基于AMESim 某风洞柔壁喷管液压系统仿真及优化

为解决某风洞柔壁喷管液压系统从高压锁紧状态切换到低压回零工况时执行机构冲击过大的问题,对系统加装卸压控制回路进行改进.基于AMESim建立改进前后系统仿真模型,分别对其工作过程进行模拟分析,同时利用遗传算法对卸压时间进行优化.结果表明,优化后模型在节约能源的同时能有效减小执行机构冲击.     

故障预测与健康管理系统研究与应用现状分析

当前武器装备不断朝着信息化、复杂化、智能化方向发展,为了以更加高效的方式保障和服务好现代化战争,武器装备在维修过程中需要快速、精准、便捷。故障预测与健康管理(Prognostics and Health Management, PHM)的提出和相关技术的发展为解决装备状态信息的实时感知,维修保障需求的快速响应提供了有效技术途径,将成为信息化、智能化时代装备保障的主要模式。分析了PHM系统及其技术、方法在国内外航空、航海、国防及工业等领域中的运用,涵盖传感器技术、嵌入式测试诊断技术、信息传输技术、数据挖掘与融合技术、健康管理与寿命预测方法、智能维护与维修决策技术等。总结和分析了我国PHM发展现状与趋势,对其发展提出了合理化建议。     

单向实时数字视频传输中帧同步锁定技术研究

提出一种适用于单向实时数字视频传输系统的帧同步锁定方案。其方法在接收端采用本地参考时钟、状态机、锁相环，并结合CIMT编码方式实现系统自动维持帧同步锁定，而无需周期性加入帧同步码。对该帧同步锁定方案与周期性加入帧同步码强制锁定方案进行性能比较．并将其应用到单向实时数字视频光纤传输系统中。实验证明，系统自动实现帧同步锁定的方案是单向实时数字视频传输系统实现帧同步锁定的最佳方案。     

舰载电子战系统雷达电磁环境仿真

将舰载电子战系统的雷达电磁环境以ＰＤＷＡ的集成流描述，并在此基础上建立ＰＤＷ形式的雷达脉冲模型，通过计算机软件仿真出舰载电子战系统在现代战场上将遇到的雷达电磁环境。     

锥形阀压电薄膜泵的初步研究

提出一种适应高频工作状态的压电薄膜泵结构，实步分析了所采用的锥形阀的工作原理与作用，设计了试验泵结构，加工了样机，通过试验证明了锥形阀的有效性，为进一步的研究打下了基础。     

浅议阀控式密封铅酸蓄电池对温度的敏感性

分析了相对标准温度下的低温，高温和浮充过压，欠压对阀控式密封铅酸蓄电池造成严重危害的原因；阐明了阀控电池对环境温度的敏感性主要表现为当环境温度偏离标准温度时将会使寿命锐减或容量陡降；指出在阀控电池室内安装空调，并调至标准温度是解决这一问题的最佳选择。     

CA6110ZLA3柴油机达欧Ⅱ排放标准的试验研究

阐述了CA6110ZLA3型车用柴油机排放控制方法;提出了具体的技术措施;通过提高喷油压力,改善喷油速率及喷 雾质量,延迟喷油定时,优化匹配涡轮增压器及改进燃烧室形状等技术进行优化匹配试验,NOx和PM排放值分别由 7.8g/(kW·h)和0.36g/(kW·h)降到6.8g/(kW·h)和0.14g/(kW·h),使该型柴油机排放达到了欧Ⅱ标准。     

一类多输入多输出系统的有限时间整定适应观测器

在这篇论文中,所探讨的是关于多输入多输出系统的有限时间整定适应观测器的一种设计方法。这一方案的提出是以多变量系统规范状态空间表示法为基础的,而且它是从描述线性时不变系统的差分算子矩阵中获得的。这种参数的计算和状态估计源出于一种连续算法。这种算法利用求伪逆矩阵方法获得了线性代数方程AX=Y的最小平方最小范数的解。用一个简单的例子就可说明所提出算法的优越性。     

高功率半导体激光器技术发展与研究

高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展.近年来在高功率阵列半导体激光器模块化技术、超高效率、高效冷却技术、半导体激光器及阵列的光束质量优化、高效电源驱动技术等方面都取得了长足的进步,促进了其广泛应用.将结合高功率半导体激光国家重点实验室的研究工作,概述近年来国内外半导体激光器技术的研究进展状况和发展趋势.     

0.18μm SOI工艺技术

最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μｍＳＯＩ工艺技术。通过这种技术 ,由ＣＭＯＳ器件实现 2 5Ｇｂ/ｓ的超高速通信用ＩＣ。而且 ,业已证实采用大容量ＳＲＡＭＴＥＧ (ＴｅｓｔＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ :特性评价器件 )有可能实现大规模高速ＬＳＩ。1　局部沟槽隔离技术(ａ) 0 18μｍＳＯＩ技术的开发情况所谓的ＳＯＩ技术 ,就是在Ｓｉ基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (ＳＯＩ层 )结构。与普通的Ｓｉ基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,ＳＯＩ器件则是在薄的ＳＯＩ层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 …