浅谈“价格战”下工程质量检测监管存在的问题及对策

论文就“价格战”产生的背景,及其在工程质量检测领域引起的危害进行了分析,指出了当前检测机构监管部门的难点、痛点和堵点,并提出了对应的监管措施。     

静压套管控制灌浆在渗漏围堰处理中的应用

静压套管控制灌浆法,就是从钻孔工艺出发,针对土石围堰结构的特点,采用跟管钻进,有效地解决了松散岩层和填筑地基中钻孔施工的护壁问题,不易发生塌孔埋钻等事故,提高钻孔成孔效率。另外,由于开孔孔径比一般的地质钻孔大,在灌浆时,增大浆液接触孔壁的面积,有利于浆液的扩散,提高灌浆效果。从灌浆控制性理论出发,结合套管定位,调整灌浆压力和浆液配比,控制灌浆浆液的扩散半径,使得灌浆部位和效果得到有效的控制。介绍了静压套管控制灌浆法在贵州董箐水电站围堰防渗堵漏中的应用。     

总剂量辐射效应中的辐射源及剂量测量

介绍了电子元器件与电路总剂量辐射效应中可能遇到的各种辐射源及吸收剂量测量问题。辐射环境包括空间辐射环境、核爆炸辐射环境及总剂量徊固实验中用到的模拟辐射源,给出了一些基本的参数,为进行不同辐射源总剂量效应异同性研究及用地面模拟试验结果预估器件的工作寿命尊定基础,探讨了总剂量效应测试小的剂量学问题及各种辐射环境的剂量测量方法,尤其对热释光剂量仪进行了深入的研究。     

MOS器件的质子总剂量效应

介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验,质子束的能量为9、7、5、2MeV.实验结果表明,在相同的吸收剂量下,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比.还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响,结果认为,对于NMOSFET,不论是加固器件,还是非加固器件,在+5V的栅压偏置下,器件的辐射损伤比0V栅压下的损伤严重,对于加固器件,辐射感生界面态的密度也较高;而加固型PMOSFET,在0V的栅压下,辐射损伤比-5V下严重,且界面态的密度高.     

亲和层析快速提取白果和大豆的抗氧化蛋白

用环氧氯丙烷活化法把血红素结合于惰性分子筛填料SephadexG-25上作为配基做成亲和层析柱,用于从白果或大豆中提取具有抗氧化活性的蛋白。此层析柱以去离子水为平衡液、0.2mol/L的NaAc-HAc缓冲液(pH3.6)为洗脱液,层析得到的蛋白经亚油酸-硫氰酸钾抗氧化活性测定证明具有较高的抗氧化活性。白果全蛋白的抗氧化活性为7.92%,经此方法提纯后得到2种抗氧化多肽,活性达到17.45%;而大豆中的抗氧化蛋白经纯化则得到多种,抗氧化活性由全蛋白时的10.52%提高至30.72%。这是一个新的、只需一个步骤即可从白果或大豆蛋白提取液中提取到具有高抗氧化活性蛋白的方法,具有成本低,快速高效的特点。     

EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。     

中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。     

热释光剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究

本文利用 60 Co试验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片（TLD）对γ射线的线性响应上限及其重复性。结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200 Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降,退火后再次使用灵敏度增加。试验结果还表明,即使接受到的吸收剂量在非线性区域,1组剂量片的响应一致性仍可在后续多次使用中保持。据此,本文提出采用成批使用的方法测量非线性区域的吸收剂量,这可提高大吸收剂量测量的准确性。     

双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究

介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射率，宽度分别为：～２ｎｓ、２０ｎｓ，～６０ｎｓ，１００ｎｓ，剂量率为１０＾５～１０＾６ｙ／ｓ），对三种晶体管进行了辐照，对其等效关系进行了分析，得到了二次光电流与总剂量基本成绩性关系的结论。