PVT法同质籽晶AlN晶体生长

为了获得高质量AlN晶体,通过物理气相传输(PVT)法,采用AlN籽晶进行AlN晶体生长,并通过双温区加热装置对衬底与原料之间的温差进行调节。研究结果表明,籽晶形核阶段,随着AlN籽晶与原料顶温差的减小,AlN的形核机制呈现三种模式,分别为岛生长模式、畴生长模式和螺旋位错生长模式;晶体生长阶段,通过增加AlN籽晶与原料顶温差来提高晶体生长速率,采用10℃/h的变温速率将温差从10℃增加为30℃时,AlN晶体生长模式不变,仍然保持螺旋位错生长模式,该生长模式下获得的AlN晶体结晶质量最高,(0002)面摇摆曲线半峰宽(FWHM)约为55 arcsec。     

锂离子电池正极材料LiFeSO_4F的研究进展

简述了硫酸氟铁锂结构,详细讨论了硫酸氟铁锂两种不同的晶体结构和性能的关系。重点综述了离子热法、固相法、传统陶瓷烧结法、放电等离子烧结等硫酸氟铁锂的制备方法,分析了各方法之间的优缺点,并阐释了关于硫酸氟铁锂的改性方面的研究。     

3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

报道了采用物理气相传输(PVT)法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展,成功研制得到固态微波器件急需的3英寸(75 mm)半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术,进行了3英寸(75 mm)4H-SiC晶体生长的热场设计,并在此基础上研制出适合3英寸(75 mm)4H-SiC PVT生长的晶体生长设备,采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试,结果均为单一的4H晶型,采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法测得晶片电阻率为109~1012Ω.cm。微管道缺陷(MPD)测量采用熔融KOH腐蚀法,测得平均微管道密度为104个/cm2,其中晶片的30%区域微管道缺陷小于10个/cm2。使用X射线双晶衍射测试得到其半高宽(FWHM)为31 arcsec,说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。     

咸丰重质碳酸钙的干法改性研究

以咸丰重质碳酸钙(heavy calcium carbonate)为原料,高分子乳液为改性剂,通过干法改性制备了改性碳酸钙.采用单因素实验设计探讨了改性剂用量对碳酸钙改性效果的影响,结果分析表明,当改性温度为80℃,改性时间为50 min,转速为500 r/min,高分子乳液用量为咸丰重质碳酸钙质量的3％时,改性碳酸钙的活化率达90.8％,改性效果较好.利用FT-IR、XRD、SEM、Zeta电位对碳酸钙进行表征,结果表明,高分子乳液己成功接枝到碳酸钙表面.改性碳酸钙的特征衍射峰向高角度偏移,但高分子乳液改性并未改变响碳酸钙晶型.改性碳酸钙的Zeta电位从14.1 mV提高到29.8 mV,粒径较小,分散性有所增强.     

褐煤腐植酸磺化工艺研究

以褐煤腐植酸、Na2SO3、NaOH为原料对褐煤腐植酸进行磺化改性;采用电导法对其磺化度进行测定;通过考察固液比、反应时间、反应温度对磺化腐植酸磺化度的影响获得最佳工艺参数：磺化剂与腐植酸钠溶液的液固比2：20、磺化温度50℃、磺化时间90min;产品磺化度为17．7％;红外光谱表明,磺化腐植酸中磺酸基团明显增多,确实发生了磺化反应。     

ICP-AES在牲畜中毒案件侦破中的应用

使用千法灰化或高压溶样器对与牲畜中毒有关的样品,包括骡血,骡肝脏,胃内物,玉米秸,野草及野草土进行处理,采用ICP-AES对其中的铅进行测定,样品中的铅含量明显超出文献报道值。     

纳米硼粉的改性及其对硼/硝化棉纳米纤维的影响

为了改善硼粉在含能材料中的分散性,用3-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-550)对纳米硼粉进行改性,并用静电纺丝法制备了硼/硝化棉(B/NC)和改性B/NC纳米纤维;用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能谱仪(EDS)对样品进行了表征,用TG-DSC联合热分析仪对硼粉及改性前后的硼/硝化棉纳米纤维的热性能进行了分析。结果表明,改性对硼粉的粒径影响不大,改性后的硼粉在硝化棉纳米纤维中分散更均匀,纤维粗细相对均匀,改性前后硼/硝化棉纳米纤维的平均直径均为350nm左右;TG曲线表明,随着改性硼粉在NC中分散性的改善,B/NC纳米纤维和改性B/NC纳米纤维中的硼质量增加比原硼粉多46.53%和74.3%;与硼粉放热峰峰温相比,B/NC纳米纤维和改性B/NC纳米纤维中硼的放热峰峰温分别降低37.4℃和71.9℃。     

基于有限元方法的塔机桁架结构屈曲分析

以塔式起重机的金属结构为主要研究对象,借助有限元平台,从简单杆件的分析入手获得了可行的线性屈曲与非线性屈曲分析的方法与流程,进而以此为基础从不同侧面对塔机桁架结构的屈曲问题进行了详细分析.研究结果表明：考虑载荷偏心和初始位移非线性屈曲分析的结果要比线性特征值屈曲分析的结果更符合实际状态.在塔机上计算时只考虑5％的载荷偏心就使结果比原来小了33％,而在实际情况中由于小车轨道不平、风载荷等原因引起的载荷偏心可能会更严重.     

PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究

在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B,利用二次质谱(SIMS)对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试,结果发现晶片中V和N的含量都在1×1017量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况,而当V含量在1×1017量级,N含量在5×1016量级以下时,可制备电阻率均匀性好的半绝缘SiC单晶。     

基于演化博弈机制的物理层安全协作方法

在无线网络中,当利用经典博弈机制研究物理层安全时,能量受限的发送端为了最大化自身安全速率,趋向于选择非协作策略,造成网络的安全速率降低。针对这一问题,该文提出一种基于演化博弈机制的物理层安全协作方法。首先,根据演化博弈机制定义策略(发送人工噪声或信号)和收益(不同策略组合下的安全速率);然后,发送端根据当前网络状态以及协作收益与平均期望收益的差值,不断进行策略调整以最大化收益;最后,通过求解获得使发送端达到协作稳定策略的条件,使网络从不稳定状态向协作稳定状态演化,从而提高了系统的安全速率。仿真和分析结果表明,在高斯信道条件下,相比经典博弈方法,该方法的发送端策略稳定在协作状态,网络安全速率可提高1 bit/(s Hz)。