateral erosion will happen. The etching process is also relative to the light intensity and HF concentration. 5% HF concentration and 10-15 cm distance between the light source and the silicon wafer are demonstrated to be the best in our experiments. The n-type silicon deep micropore channel array with aperture of 3μm and aspect ratio of 40-60, whose inner walls are smooth, is finally obtained.