一种CMOS静态双沿顺序脉冲发生器的设计

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。     

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。     

一种新型压电陶瓷控制器的研究

压电陶瓷的迟滞、非线性和蠕变特性，降低了它的定位精度，且给压电陶瓷微定位系统的控制带来困难。该文提出一种新的智能逻辑规则控制算法，仿真结果表明，与PID控制算法相比，控制器输出不仅超调量小、响应时间快，而且控制器的控制精度可以预先设定并通过直接调节参数而满足，满足了压电陶瓷微定位系统高精度的要求。     

聚合物冻胶类堵剂纵向分布规律的检控

聚合物冻胶类堵剂在不同渗透率层位的进入深度比例无法定量检控。针对目前缺少专门研究堵剂分布规律的数值模拟模型的问题,文中利用质量守恒定律和达西定律建立堵剂在渗流过程中的质量守恒方程和压力方程,并提出了组分数值模拟器的求解方法。利用数值模拟与室内实验结果对比的方式验证了数值模拟器的准确性,拟合精度较高,说明该组分数值模拟方法准确可靠。利用数值模拟器进行计算,研究残余阻力系数、吸附量、剪切特性、油水黏度比等物化参数对堵剂纵向分布的影响,得到了堵剂在不同渗透率层位进入深度比例的计算图版,明确了堵剂的纵向分布规律。该研究结果可实现现场堵剂分布的定量检控,封堵地层时堵剂用量的估算更加准确,具有良好的经济效益。     

压电陶瓷电源控制系统的设计与实现

根据压电陶瓷微定位系统的要求,在构成闭环控制系统时,需要控制器应用VC 编程语言编写的控制程序通过PC机的串口,给单片机发送控制命令,实现对压电陶瓷驱动电源的控制。通过对压电陶瓷电源驱动控制的实验表明,电源控制系统具有结构简单、性能稳定和精度高等优点,能够较好地满足微定位系统中压电陶瓷驱动电源的控制要求。     

突发错误信道下的多元LDPC码设计与性能分析

分析比较了结构化非规则多元重复累计码、Turbo码和二元LDPC码在单突发删除信道和高斯突发深衰落信道上的纠错性能,同时提出了 QLDPC 在突发信道下的两条设计准则。针对突发信道设计了一类扩展型S-QIRA码—S-eQIRA,并在单突发删除信道和高斯突发深衰落信道上进行仿真,仿真结果表明该码字具有较强的纠突发错误能力。