MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究

本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz.     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

高效Nd:S-VAP激光器的特性研究

报道了激光二极管泵浦高效ＮｄＳ－ＶＡＰ激光器输出特性的研究结果。激光晶体掺钕浓度为～３％，厚度为２．６ｍｍ，基横模输出功率为２３３．０ｍＷ，斜率效率为４２．２％     

高功率半导体激光器端面泵浦Nd:YVO_4固体激光器热致损耗的研究

本文提出了一种测量端面泵浦固体激光器热致损耗的方法．研究了Ｎｄ（３＋）浓度分别为０．５％和２％两种Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体,基模半径与泵浦光斑半径之比Ｗ１／Ｗｐ分别为０．５和１情形下热致损耗随泵浦功率的变化,结果表明：热致损耗随泵浦功率的增加而增大,且强烈依赖于Ｗ１／ＷＰ;大的基模半径会导致严重的热致损耗．Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体的Ｎｄ３＋浓度对热致损耗也有很大影响,在大模半径情形,高浓度晶体的热致损耗远大于低浓度晶体,而且对于Ｗ１／Ｗｐ的依赖更为强烈．     

对监理公司若干问题及对策思考

监理单位是专业化、社会化的中介服务机构，受业主的委托，以自身的专业技术、管理技术有效地控制工程建设项目的进度、质量、投资，公正地管理和履行合同，使工程建设项目的总目标得以最优实现。所以，监理公司是一个服务型企业，我们的产品就是我们公司技术人员的服务，而我们的顾客就是建设单位，他们需要利用我们的知识经验为他们建设工程的整个过程进行监督，管理；对成本、进度、质量、安全进行全面控制。     

跨流域调水工程经济效益的概率分析

利用数理统计和概率分析的基本原理，针对跨流域调水工程的特点，提出依据水文统计资料进行跨流域工程经济效益概率分析的水文统计资料方法，并结合跨黄、淮、海流域调水工程的实例，分析验证该方法的科学性和可行性     

预辐照F_(46)薄膜同甲基丙烯酸-二乙烯基苯水溶液体系的接枝共聚

研究了预辐照F_(4σ)薄膜同甲基丙烯酸-二乙烯基苯水溶液体系的接枝共聚。电子预辐照剂量为(3～8)×10~5rad,接枝温度为80°～95℃,接枝时间随温度和剂量而定。 为了确定单体水溶液的合理配方,进行了甲基丙烯酸-二乙烯基苯-水三元体系的相图研究。 由所得接枝物可制备电化学性能优良、机械强度高的离子交换膜。其主要性能如下:交换容量:2～3meq/g,比电阻:50～100Ω-cm,选择透过性:95～98％,抗拉强度:≥160kg/cm~2。     

浅谈人工神经网络在辊道窑控制和检测中的开发研究

本文对人工神经网络及其在工业中的应用进行了简要介绍．并结合当前辊道窑监控技术的现状，初步探讨了神经网络技术在辊道窑监测中的应用策略与应用前景。     

KTP内腔倍频YAG激光器

我们研制了一台KTP内腔倍频YAG激光器,输出平均功率达8.9W,脉宽70ns,发散角5mrad。 内腔倍频YAG激光器是获得高平均功率绿光的有效方法之一,但在钛氧磷酸钾(KTiOPO_4)出现以前,大多采用LiIO_3、LiNbO_3和Ba_2NaNb_5O_16作为倍频晶体。它们或者由于倍频系数不够高,或者由于破坏阈值低,或者由于使用条件苛刻等原因,倍     

非线性光学新晶体——二溴三丙烯基硫脲合镉(ATCB)

本文首次报道了一种非线性光学新材料——二溴三丙烯基硫脲合镉(化学式:Cd(C_4H_8N_2S)_3Br_2,简称ATCB)晶体。介绍了采用降温法自水溶液中生长的过程。已生长出的单晶尺寸为20×20×20mm。研究了ATCB单晶的性质。