叶片数对泵作液力透平的性能影响

叶片数是泵作液力透平时的主要几何参数之一,为了明确叶片数对泵作液力透平时的性能影响,基于N-S方程和标准k-ε湍流模型,采用SIMPLE算法,应用FLUENT流场模拟软件对不同叶片数下的泵用作液力透平时进行了数值计算,得到了不同叶片数下液力透平的外特性曲线并分析内部流动规律。结果表明:对于低比转速离心泵作液力透平,随着叶片数的增加,流量从最高效率点向小流量偏移时效率下降的梯度增大,而从最高效率点向大流量偏移时效率呈现先增大后减小的变化趋势,另外液力透平的最高效率点随叶片数增加向小流量偏移;压头随叶片数的变化在小流量变化相对较小,而在大流量工况时,随着叶片数的增加呈现逐渐增大的趋势。内流场分析表明,随着叶片数的逐渐增加,透平叶轮中漩涡区域逐渐减小,叶轮内部的流动有很大的改善。但结合外特性分析发现,叶片数过多的增加反而不利于透平性能的提升,因此,对于具体参数组合的液力透平,存在着最佳叶片数使得泵作液力透平的性能达到最优。     

等温温度对低硅含铝热轧TRIP钢组织性能的影响

以低Si含Al热轧TRIP钢为研究对象,采用扫描电子显微镜、拉伸试验、X射线衍射仪和电子探针等试验方法,研究了不同等温温度对试验钢组织性能的影响。结果表明,试验钢的显微组织主要由多边形铁素体、贝氏体铁素体和残余奥氏体组成,随着等温温度的升高,残余奥氏体分解为新生成铁素体和碳化物;当等温温度为450 ℃时,试验钢的力学性能最佳,其抗拉强度为732.25 MPa,断后伸长率为36%,强塑积为26.36 GPa·%;残余奥氏体的体积分数先升高后降低,而C含量逐渐降低,等温温度为450 ℃时试验钢表现出较强的加工硬化行为。     

几种恒虚警处理方法及性能比较

分析了现有的五种恒虚警（CFAR）处理方法的优缺点,通过仿真及对平均判决阈值（ADT）的计算,比较了五种恒虚警方法在均匀背景及强干扰目标情况下的检测性能,最后给出了两种改进的CFAR处理方法。     

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．     

用异步通信服务器集中监控远程卫星通信设备

异步串行数据口是绝大多数通信设备都具有的通信接口,虽然它在多数场合中已退出数据通信的第一线,但仍在设备的配置和管理中扮演着重要角色,这就是常说的console口。在中国民航空管的卫星通信网络中,一个现实问题是,维护人员通常同时管理大量不同类型的卫星通信设备,而这些设备所处的     

氮化镓缓冲层的物理性质

用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ＧａＮ）缓冲层,以及在缓冲层上继续生长了ＧａＮ外延层．研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对ＧａＮ外延层的影响．提出了一个模型以解释用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果     

氮化镓缓冲层生长过程分析

研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响．提出了生长过程的微观模型,解释了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ缓冲层过程中观察到的现象．     

SDH网络分析仪指针调整测试模块的设计与实现

提出了一种SDH网络分析仪指针调整测试模块的设计方案,该方案严格按照ITU-T G.707和ITU-T G.783的建议对AU4/AU3与TU2/TU12/TU11指针进行调整。通过编写RTL代码与仿真,利用FPGA器件实现并与SDH测试仪、通信设备对接验证,已广泛应用于SDH仪表和设备产品的研发。     

现场总线技术在水处理系统及空调制冷系统中的应用

本文主要介绍通过现场总线技术,实现在工业企业、民用智能建筑及智能化住宅设计供水处理系统、废水处理系统、生活污水处理系统、应急消防供应以及空调制冷系统等所有电动机、各类阀门及其执行机构、测试仪表等的控制、检测、状态显示、管理等实现全网络化的一种全新计算机化控制,介绍了在实际工程中的应用、分析了总线技术的优点,探讨了实现的途径,供同仁借鉴。     

SNCR脱硝技术在大型煤粉炉中应用探讨

选择性非催化反应SNCR脱流装置简单经济,操作方便,是一种经济实用的NOx还原技术。介绍了SNCR还原NOx的原理和系统结构。详细讨论了炉内温度、停留时间、还原剂种类等影响SNCR还原NOx化学反应效率的重要因素。为降低还原剂的泄漏,重点指出了几个需要重点考虑的工艺参数。