SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形 Ⅱ.集成光学调制器

本文利用集成光学和光纤技术制作了集成光学调制器,驱动调制器的电压仅为４伏,配之以高稳定的、ＬＤ泵浦的单纵模振荡源和任意整形电脉冲源,大大提高了ＩＣＦ固体激光驱动器前级整形系统对激光脉冲整形的稳定性和灵活性．     

高效Nd:S-VAP激光器的特性研究

报道了激光二极管泵浦高效ＮｄＳ－ＶＡＰ激光器输出特性的研究结果。激光晶体掺钕浓度为～３％，厚度为２．６ｍｍ，基横模输出功率为２３３．０ｍＷ，斜率效率为４２．２％     

KTP内腔倍频YAG激光器

我们研制了一台KTP内腔倍频YAG激光器,输出平均功率达8.9W,脉宽70ns,发散角5mrad。 内腔倍频YAG激光器是获得高平均功率绿光的有效方法之一,但在钛氧磷酸钾(KTiOPO_4)出现以前,大多采用LiIO_3、LiNbO_3和Ba_2NaNb_5O_16作为倍频晶体。它们或者由于倍频系数不够高,或者由于破坏阈值低,或者由于使用条件苛刻等原因,倍     

半导体制冷式电子冰箱的高精度温度控制电路

近几年，半导体制冷式电子冰箱出口越来越多，但退货现象也逐渐增多，其主要原因是采用半导体制冷器的产品制冷能力的不稳定。本文下面介绍一种针对半导体制冷式电子冰箱的高精度温度控制电路。     

6H-SiC单晶的生长与缺陷

采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的条件下,生长了尺寸ф50．8mm的6H—SiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察,发现了SiC晶体内的典型缺陷,如：负晶、微管、碳颗粒等,并对它们的形成机理进行了讨论。     

莫来石纤维多孔陶瓷负载性能研究

用酸性偏磷酸盐作粘结剂、加压排液法成型制备了孔隙率高达96％的莫来石纤维多孔陶瓷，采用真空浸渍法，对其负载稀土复合金属氧化物La0.8Sr0.2CoO3的性能进行了研究，考察了浸渍时间、浸渍次数对负载量的影响，得出最佳浸渍时间为60min，浸渍次数为2次。通过扫描电镜(SEM)表征了内部架构，最后指出莫来石纤维多孔陶瓷有望成为具有较好效果的新型催化剂载体。     

陶瓷烧成中SOx的排放及降低SOx的方法

本文分析了陶瓷烧成过程中S0x的主要来源以及降低SOx排放的方法。同时，还简要介绍了目前主要的几种SOx排放处理方法．并对减少我国陶瓷窑炉燃烧带来的污染提出几点建议。     

陶瓷辊道窑宽断面需解决的问题

分析了辊道窑的窑宽对产量、窑内气体流动阻力等的影响以及由于断面的增大而带来的温差问题 ,并提出了解决宽断面窑炉温差的办法     

光活性二氧化钛涂层的研究与制备

本文介绍了制备光活性TiO2涂层的两种主要方法，并就一些影响因素进行了简单的讨论。