黎曼引理在奇异信号分析中的讨论

讨论了黎曼引理对无界且可积和绝对可积函数是否成立的问题．给出了一个黎曼引理不成立的反例．并给出了一个新的黎曼引理．     

变压器空载合闸励磁涌流的仿真分析研究

变压器在轻载或者空载的情况下合闸通电的时候,可能变压器的一次侧绕组中流过励磁涌流。励磁涌流出现的原因是在变压器铁芯被拖入饱和区甚至是深度饱和区,励磁涌流对变压器自身和对电网中的电能质量都有不利影响。基于Matlab对单相变压器和三相变压器的合闸涌流进行了仿真研究,同时对变压器空载合闸涌流的特性进行了深入的分析,对变压器差动保护的精确整定,以及对变压器空载合闸励磁涌流的抑制方法提供了突破口。     

多端口基本单元元件群论导出、实现与应用

证明了(p+q)端口变压器当p=q=n时的2n端口变压器集合IT(2n)构成群,在此基础上,利用子群一陪集的概念导出一类基本多端口电网络元件——(p+q)端口回转器,并且用电路实现了(p+q)端口回转器,证明了(p+q)端口回转器实现现有电路元件具有很强的优越性.证明了(p+q)端口回转器是基本多端口单元元件.     

基于行波的电力电缆故障测距方法

在比较了行波测距法与阻抗测距法 ,并发现在电力电缆故障测距中行波测距法优于阻抗基础上 ,综合分析了各类行波故障测距方法的优缺点及近几年国内外行波故障测距方法的特点 ,构想了行波法今后发展的方向和小波分析在电力电缆行波测距方法中的应用     

正定导纳和阻抗参数矩阵的实现

将非对称正定导纳和阻抗矩阵分解成对称矩阵和斜对称矩阵，且证明了分解的对称矩阵与非对称矩阵的正定性相同。然后用（ｐ＋ｑ）端口变压器分别实现对称矩阵和斜对称矩阵后并联或串联两矩阵的网络即得非对称正定导纳和阻抗矩阵的网络；解决了以往不能综合非对称正定导纳和阻抗矩阵的问题。『     

运用共模响应整形技术实现恒跨导全摆幅运放

本文提出了一种运用“共模响应整形技术”实现的恒跨导全摆幅运放。该运放在全摆幅的动态工作范围内，输入级跨导基本保持不变。CMOS工艺参数的变化对跨导变化率的影响很小。输出级采用AB类结构，实现了全摆幅输出。     

2n端口旋转器与反照器的群结构研究

证明了 2n端口旋转器集合RO(2n)构成群 ,而 2n端口反照器集合RF(2n)不是群 ,但 2n端口旋转器集合与反照器集合构成的集合RR(2n) =RO(2n)∪RF(2n)构成群 .根据群RO(2n)可以分解为两个子群或多个子群的直积与集合RF(2n)是群RR(2n)的子群RO(2n)的陪集 ,给出了用 (2 × 2 )端口旋转器和反照器直积实现2n端口旋转器和反照器的原理电路     

可控三相电抗器IGBT电路实现过渡分析

对可控三相电抗器IGBT电路实现的过渡过程进行仿真分析。在实验电路起始参数的基础上,研究负载电容对过渡过程的影响,结果表明负载电容足够大时,过渡过程时间可降为零。各电抗器可控电容相等时,电抗器可控电容越大所对应的的负载电容临界值也越大,且两者之间的比例关系随电容增大呈变小趋势,这是由IGBT器件电容效应引起的。最后,分别分析了靠近电源端的可控电容和靠近负载端的可控电容对可控电抗器过渡过程的影响,结果表明靠近电源端的电抗器可控电容对过渡过程影响较大。     

二端口变类器原理分析及电路实现

分析了二端口类型Ⅰ和类型Ⅱ的C-L变类器、R-C变类器及R-L变类器变量映射关系,并且引用微分算子给出了二端口类型Ⅰ和类型Ⅱ的C-L变类器、R-C变类器及R-L变类器的微分算子传输矩阵方程,同时实现了C-L变类器和R-L变类器电路。实现的电路变换结果表明:通过二端口C-L变类器电路可以用电容C实现电感L,通过二端口R-L变类器电路可以用电阻R实现电感L。