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71.
通过DSC、SALS等研究了PBO/PPA液晶溶液的多种有序结构及其转变过程。结果表明,PBO/PPA体系在85℃左右发生明显的质子化作用,质子化的PBO大分子与溶剂PPA阴离子形成有序相;由于体系吸湿程度的不同,会形成两种有序相,分别在140℃~150℃和180℃~200℃该两种有序相被瓦解,向本体PBO结晶相过渡。这种转变是可逆的,降温后在溶剂存在下,一定长时间后又可形成上述两种有序相。  相似文献   
72.
以三氯甲烷/二甲基亚砜混合溶剂,制备不同组成聚苯胺-十二烷基苯磺酸/聚丙烯腈(PANI-DBSA/PAN)的共混溶液。对共混溶液的流变性能进行了测试,并研究了PANI-DBSA含量对共混溶液表观粘度、非牛顿指数及结构粘度指数的关系。结果表明:PANI-DBSA含量对共混溶液的表观粘度影响比较复杂;溶液的非牛顿指数随着PANI-DBSA的增加而减小;当PANI-DBSA的质量分数高于5%时,共混溶液可纺性较差。  相似文献   
73.
高分子结构分析方法概述(上)   总被引:2,自引:0,他引:2  
高分子结构分析是利用现代分析技术,特别是仪器分析方法,测定高分子的链结构和聚集态结构,探讨结构与性能的关系以及在合成、加工与应用过程中聚合物结构变化规律的一门技术,是高分子科学的重要组成部分。笔者结合高分子研究领域中的一些最新研究动态,简要概述了高分子结构分析的一些主要方法。  相似文献   
74.
十二烷基苯磺酸钠掺杂的聚吡咯吸波性能研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为掺杂剂采用乳液聚合法合成了不同掺杂率的聚吡咯.通过元素分析n(S)/n(N)表征了所得聚吡咯的掺杂率,并测试了不同掺杂率的聚吡咯的电导率,发现电导率随掺杂率的增加先增大后下降.以掺杂聚吡咯为吸波荆制备了环氧树脂复合材料,并测试了其在X波段的电磁参数.由单层平行板模型 计算出复合材料的吸波性能,结果表明,当n(SDBS)/n(Py)=0.2(Py为吡咯单体)的掺杂聚吡咯(PPy)在复合材料中的含量为20%时吸波性能最好,即当样品厚度为2.3mm时其反射损耗最小,达到-14.8dB,且在9.5~11.6GHz的频宽范围均低于-10dB.  相似文献   
75.
江建明  顾新洪 《建筑》2014,(17):69-70
铝塑板与岩棉一体复合板采用一种粘-锚法的施工方法,工序简单、易于操作,相比传统采用干挂法施工,在成本、进度、质量方面有显著的优点,可大面积推广使用。  相似文献   
76.
高分子结构分析是利用现代分析技术,特别是仪器分析方法,测定高分子的链和聚集态结构,探讨结构与性能的关系以及在合成、加工与应用过程中聚合物结构变化规律的一门技术,是高分子科学的重要组成部分。笔者结合高分子研究领域中的一些最新研究动态,简要概述了高分子结构分析的一些主要方法。  相似文献   
77.
采用表面接枝和聚合改性的方法,分别以γ-缩水甘油醚氧丙基三甲基硅烷(GPS)和甲基丙烯酸甲酯(MMA)对纳米二氧化钛(TiO_2)进行表面修饰,通过熔融共混制得聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/GPS- TiO_2和PET/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)-TiO_2纳米复合材料,用差示扫描量热法研究了其复合材料的非等温结晶行为,利用不同动力学模型对其结晶过程进行处理。结果表明:未处理的纳米TiO_2提高了PET的熔融温度和结晶温度;而经表面接枝的GPS-TiO_2和PMMA-TiO_2对PET的熔融温度和结晶温度的影响并不显著;不同表面特性的纳米TiO_2降低了PET的结晶度,但经表面接枝后的纳米TiO_2其影响程度减弱;用Jezi- omy法和莫志深法处理PET/TiO_2纳米复合材料的非等温结晶过程比较理想,PET,PET/PMMA-TiO_2,PET/ TiO_2,PET/GPS-TiO_2复合材料的结晶速率依次减小。  相似文献   
78.
合成了一种新型磷-氮阻燃剂N,N′-哌嗪四苯氧基氨基磷酸酯(PTPP),将PTPP与三聚氰胺氰脲酸盐(MC)的复合物添加到聚酰胺6(PA6)中,发现复配体系的阻燃性能优于添加单一PTPP或MC的体系。添加8%的PTPP和11%的MC可使PA6的极限氧指数提高到29%,阻燃级别达UL94V-O级。采用热重分析研究了不同组分的热降解行为,通过扫描电子显微镜和傅立叶红外光谱仪研究了高温氧化后的炭层形态及其组成变化。结果表明,PTPP与MC并用可在气相和凝聚相同时发挥阻燃作用。  相似文献   
79.
嵌段聚合物热塑性弹性体的结晶结构与性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
简述了嵌段聚合物热塑性弹性体的分类,综述了其结晶结构的研究方法,以及综述了嵌段聚合物热塑性弹性体的化学组分,结晶结构与性能的关系。  相似文献   
80.
单片集成MEMS技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了单片集成MEMS技术相对传统混合(hybrid)方法的优势;分析了单片集成MEMS技术实现的难点,同时,给出了目前与CMOS工艺兼容的多种单片集成MEMS的技术特点、工艺流程;详细阐述了目前各种post CMOS技术。最后,给出单片集成MEMS技术的未来发展趋势。  相似文献   
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