全文获取类型
收费全文 | 281篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 23篇 |
专业分类
电工技术 | 55篇 |
综合类 | 18篇 |
化学工业 | 15篇 |
金属工艺 | 28篇 |
机械仪表 | 15篇 |
建筑科学 | 19篇 |
矿业工程 | 8篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 40篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 4篇 |
武器工业 | 2篇 |
无线电 | 35篇 |
一般工业技术 | 9篇 |
冶金工业 | 10篇 |
原子能技术 | 5篇 |
自动化技术 | 48篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 11篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 12篇 |
2013年 | 13篇 |
2012年 | 29篇 |
2011年 | 21篇 |
2010年 | 19篇 |
2009年 | 14篇 |
2008年 | 16篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 12篇 |
2003年 | 6篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 16篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 1篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有315条查询结果,搜索用时 0 毫秒
41.
基于视觉标志物的增强现实技术和视觉惯性里程计(VIO)技术有着良好的互补性。本文针对当前基于视觉标志物的增强现实系统依赖标志物以及VIO的缺乏地理位置信息、累计误差等问题,提出一种泛用的位姿融合方法,该方法可以将任意的2种不同坐标系下的相同轨迹位姿输出转换到同一坐标系下。针对本文的问题,实现基于视觉标志物的增强现实与视觉惯导模块的位姿融合,并利用视觉标志物自身带有地理信息的特点,为整个系统提供真实的地理信息坐标,使得定位系统能够与地理信息系统相结合。以实时通讯的方式采集华为P10手机输出的图像与IMU信息作为数据源,在Ubuntu16.04和Unity游戏引擎上进行实验。结果表明,本文方法能够有效地完成准确的位姿融合。 相似文献
42.
可编程宽带运算放大器的设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
以89C52单片机系统为控制核心,利用低噪声、高速、高频宽带集成运算放大器OPA660和CPLD控制系统,设计制作了一种可编程的低漂移、低输入阻抗、高共模抑制比的精密宽带放大器.测试结果表明,该设计可提高差动输入阻抗和共模抑制比以及系统的带负载能力. 相似文献
43.
44.
1 引言 我们厂变压器的绕组制造高度是以单个绕组在变压法干燥罐内干燥后加压测定的,但由于器身经气相干燥及浸油静放后,绕组绝缘件的再次收缩,使绕组高度又降低了,同时由于高中低压绕组的绝缘件总高度不同,造成绕组整体收缩尺寸不同,导致了绕组间高度差加大,因此,在工艺上如何保证大型变压器绕组轴向尺寸的稳定,及同相各个绕组轴向受力均匀,确保产品具有较高的轴向抗短路能力,已成为大型变压器绕组制造迫切需要解决的问题.我们经过一年来的试验研究,发现了影响绕组轴向尺寸稳定性的主要原因,并提出了当前的解决办法和今后的工艺设想. 相似文献
45.
介绍了数据流分析的基本概念,分析了常见的用于软件测试的几种数据流分析测试方法的不足之处,提出了一种面向CHILL的数据流模型和基于该模型的数据流测试方法,并实现了一个基于该方法的实验系统。 相似文献
46.
王国伟 《电力电容器与无功补偿》1999,(1)
本文叙述了用HP5880A气相色谱仪及涂OV-101(二甲基硅氧烷)固定液的填充色谱柱,很好地分离分析了IPB、PXE、AB、M/DBT多种电力电容器用合成绝缘油的组成份及其同分异构体的含量。达到了协助研制和开发新浸渍剂,把好进厂液体介质材料质量关,以及调研的三重目的。 相似文献
47.
采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?。77 K下,SiO_2钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10~5Ω?cm~2,暗电流密度为5.27×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为6.83×10~6Ω?cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10~6Ω?cm~2,暗电流密度为4.12×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为4.49×10~7Ω?cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。 相似文献
48.
49.
对卤系、磷系、膨胀型阻燃剂的类型、阻燃机理及应用进行了较全面的总结,指出了阻燃处理在皮革加工的重要作用,讨论了影响皮革阻燃性能的因素,并对阻燃剂在皮革领域的应用进行了展望。 相似文献
50.