基于BCG-MCP的四代微光像增强技术

介绍了Ⅲ代微光像管中的防离子反馈膜技术，阐述了美国Litton公司基于BCG-MCP的Ⅳ代像管的近期发展及应用概况，给出了实际应用中的对比情况，指出了BCGMCP、自动门控电源和无晕技术是这一研究新热点的关键。     

金薄膜UV透过特性对MCP电子增益测量影响的研究

介绍了微通道板的电子增益及其测量的UV光电法，并着重分析了UV光透过Au薄膜引起的附加输出（或附加增益）对测试结果的影响，给出了减小的途径，指出了应用前景。     

低强度X射线影像仪图像的退化和复原

图像的退化是引起X射线影像仪图像质量下降的主要原因,通过对图像复原,可以改善图像质量,提高系统的清晰度.这里分析了影像仪图像退化的原因,重点介绍了影像仪的点扩展函数的获取方法,并以台阶铝板的X射线图像为例,说明了其复原过程.     

氧化铝缓冲层对ZnO薄膜性质的影响

采用反应磁控溅射的方法在石英衬底上制备了一层AI2O3薄膜,并将其作为后续ZnO薄膜生长的缓冲层.然后,采用反应磁控溅射的方法在AI2O3缓冲层上制备了ZnO薄膜.对比研究了引入Al2O3缓冲层前后,ZnO薄膜的结构和光学特性.通过引入Al2O3缓冲层,发现ZnO薄膜样品的(002)方向X射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中与缺陷相关的可见发光峰强度明显减弱,吸收光谱中的吸收边变得更加陡峭.这些结果表明引入Al2Q3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,为制备高质量ZnO薄膜提供了参考.     

高纵横比微孔列阵的干刻工艺

本文简述了干法刻蚀的现状和Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ － ＩＣＰ 的结构原理, 给出了高纵横比微孔列阵的初刻实验结果, 并对有关参数进行了初步讨论     

螺噁嗪掺杂的聚合物薄膜偏振全息记录研究

偏振全息因其在高密度信息存储中的重要作用而引起人们的广泛关注。本论文讨论了偏振全息光栅的种类,并利用琼斯矩阵进行了数学描述。论文重点研究了螺噁嗪掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯S-S和S-P偏振全息动力学过程。考虑到光异构、光取向以及聚合物基质的位阻效应,建立了光栅动力学的唯象模型,通过调整拟合参数,获得的理论曲线与实验结果符合得很好,表明异构光栅与取向光栅的生长过程存在竞争。研究结果为该材料的实用化提供了理论依据。     

探照灯的基础设计

０前言探照灯已广泛应用于对重要物体引起注意、标志方位、对音乐会和舞台节目产生激动反应和对移动画面及电视制作创造出特殊的照明效果等方面。照射距离长，照明范围集中是它独有的特性。由于大功率氙灯及高质量反光镜的良好组合，这一特性得到了淋漓尽至的发挥。１基本...     

微通道板电子透射膜及其粒子透过特性的研究

文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题.     

基底均匀和梯度掺杂下EBCMOS电荷收集效率的优化模拟

为获得高增益的电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件,根据载流子输运理论,采用蒙特卡罗方法,研究了EBCMOS基底在不同掺杂方式和结构参数下的电荷收集效率。结果表明：当基底均匀掺杂时,减小掺杂浓度、降低基底厚度及缩小近贴距离可以有效提高电荷收集效率;当基底梯度掺杂时,减小重掺杂浓度区域的范围,可以有效提高电荷收集效率。仿真优化后器件的电荷收集效率最高可达到86.28%,为国产EBCMOS器件的研制提供了理论支撑。     

Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术

Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。