配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究

报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。     

人工晶体跨世纪的10年(1995～2005)

我国人工晶体的研究自改革开放以来发展很快,在国际上占有一席之地。进入21世纪,飞速发展的科学技术特别是信息技术、生物技术和纳米科技对社会和经济发展起着日益重要的作用,人工晶体作为高科技领域和现代军事技术不可替代的关键材料,越来越受到各国政府和科学家的重视。立足国际前沿,我国人工晶体10年来也取得长足的发展。     

Preliminary Study on Electrical and Optical Properties of ZnO Film Grown by MOCVD

1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｎＯｉｓａｗｉｄｅ ｇａｐ ( 3.2ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ)ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｈａｖｉｎｇｔｈｅｗｕｒｔｚｉｔｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗｉｔｈｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ .Ｉｔｈａｓｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄａｓａｐｒｏｍｉｓ ｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓｉｎｔｈｅｎｅａｒｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ａｎｄｂｌｕｅｓｐｅｃ ｔｒａ .ＡｎｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｆｅａｔｕｒｅｏｆＺｎＯｉｓｉｔｓｌ…     

三种无铅高压陶瓷电容器瓷料的研制

通过正交实验，分析讨论了Ｂｉ２Ｏ３．３ＴｉＯ２，Ｋ２ＣＯ３，ＭｇＯ等四种添加物对（Ｓｒ，Ｂａ）ＴｉＯ３基电容器瓷料性能的影响，试制了三种无铅高压电容器瓷料，耐压超过８ＫＶ／ｍｍ，主要性能均已达国际ＧＢ５５９５－８５。     

BP神经网络对快烧瓷质砖烧成工况辩识的研究

本文简述了ＢＰ神经网络结构与算法,利用ＢＰ神经网络对实验电炉焙烧瓷质砖的烧成工况进行了辩识实验,取得了较满意的辩识结果,并提出选择辩识参数时应选对烧成工况取关键作用的参数,以提高辩识模型的识别率。     

利用工装修正尺寸精度

1．零件难点分析 我们承接加工的产品中，曾遇到一个这样的零件加工，见图1： 这个零件的关键尺寸是必须保证外圆直径与4-φ3．2mm的位置度在0．02mm内，与端面垂直度在0．02mm内，根据常规的加工方法，为了确保这两个关键尺寸，必须是先精加工好外圆尺寸，然后以外圆为基准来加工4-φ3．2mm。     

机械制造业和绿色设计的可持续发展

阐述了我国机械制造业的发展现状及在可持续发展方面主要存在问题,可持续发展产生的背景及意义,绿色设计在机械制造业中的重要作用,指出了可持续发展是机械制造业发展的必然要求,而绿色设计是机械制造业走可持续发展道路的必然模式。     

控制技术在空瓶检测过程中的应用

空瓶检测机主要用于检测回收的饮料瓶的缺陷、赃物、残留液等,在现代化的高速的饮料生产包装线上,空瓶检测机是不可缺少的高科技设备之一.是集光、机电、传感技术、图像处理与识别为一体的综合性高科技设备.介绍了空瓶检测机的工作原理及控制技术在空瓶检测机的应用.着重介绍了基于PLC的控制系统基于DSP的控制系统以及基于视觉传感器的...     

MOCVD Growth of Doped GaAs/AlGaAs Quantum Heterostructures

The influences of growth techniques of AP-MOCVD GaAs/AlGaAs silicon-doped multi-quantum wells(MQWs), heterostructure bipolar transistors (HBTs), double barrier resonant tunneling diodes(DBRTDs) ontheir structures and performances were studied. Continuously grown MQWs, that is, no growth interruption atthe heterointerfaces, shown blue-shifted, narrower and stronger photoluminescence(PL) compared withinterruptedly grown ones.TEM examination of the interrupted interfaces revealed a bright line correspondingto the compositional fluctuation and impurity adsorption, and indicated noncommutative structures ofAlGaAs/GaAs and GaAs/AlGaAs interfaces. High performance HBTs and DBRTDs were obtained bycontinuously grown method while growth interruption caused performance degradation. It was concluded thatgrowth interruption may cause accumulation of residua1 impurities in the ambient as well as compositionalfluctuation while continuous growth at very low growth rates can overcome such problems.     

Ce对过共晶Al—Si合金熔体粘滞性和结构的影响

研究了Ce对Al—16％Si合金熔体粘滞性的影响。结果表明：Ce的加入增加了合金熔体的粘度，且随着Ce含量的增加粘度值也增加。结合加入Ce的Al—16％Si合金氢含量的变化、凝固组织和DSC曲线研究了熔体结构的变化，分析了粘度与液态结构变化之间的关系。