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采用新型制备工艺,特别是通过对基质的改性开发出的MIP-CGP工艺专用催化剂CGP-1,可以选择性控制积炭沉积位置,其积炭后的催化剂仍保持较好的反应性能。孔分析及氩离子(Ar+)刻蚀实验结果表明,CGP-1待生剂中的炭主要沉积在基质的中孔(2~8 nm)中,很好地保护了催化剂的活性中心,这也与红外吡啶吸附酸性分析结果相符。因此,催化剂CGP-1在MIP-CGP装置的第二反应区中能够很好地裂化小分子烯烃,从而达到在降低汽油烯烃的同时多产丙烯这一目标。 相似文献
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为区别使用效果不同的拟薄水铝石,研究了其胶溶能力。对不同的拟薄水铝石进行差热和表面羟基分析,并测定了其在胶溶过程中pH值和黏度的变化。结果表明,在同样的胶溶条件下,使用效果较差的拟薄水铝石溶胶的黏度值较低、其可能含有其他杂晶。表面羟基强度较弱是使用效果较差拟薄水铝石胶溶性能差的原因。根据胶溶过程中的黏度情况定义胶溶速率参数,可用来区分胶溶能力不同的拟薄水铝石。 相似文献
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S3C44BOX作为一款以ARM7TDMI为内核的微处理器,得到了广泛的应用.本文采用该处理器,使用到广泛应用的源代码公开的uClinux操作系统,实现CPU处理器与RTLS019AS以太网控制器网络通信.对于网络通信工程在嵌入式设备中的应用有很好的借鉴意义. 相似文献
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惯性约束聚变冷冻靶中氘氘(D2)冰层的质量对聚变实验的成功与否起重要作用。目前文献报道的制备冷冻靶D2冰层的方法并不具备好的可操作性,且技术、工艺不定型,制约了高质量冰层的形成。因此,本文采用将温度梯度、降温速率和温度冲击相结合的技术实现燃料冰层在靶丸内的均化。通过温度控制以及施加温度冲击可控地形成残留冰,并在残留冰的控制技术基础上,实现了高质量冰层的可控结晶生长。同时,研究了温度控制对靶丸内D2冰层品质的影响和D2冰层结晶生长的过程,并应用晶体生长动力学理论分析了D2冰层结晶生长行为。从背光阴影图像中的D2冰层亮环可知,D2冰层均匀度为85.2%、厚度为40.35 μm、内表面粗糙度为2.15 μm。本方法拓宽了超低温下D2冰籽晶控制、晶体生长技术,为DT冷冻靶中冰层均化打下了坚实基础,并形成了一定的技术储备。 相似文献
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