Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜，并制作梳状电极的α粒子探测器．通过优化薄膜生长条件，发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时，金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜，X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的I-V测试结果表明暗电流在1e－8～1e－7A之间，α粒子（241Am 5.5MeV）辐照下电流为1e－5～1e－4A．     

(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能

采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源，氢气为载气，在适当的衬底温度下，合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜．SEM，XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜，厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近．研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容频率特性．结果表明，退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应；高频下，电容和介电损耗都很小且趋于稳定，不随频率的变化而变化．     

碲镉汞物理与化学钝化界面的AES研究

采用化学和物理方法分别在Hg1-xCdxTe (MCT)表面制备了阳极氟化膜、CdTe、ZnS和类金刚石薄膜(DLC)钝化层.采用俄歇光谱(AES)和红外透射光谱(IR)研究了这些钝化层与MCT之间的界面特性.结果表明与阳极氟化膜和CdTe膜相比,ZnS和DLC膜能较好地抑制MCT组元的外扩散.ZnS层中的Zn和S 易于向MCT内部扩散,而且发现在ZnS层中有O的存在,这可能是由于ZnS易与空气中水份发生作用所致.而DLC中C向MCT内表面扩散较少.MCT表面沉积DLC薄膜后红外透过率较ZnS有明显的提高.     

Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度和法拉第效应研究

采用垂直Bridgroan法制备出了x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体(Cd0.8Mn0.2 Te).利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计测量了Cd0.8Mn0.2Te晶体的磁化强度(M)与磁场强度(H)和温度(T)的关系,磁场强度范围为-159...     

MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。     

In掺杂CdMnTe晶体的Te气氛退火研究

Thermal annealing in Te vapor atmosphere was adopted to improve the properties of indium-doped Cd_1-xMn_xTe（x=0.2,CdMnTe） wafers grown by the vertical Bridgman method.The wafers before and after annealing were characterized by measuring the Te inclusions,etch pit density（EPD）,Mn composition,resistivity, and impurity.IR transmission microscopy and EPD measurements revealed that the densities of Te inclusions reduced from（5-9）×10⁴ cm^-3 to（2-4）×10⁴ cm^-3 and EPD from 10⁵ cm^-2 to 10⁴ cm^-2 after annealing. NIR transmission spectroscopy showed that the Mn composition increased by 0.002-0.005 mole fractions during the annealing.The resistivity of the wafers improved from（2.0-4.5）×10⁸Ω·cm to（1.7-3.8）×10⁹Ω·cm,which suggested that the deep-level donor of Te antisites was successfully introduced after annealing.Inductively coupled plasma-mass spectrometry（ICP-MS） revealed that the concentrations of impurities in the wafer decreased,which indicated the purifying effects of Te vapor annealing on the wafers.All the results demonstrate that the Te vapor annealing of the indium-doped CdMnTe crystal has positive effects on the crystallinity,resistivity and purity of CdMnTe wafers.     

超声物理气相沉积法制备（00l）取向HgI2膜的研究

超声波作用下,采用热壁物理气相沉积法在相对较低温度下(<90℃)成功制备了(00l)取向多晶碘化汞膜,分析了超声工艺对(00l)取向多晶碘化汞膜质量的影响.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)对(00l)取向多晶碘化汞膜进行了表征.结果表明,超声波作用下,相对较低的生长温度能够获得高质量(00l)取向多晶碘化汞膜,同时超声波工艺不仅能够明显改善多晶碘化汞厚膜的质量而且能提高生长速率.     

碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究

研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺.采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响.结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm.和75r/min,...     

水合物法开发高寒地区湖盐设想相平衡验证

为了从相平衡条件角度验证气体水合物法开发我国高寒地区湖盐的设想,以van der Waals-Platteeuw模型为基础,结合杜亚和等提出的计算Langmuir常数的三参数方程和计算电解质溶液中水的活度的Pitzer方程,在国际上首次模拟了饱和NaCl溶液中一氟二氯乙烷(R141b)水合物的相平衡条件,并进行了实验验证。研究结果表明:10.1 kPa时饱和NaCl溶液中R141b水合物的生成温度为259.77 K,高于常压下饱和NaCl溶液凝固点250.81 K,也高于青海地区最冷月平均环境温度。因此,利用环境冷量实现气体水合物法节能开发我国高寒地区湖盐具备理论可能性。