复杂断块油田小区块腐蚀治理研究

1 腐蚀因素分析( 1)生产系统产出液腐蚀性强。生产系统中 ,由于介质的存在 ,引发了腐蚀的产生 ,介质的强腐蚀性是造成系统严重腐蚀的最根本原因。但是在中原油田这种极复杂断块油田 ,不同油区、不同地层的水体性质也不同 ,因此了解不同的水体性质和腐蚀因素是采取有针对性防腐措施的前提。复杂断块油田产出液介质有如下特点 :①产出液ｐＨ值较低 ( 6 0～ 6 5 ) ,为弱酸性水体 ;②ＣＯ2 含量较高( 2 0 0ｍｇ/Ｌ以上 ) ;③含有一定量的Ｏ2 、Ｈ2 Ｓ、ＳＲＢ等腐蚀性物质 ;④矿化度高 ( 3× 10 4～ 17× 10 4ｍｇ/Ｌ) ,Ｃｌ— 含量高( 2× 10…     

多层片式陶瓷电容器容量命中率的研究

多层片式陶瓷电容器（MLCC）容量命中率低是生产中普遍存在的问题，本文通过微观结构，金属层和介层厚度，以及工序因素分析，探讨了引起MLCC容量分散的主要原因，提出了工序中应控制的因素，为MLCC生产过程控制，提高容量命中率提供了依据。     

立方相GaN的持续光电导

研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .     

Integrated Automation System for Rare Earth Countercurrent Extraction Process

Lower automation level in industrial rare-earth extraction processes results in high production cost, inconsistent product quality and great consumption of resources in China. An integrated automation system for extraction process of rare earth is proposed to realize optimal product indices, such as product purity, recycle rate and output. The optimal control strategy for output component, structure and function of the two-gradcd integrated automation system composed of the process management grade and the process control grade were discussed. This system is successfully applied to a HAB yttrium extraction production process and was found to provide optimal control, optimal operation, ontimal management and remarkable benefits.     

利用双向HFC网建设智能化小区的解决方案

本文介绍了智能化小区的组成以及实现的功能,以及利用有线电视双向HFC网络建设智能化小区的解决方案。     

水量对锐钛矿溶胶制备、结构及光催化性能的影响

选择“钛酸丁酯-水-乙醇-盐酸”的溶胶．凝胶反应体系，考察反应物水的用量变化对反应过程、溶胶结构和光催化性能的影响，并获得了含有锐钛矿晶体、具有光催化性能的氧化钛溶胶。钛酸丁酯与水的摩尔比为1：2、1：4、1：8时，会逐渐形成凝胶，溶胶常温干燥后的粉体呈无定型结构，透射电镜中只能观察到细小的成膜粒子，溶胶不能使罗丹明B溶液分解褪色。钛酸丁酯与水的摩尔比为1：40、1：100、1：200时，钛酸丁酯发生充分水解，有可能形成稳定的溶胶；溶胶常温干燥后的粉体呈锐钛矿晶型，且结晶强度随水的用量的增加而增强；透射电镜中可观察到松散的团聚体、初显正方形较为紧密的结晶体和致密规则的正方形锐钛矿晶体；各溶胶均可催化降解罗丹明B使其褪色。     

常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究

采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。     

聚碳酸酯的热降解

综述了聚碳酸酯的热稳定性及其影响因素,并详细论述了一些添加剂如偶联剂甲基三甲氧基硅烷、钛酸四丁酯、阻燃剂二苯砜磺酸钾(KSS)、聚氨丙基苯基倍半硅氧烷(PAPSQ)等对聚碳酸酯热稳定性的影响,阐述了Kissinger法和Ozawa法等聚合物热降解动力学的分析方法。重点介绍了近期国内外有关聚碳酸酯热降解产物和热降解机理方面的研究成果。     

无机盐先驱体溶胶—凝胶法制备50%Al2O3—50%ZrO2结晶复相陶瓷

采用无机盐先驱体，溶胶－凝胶法制备出超细５０％Ａｌ２Ｏ３－５０％ＺｒＯ２复合粉体，ＢＥＴ法测得其比表面积达２２７．４ｍ＾２／ｇ。复合粉体经热压烧结得到具有互渗结构的结晶复相陶瓷，其Ａｌ２Ｏ３晶粒约１００ｍｍ，ＺｒＯ２晶粒约０．６μｍ。