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ZnO thin films were prepared by direct current(DC) reactive magnetron sputtering under different oxygen partial pressures And then the samples were annealed in vacuum at 450 ℃. The effects of the oxygen partial pressures and the treatment of annealing in vacuum on the photoluminescence and the concentration of six intrinsic defects in ZnO thin films such as oxygen vacancy(Vo), zinc vacancy(VZn), antisite oxygen(OZn), antisite zinc(Zno), interstitial oxygen(Oi) and interstitial zinc(Zni) were studied. The results show that a green photoluminescence peak at 520 nm can be observed in all the samples, whose intensity increases with increasing oxygen partial pressure; for the sample annealed in vacuum, the intensity of the green peak increases as well. The green photoluminescence peak observed in ZnO may be attributed to zinc vacancy, which probably originates from transitions between electrons in the conduction band and zinc vacancy levels, or from transitions between electrons in zinc vacancy levels and up valence band. 相似文献
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掺硅类金刚石薄膜的制备及其光学性质研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用直流磁控溅射技术在单晶硅和光学玻璃表面制备了掺硅类金刚石薄膜,采用紫外-可见光光谱仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱(XPS),荧光光谱仪考察了不同硅含量对类金刚石薄膜的光学透过、表面形貌、电子结构和光学带隙的影响.结果表明,掺硅后的类金刚石薄膜的表面粗糙度先变大后变小,光学带隙变宽,但当掺硅达到一定量时,光学带隙有所降低.随着硅掺入量的增加,薄膜的红外透过率显著提高;光的发射中心"蓝移"并且强度增加.XPS的结果表明薄膜的sp3/sp2的比率随着硅含量的增加而变大. 相似文献
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CNx薄膜的制备及电子结构 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力,溅射功率对薄膜形成的影响,并用X射线电子能谱(XPS)和富里叶变换红外光谱(FTIR)对样品的电子结构进行了分析,结果表明,反应气体N2的压力大高或太低,溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成,在N2压力的8Pa溅射功率为200W时,薄的氮原子数分数得到最大值41%,XPS和FTIR分析结果揭示了膜中没有的N原子,所有的N原子均与C原子作用 相似文献
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本文将石墨、TiO2纳米晶以及TiO2胶体共混,采用旋涂法制备了碳薄膜对电极,并用于组装染料敏化太阳能电池。采用场发射扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,采用四探针电阻率测试仪、电化学交流阻抗图谱及太阳能电池综合测试仪对碳对电极的电学、电化学性质以及电池的光电性能分别进行测试;研究了薄膜厚度对碳对电极导电性能与电化学催化性能的影响。结果表明随着厚度增加,碳对电极的方块电阻和界面电荷传输电阻均变小,分别可达到26.6Ω.sp-1和11.8Ω.cm-2,而电池的填充因子及光电转换效率增大。当碳薄膜厚度为19.5μm时,光电转换效率可达到Pt对电极的70%。 相似文献
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近几年来,我们以国家工科物理教学基地建设为契机,深入开展教学研究,锐意进行教学改革。重组经典,中强近代、拓宽应用,加强大学物理物理和物理实验课程的整合,强化科学素质教育,突出创新能力培养,重构了工科物理教学体系,教学实践证明,该体系符合21世纪人才培养的要求。 相似文献
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