关于用户作被叫听空号等异常录音通知的投诉情况分析

目前,智能手机的普及带来了一些新的问题和投诉。主要是用户终端的功能更多更复杂,以致用户自己设置或骚扰电话拦截软件设置,都可能造成用户被叫失败或异常。本文分析了产生此类问题的根源,描述了信令流程跟踪分析的过程。及时解决用户的投诉,能提高用户对网络质量的满意度。     

新型城镇化背景下的城市新区路名规划编制探讨——以济南东站片区为例

随着我国新型城镇化进程的推进,城市建设由粗放型扩张向着重品质的精细化方向转变,新增道路名称编制愈加受到重视。从文化角度实现"人的城镇化",延续文脉,留住乡愁,把城市历史文化融入生活,是路名编制过程中需考虑的关键。文章以济南东站片区为例,在分析其典型特征的基础上,以"地理指位""地域文化"和"愿景期望"为主要命名原则,注重历史和文化的传承。该片区道路命名是当地政府部门调整道路命名审批程序的首批实践,整个过程融合了规划、文化和民政等部门的相互协作,以期对相关规划工作有所启发。     

超声波处理对鲢鱼鱼肉蛋白性质的影响

研究了超声功率和超声处理时间对鲢鱼肉蛋白性质的影响。结果表明,160 W~320 W超声作用15 min,鱼肉蛋白的溶解度、乳化性及乳化稳定性、起泡性及气泡稳定性随超声功率的提高均呈现先增大后减小的趋势,溶解度、乳化性及乳化稳定性在240 W超声作用时最高;起泡性及气泡稳定性在超声功率160 W时最高。160 W超声作用5 min~25 min,鱼肉蛋白的溶解度、乳化性及乳化稳定性、起泡性及气泡稳定性随超声作用时间的延长均先增大后减小。其中,溶解度、乳化性、起泡性及气泡稳定性在超声作用10 min时最高;乳化稳定性在超声作用15 min时最高。由此说明,超声波处理会导致鱼肉蛋白性质改变,且与超声作用功率和时间有一定的相关性。     

基于AVR16单片机控制的停车场管理系统

设计了一款基于AVR16单片机为控制中心的新型停车场管理系统,采用多片AVR单片机ATmega16作为从机采集磁阻传感器检测到的停车位信息,利用一片ATmega16单片机作为主机接收从机传送的数据.系统处理完数据后由显示器显示停车场的停车位信息。通过实验证明,该系统具备了自动开启大门功能、停车位实时显示功能、查询功能和打印功能,而且收费方式可以调节,使系统更具灵活性。整个系统操作简单、价格低廉、安装调试方便。能够满足管理停车场的要求。     

PDA在油井生产管理中的应用探讨

通过对PDA的性能及其特点的分析,探讨PDA在油田生产中应用的功能和方式,提出了架构油井生产移动管理系统的设想。     

截断流管式反应器中亚微米球形银粉的制备

研究了以银氨溶液和抗坏血酸溶液为原料,在截断流管式反应器中制备亚微米球形银粉。试验验证了在截断流管式反应器中还原制备亚微米球形银粉的可控性,考察了反应物浓度、搅拌速度、反应时间、温度等条件对银粉颗粒及形貌的影响。结果表明:在适宜条件下,用银氨溶液和抗坏血酸溶液可制备亚微米级银粉,所得银粉分散性好,主要约0.3μm。该方法简单易操作,银粉颗粒均匀可控。     

人体感知电流阈值与脑电图特征的关联研究

在电气产品的漏电安全性能测试中,人体感知电流是最重要的指标之一.传统上,人体感知电流阈值的测定完全依赖受试者的主观感受,可靠性、一致性较差.依据脑电活动机理建立了实验研究方案,获得了382组实验数据,探索了脑电特征与感知电流阈值的关系.研究发现:时域脑电图经快速傅里叶变换后,频域特性与感知电流阈值之间存在明显的关联:绝大多数人通电前后脑电特征确有明显变化,该变化包含a波或b波幅度抑制或增强,但其明确的对应变化规律,尚待进一步深入研究,研究结果将有助于对电气安全性能的客观认定.     

结构抗震拟动力试验的发展与现状综述

我国是一个地震灾害较频繁的国家,在地震的影响下,经济发展和生态环境都受到了巨大的损失,因此,地震活动较强烈的地区的建筑结构应对地震有很好的防范作用。经过数次强震灾害后,对于建筑结构抗震的重视程度越来越高。目前,已经产生了数种结构抗震试验方法,各种试验方法在进行结构抗震试验时都有其优劣性,简要介绍现如今使用最为广泛的3种结构抗震试验方法,并针对拟动力试验方法具体阐述其发展与现状。     

Ar/CHF_3反应离子束刻蚀SiO_2的研究

介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响。使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图形,采用Ar CHF3来刻蚀石英基片,调节二者的流量配比,混合后通入离子源。在Ar和CHF3的流量比为1∶2,总压强为2×10-2Pa,离子束流能量为450 eV,束流为80 mA,加速电压220 V~240 V,离子束入射角15°并旋转样品台的情况下,刻蚀20 min后,得到光栅剖面倾角陡直度为80°~90°。同时发现,添加CHF3后,提高了SiO2的刻蚀速率和刻蚀SiO2与光刻胶的选择比,最高可达7∶1。