柔性纤维结构超级电容器研究进展

为了提高电源器件与人体高曲率表面的适配性，电源器件突破平板结构的限制，衍生出了柔性纤维结构。柔性纤维超级电容器具有高功率密度、超长循环寿命和柔性舒适等特点有望成为最具前景的柔性可穿戴电源之一。因此，本文主要介绍了碳材料、过渡金属氧化物以及复合材料三种功能材料对柔性纤维超级电容器结构和性能的影响。每种材料凭借自身独特的性质在柔性纤维超级电容器器件中发挥着重要作用，并助力可穿戴电源器件的发展。     

喀斯特地貌高速公路隧道塌方及涌水处治技术

云南昭泸高速地处云贵高原，桥隧比达76%，隧道掘进时围岩环境存在富水破碎、节理裂隙发育和溶腔溶洞等典型喀斯特地貌特征，以大河隧道开挖过程中遇见的局部塌方和溶腔涌水两个典型事故为例，根据现场超前地质预报、围岩变形量测、塌方量估算和水流量监测等数据，分别采取变更支护参数、超前预注浆、改变注浆浆液配比等措施，帮助大河隧道顺利贯通，为类似工程提供参考和借鉴。     

基于CiteSpace的智慧教室应用状况分析

阐述利用Cite Space软件对国内智慧教室应用相关研究的文献从发文量、发文机构、研究作者、研究热点进行统计分析,并绘制相应的知识图谱,分析在智慧教室研究的热点及发展前景。     

计算机技术应用的现状与展望

阐述计算机技术应用的现状和展望，包括计算机系统的智能化、网络化、大众化、微型化、光子计算机的发展趋势，探讨计算机和互联网监控系统的应用。     

智能化电子信息技术发展及应用分析

文章首先对智能化电子信息技术进行了深入的研究,而后分析了该技术在应用过程中出现的问题,最后结合该技术的相关特点给出了相应的问题解决措施,希望能够对智能化电子信息技术的发展提供帮助。     

润滑油中磨损颗粒在线监测传感器研究进展*

油液监测是判断设备健康状况和提供设备故障隐患预警的有效方法。综述了用于监测润滑油中磨损颗粒的最新各类在线传感器的基本原理,包括批量磁吸附式传感器、微流体电容传感器、金属扫描传感器、双层平面线圈传感器、超声波传感器和光学传感器等,并讨论各种传感方法的优缺点以及未来发展面临的挑战;指出了高通量、高灵敏度、能区别金属与非金属磨粒、可采集磨粒图像信息的集成式传感器是未来研究的重点,集成式、智能化、无线传输的传感器是未来研发方向。     

VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

大藤峡水利枢纽工程业财一体化集成建设探析

大藤峡水利枢纽工程建设规模大，投资额度大，施工周期长，建设资金来源多元化，相关利益群体多。随着工程建设全面铺开，原有的业财流程机制已逐步制约财务管理向清晰化、体系化方向发展，为解决财务管理中存在的业财流程孤立、工程核算粗犷、双账并行难度大、中央基本建设项目竣工财务决算要求高等问题，在智慧大藤峡框架下，通过业财一体化集成建设，重建核算账套，打通与项目管理系统数据流，拓展多系统全模块集成联通，将竣工财务决算的工作要求前置到工程建设过程中，逐步建立智慧财务管理体系。     

An Improved Parasitic Parameter Extraction Method for InP HEMT

An improved parasitic parameter extraction method for InP high electron mobil-ity transistor(HEMT)is presented.Parasitic parameter extraction is the first step of model parameter extraction and its accuracy has a great impact on the subsequent internal pa-rameter extraction.It is necessary to accurately determine and effectively eliminate the parasitic effect,so as to avoid the error propagation to the internal circuit parameters.In this paper,in order to obtain higher accuracy of parasitic parameters,parasitic parameters are extracted based on traditional analytical method and optimization algorithm to obtain the best parasitic parameters.The validity of the proposed parasitic parameter extraction method is verified with excellent agreement between the measured and modeled S-param-eters up to 40 GHz for InP HEMT.In 0.1-40 GHz InP HEMT,the average relative error of the optimization algorithm is about 9%higher than that of the analysis method,which verifies the validity of the parasitic parameter extraction method.The extraction of parasit-ic parameters not only provides a foundation for the high-precision extraction of small sig-nal intrinsic parameters of HEMT devices,but also lays a foundation for the high-preci-sion extraction of equivalent circuit model parameters of large signal and noise signals of HEMT devices.