耐温抗盐驱油剂-新型疏水缔合水溶性聚合物

介绍了疏水缔合水溶性聚合物的合成方法及其分子结构，结合室内实验研究结果，从机理上分析了该聚合物的耐温抗盐和抗剪切的特性。现场应用实例表明了该类聚合物在高温高盐油藏中具有广阔的应用前景。     

高超声速飞行器发展综述

介绍了高超声速飞行器的相关概念,归纳了高超声速飞行器的飞行特性、关键技术以及应对高超声速飞行器的主要防御手段,最后分析总结了高超声速飞行器研究中存在的问题及其未来可能的发展方向和趋势。     

改进的飞秒激光加工微型光波导方法

分析了垂直式加工中加工区域光强分布不对称的原因,从理论上总结出改进这种不对称的方法。在分析了仅引入单个透镜就能实现这一改进的可行性后,实验验证了这种改进方法。未改进之前加工出的光波导其端口两个方向直径之比为10:1,甚至更高;而改进后的比例则非常接近1:1。通过对光强不对称的改进,该方法有光路简单,无能量损失的优势。     

铅银渣混配铅精矿直接还原熔炼成渣特性及动力学解析

利用铅火法熔炼资源化消纳铅银渣等含铅固废已成为大势所趋。然而,由于原料结构明显差异导致常规高铅渣直接还原控制理论并不适用于混配铅银渣的反应过程。为此,本文在原料赋存状态及热力学分析基础上,结合还原实验对资源化消纳铅银渣的直接还原过程成渣特性及反应动力学规律进行了研究。结果表明,还原初期及还原后期( >30 min )均受界面反应控制,还原20~30min内受外扩散控制,可通过增大反应界面及降低黏度来强化还原反应效率。随还原过程进行,渣中含铅相不断减少,锌黄长石相和铁锌尖晶石不断增加,硅酸盐结构由简单SiO44-^变为Si2O74-^,还原渣熔化温度及黏度均有所增加;控制终渣FeO/SiO2=1.6,CaO/SiO2=0.6,ZnO≤20 wt.%,可满足还原熔炼生产要求。     

江苏抽水蓄能电站特快速暂态过电压分析

采用PSCAD/EMTDC软件计算分析了江苏抽水蓄能电站500 kV GIS变电站在主变、出线操作时的特快速暂态过电压(VFTO),并以1台典型的500 kV主变为例,分析多种操作情况下特快速暂态过电压对主变的影响.结果表明,由于连接各台主变与GIS之间的电缆比较长(至少200 m),传递到各台主变上的VFTO幅值和陡度并不高,对其主绝缘影响不大,也不会直接造成变压器匝间绝缘的击穿.     

基于PCS7的生活垃圾焚烧发电厂DCS设计

根据项目的规模对DCS的总体架构和网络拓扑进行设计,根据I/O清单完成硬件设计.DCS的软件开发通过硬件配置、CFC编程和组态界面开发来实现.通过强大的软件平台、先进的设计思路,构建了一套生活垃圾焚烧发电厂全流程可视化、自动化程度高的自控系统.     

矿井通风防治瓦斯技术

在各种因素的影响下矿井内可能会发生瓦斯事故,例如瓦斯窒息、瓦斯爆炸、瓦斯燃烧等,这些事故的发生极有可能伤害到施工人员,极大程度制约了煤矿企业的长期、绿色、稳定发展,给社会的发展带来不利影响。所以,煤矿企业需要高度重视通风管理和防治瓦斯技术,从而降低瓦斯事故的发生率。主要围绕瓦斯事故和矿井通风防治瓦斯技术进行了分析。     

重载行星轮系安装误差对系统均载性能的影响

行星轮安装误差的存在会导致行星轮系产生不均载问题,进而会影响减速器的传动性能和寿命。以往的研究未明确定义不同角度下的安装误差对系统均载性能的影响,并且关于多行星轮对系统均载影响的研究(在不同安装误差和不同输入功率下)也较少。为此,研究了实际应用中行星轮系安装误差对系统均载性能的影响。首先,以重载四行星轮系为研究对象,建立了行星轮径向和切向安装误差的综合误差表达形式;然后,基于轮系的传动模型,分析了单行星轮不同安装误差角和误差数值对系统均载的影响;最后,在单行星轮的基础上分析了不同工况和误差配置下多行星轮对系统均载的影响。研究结果表明：行星轮的切向安装误差对系统均载影响最大,径向安装误差对系统均载影响最小,当单行星轮安装误差数值为60μm,安装误差角θ从径向往切向方向靠近时,行星系统的均载系数增大了9.6%;误差绝对值越大,均载系数越大,当单行星轮安装误差数值从-30μm到-60μm时,系统的均载系数增大了4.6%;多行星轮存在切向安装误差对系统均载的影响可以用有效误差来衡量;齿轮承载范围内,随着输入功率的增大,安装误差对系统均载的影响逐渐减小。     

防水透湿型水性聚氨酯织物涂层的研究进展

根据防水透湿型水性聚氨酯是否对温度敏感进行分类,通过列举一些新方法,总结了近年来国内外学者在防水透湿型水性聚氨酯涂层方面的研究进展,展望了防水透湿型水性聚氨酯织物涂层未来的发展方向.     

PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响

通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE（Reactive Ion Etching）金属前PECVD-TEOS预淀积保护介质层的保护作用,实验结果表明此介质层没有起到足够的保护作用,反而会由于更长的等离子体工艺时间产生更严重的损伤问题。传统的电荷在硅片表面积累理论不足以解释此现象,本文从高能电子隧穿作用来分析此性能退化的原因。