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101.
二维短沟道MOSFET直流稳态与衬底电流的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍一种新的采用载流子总量方法分析短沟道MOSFET直流稳态特性的数值模型。使用专用模拟程序 LADES1-A (Lisban Advance Device Simulation Version no.1-A)联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方程.LADES1-A可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响.设计者通过分析器件内部二维电流密度、电场强度等分布,得到直观的短沟道效应的物理图象,以便采取适当措施减小短沟道效应.为了介绍本模拟软件的用途,本文给出部分模拟结果,并着重讨论了热载流子效应产生的衬底电流及非平衡载流子的产生-复合率的分布. 相似文献
102.
设计了一种以AT89C2051单片机为核心的加热炉温度采集系统。给出了该温度采集系统的基本原理、电路结构和软件的实现过程。 相似文献
103.
为了更准确的求解电子设备中的常见耦合问题,综合考虑电子设备的电路、温度场、位移场、电磁场及其耦合关系。根据现阶段求解电子设备中的弱耦合问题的有效方法,分析研究了电子设备中常见的强耦合问题,提出求解强耦合问题的两种可行性方法及其特点,并通过求解一个典型的热电耦合问题,来证实这两种方法的优缺点及可行性。 相似文献
104.
研究了Ni-S合金镀膜在NaOH,NaCl,H2SO4,HCl溶液中的耐性。分别以镀膜的腐蚀速率,孔隙率以及自腐蚀电位,阳极极化曲线来描述Ni-S合金镀膜耐化学和电化学腐蚀的能力,并结合镀膜结构给予解释。 相似文献
105.
高校信息化建设已经进入了一个新的阶段,云技术的发展,解决了信息化建设中的存储问题,应用问题。高校实验室的建设存在重复建设,形势单一,协作、协调、协同程度不高等问题,云技术的合理利用推动高校信息化的发展,整合了高校教学资源,为高校教学改革,实验室建设指出了明确的方向。 相似文献
106.
107.
108.
氧化石墨烯(GO)具有良好的耐热性和力学性能,可用于制备树脂基纳米复合材料,对树脂具有独特的改性效果,但分散性差却限制了GO对树脂基复合材料更好的改性效果。采用超支化聚硼酸酯(HBPB)与GO接枝得到氧化石墨烯-超支化聚硼酸酯(GO-HBPB),并将其用于双环苯并噁嗪树脂(B-BOZ)改性,不仅可解决GO分散性差的问题,还可利用GO-HBPB优异的耐热性,超支化结构,以及大量酚羟基端基对B-BOZ树脂噁嗪环的催化开环作用,使得GO-HBPB改性B-BOZ树脂(BOZ-GO-HBPB)具有比B-BOZ树脂更低的固化温度,在800℃(N2)下高达58.7%的残碳率,以及粗糙而柔韧的树脂浇注体断面形貌。 相似文献
109.
110.