莱钢3200m~3高炉低成本冶炼实践

莱钢3200m3高炉通过采用大矿批技术、提高风温、高顶压等操作手段,采取低硅冶炼、配加经济炉料等措施,在高炉冶炼中保持炉况长期稳定顺行,同时优化出铁组织,加强设备点检等,在入炉品位只有55.4%～56.5%的条件下,取得了燃料比515kg/t、煤比170kg/t以上的好成绩,降低生铁成本效果显著。     

计算机网络中路由选择的优化研究

为了改进计算机网络的性能，提出了一种改进的并行遗传算法，采用多群体并行进化与自适应地改变遗传参数，对计算机网络中路由选择问题进行了优化，比较了不同算法所得到的链路利用率及网络的平均时延。计算机仿真实验结果表明，该算法能较迅速地求出全局近似最优解，并且与传统的方法相比较，解的质量能大幅度地提高，证明此改进的并行遗传算法是行之有效的。     

小卫星姿态大角度机动联合控制算法

由于星上能源需求、空间目标探测和地面目标跟踪定向的要求,小卫星必须具备姿态大角度机动能力。基于磁力矩器和反作用飞轮联合控制,提出了一种绕瞬时欧拉轴旋转的机动控制算法。该算法根据运动学原理规划姿态机动的时间最短轨迹设计控制器进行跟踪,以实现时间较短的姿态大角度机动控制。仿真结果表明,算法鲁棒性好,设计简单且易于在轨实时计算,显著减少了反作用飞轮在机动过程中的饱和机会。     

MPI并行程序设计的负载平衡实现方法

MPI是目前集群系统中最重要的并行编程工具,它采用消息传递的方式实现并行程序间通信。在MPI并行程序设计中实现负载平衡有着重要的意义,可以减少运行时间,提高MPI并行程序的性能。负载平衡又可分为静态负载平衡和动态负载平衡,对于静态负载平衡,提出了一种分配任务的算法,可有效地按照节点的计算能力,在节点间分配任务;对于动态负载平衡,提出了一种在MPI并行程序中实现的方法,可有效地根据节点的负载情况,在节点间迁移任务。     

关于无线传感器网络节能问题的研究——基于定向扩散路由协议的改进的探讨

定向扩散路由协议作为无线传感器网络的一种重要的典型网络协议,是高能源有效性协议的代表。然而它有着明显缺点,那便是在初始和更新查询阶段存在着极大的开销。文章直接针对这个问题,以节能为目的,提出引入选择节点转发的方法来改进定向扩散路由协议。最后通过模拟实验得出的结果显示改进后的定向扩散路由协议能节省能量17.8%。改进后的定向扩散路起到了很好的节能效果。     

金属微细结构化学镀镍及镀液稳定性分析

化学镀镍技术是一种有效的表面微机械加工艺,为此介绍了碱性溶液中硅表面化学镀镍的工艺过程及其镀液稳定性测试方法.化学镀镍是一个表面自催化的氧化还原过程,基底表面的前处理十分关键,对整个实验过程有着决定性影响.半导体硅表面没有催化活性,施镀之前要对基底先进行活化处理,但在处理过程中不可避免引入的少量钯粒子以及从基底表面扩散到镀液中的镍粒子都具有很强的催化活性,使镀液在瞬时分解,析出海绵状镍,导致镀液失效.因此,应合理选择稳定剂以阻止自分解反应,使镀液稳定.实验结果表明,在相同施镀条件下镀液的稳定性随时间、装载比的变化而发生显著变化.     

一种基于游程码的并行区域标记算法

区域标记是图像处理中常用的方法,为了满足实时图像处理要求,提出了一种基于游程码的并行区域标记算法.该算法采用带状方式划分子图,各计算节点先通过基于游程码的方法对子图进行本地标记,然后管理进程再通过计算子图边界游程码的连通关系完成全局标记.实验表明,该算法结果正确,性能较好,效率较高,具有近似于线性的加速比。     

晶片键合质量的红外检测系统设计

基于晶片的红外透射原理,设计并搭建了晶片直接键合质量红外检测装置,并利用图像处理技术开发了相应的软件模块,可以快速获取键合界面的特性参数,如空洞分布、大小及键合率等,从而实现晶片直接键合质量的快速评估.同时,将该红外检测装置与硅片键合装置结合一体,可以实时监测硅片直接键合工艺.通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量,包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较,可以有助于理解晶片键合的机理,实现键合工艺的优化.     

基于结构光的定位抓取系统设计

针对多种类、形状各异、散乱放置、高度不一致的异构件在弱纹理、反光等复杂场景中难以实现精确抓取的问题,开发设计了一套双目结构光定位抓取系统。在相机标定获取相机参数后,通过双目结构光实现异构件的三维重建,再创建点云模板与三维点云进行配准,获取抓取位姿,最后控制机器人完成抓取。实验结果表明,左右相机标定的误差为0.05 pixel和0.04 pixel,手眼标定的旋转均方根误差为0.146°,实现了异构件的抓取,验证了整体方案的可行性。     

超短脉冲激光烧蚀熔融硅的理论模型

在Fokker_P1anck方程的基础上,对超短脉冲激光烧蚀熔融硅的机理进行分析研究,建立了雪崩电离、多光子吸收电离导致的熔融硅烧蚀机理的数学模型.其计算得出的激光能量密度和临界烧蚀阀值与实验结果很好的吻合,定量解释了超短脉冲激光对熔融硅烧蚀损伤微观过程的影响.