纳米抗菌织物的杀菌机理及制备方法

介绍了人们对服装除味杀菌的要求及除味杀菌机理,阐述了利用纳米材料制备抗菌织物的后整理法和合成抗菌纤维法,列举了纳米抗菌棉针织物对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的抑菌效果,指出了提高后整理方法的永久性,开发新型的具有永久抗菌效果的抗菌纤维是今后研究的方向.     

微乳液合成喷水织机浆料转化率的分析

用2％的丙烯酸（AA），3％的甲墓丙烯酸（MAA），15％的甲基丙烯酸甲酯（MMA），30％的丙烯酸丁酯（BA），加入1．0％的乳化剂和0.5％的引发剂，通过乳液聚合方法制取喷水织机浆料。研究了聚合配方和工艺条件对浆料转化率的影响。     

逆相变退火处理Fe-Mn-C中锰钢的组织与性能

 为了研究奥氏体逆相变(austenite reverse transformation,ART)退火处理对Fe-Mn-C中锰钢的组织与性能的影响,以ART退火处理1、10和360 min后Fe-5Mn-0.2C中锰钢为基础,利用XRD、SEM等手段对其显微组织进行表征,通过WE-300型拉伸试验机和ML-10型销盘式磨料磨损试验机对其拉伸性能和耐磨性进行测试。结果表明,ART退火过程中,残余奥氏体在原奥氏体板条之间形核并长大,原始马氏体组织逐渐转变为铁素体-奥氏体板条交替分布的复合组织。随着ART退火时间的延长,残余奥氏体体积分数增加(由18.4%提高到 33.6%),Fe-5Mn-0.2C钢的综合力学性能和耐磨性随着残余奥氏体体积分数的增加而显著提高,强塑积由25 613提高到44 496 MPa·%,其耐磨性与目前广泛应用的ZGMn13耐磨钢、Hardox450耐磨钢和中碳马氏体耐磨钢相当。     

氢能产业发展现状及展望

氢能是具有战略意义的清洁能源,氢能的高质量发展是优化能源结构、保证国家能源安全的重要支撑,对实现碳达峰、碳中和目标具有重要意义.氢能产业随着国家政策的不断推动,取得了迅速地发展,产业技术自主化率不断提高,配套体系加快建设,应用领域不断扩展,产业格局不断优化.本文从氢能的意义、产业链、政策、趋势等角度进行分析,为氢能产业...     

基于学习的多Agent多议题协商优化研究

以买方Agent的观点,对从交易平台上获得的卖方Agent的历史协商信息进行分析,并根据其特点做初步过滤。在此基础上,针对现有协商模型中存在的问题,提出了一个Agent协商对手选择算法和相应的交互机制,并验证了其可行性。该算法可用于Agent协商开始前协商对手的选择和初始信念的更新,对Agent在协商中策略的选择和执行具有指导作用,能有效提高Agent在协商中的效用及效率。     

混凝沉淀-芬顿氧化-MBR工艺在精制棉加工废水处理中的应用

湖北某污水处理厂原设计采用AAO-MBR工艺处理园区范围内工业企业产生的废水及生活污水，因进水中含较高比例的精制棉加工废水，进水COD浓度变化范围大且可生化性极差，采用混凝沉淀-芬顿氧化工艺单独对精制棉加工废水进行处理，处理后与城市生活污水混合进入AAO-MBR工艺深度处理。出水执行《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB 18918-2002)一级A标准。该工艺效率高，耐冲击性好，处理方式灵活且无需外加碳源，投运一年多，出水COD、TN、NH₃-N、和TP浓度分别稳定在10～30、4～11、0.05～0.4、0.05～0.2 mg/L。     

孪生诱发塑性钢力学性能的研究进展

随着“碳达峰”、“碳中和”的目标提出，汽车、航空、航天、高铁等诸多工业领域对钢铁结构件的安全和可靠性要求越发严苛。因此，钢铁结构材料需要满足高强度、高塑性以及更优异的综合力学性能，例如耐疲劳、耐冲击以及加工硬化能力等方面来进行更深入的研究。进入21世纪，孪生诱发塑性钢，即TWIP钢的研究逐渐展开。该材料具有单相奥氏体结构，其在变形过程中会形成大量的形变孪晶，对晶粒进行分割，表现出动态的Hall-Petch效应，可极大提高金属材料的加工硬化能力，并具有较高的均匀伸长率和抗拉强度，因而具有潜在的工业应用价值。根据TWIP钢的力学性能特点，系统地介绍了TWIP钢的加工硬化率、应变速率敏感性、变形温度敏感性、疲劳裂纹扩展以及抗冲击性能的研究进展，以期为高强钢开发提供新的思路和理论支持。     

微/纳米多孔低介电聚酰亚胺薄膜的研究进展

聚酰亚胺(PI)作为高性能聚合物，已成为5G通信的重要原材料之一。传统PI薄膜的介电常数处于3.0～3.4之间，随着电路集成度越来越高，已无法满足高速发展的微电子工业的要求，因此，开发综合性能优异的低介电PI薄膜已成为研究热点。向PI薄膜中引入微/纳米级的分散孔隙，可以有效降低介电常数，同时保留薄膜优异的综合性能。文中从物理和化学制备方法入手，综述了近年来国内外微/纳米多孔低介电PI薄膜(M/N-PLD-PI)的制备工艺，阐明了引入微/纳米级的分散孔隙对降低PI薄膜介电常数的贡献，并对多孔低介电PI薄膜的发展进行了展望。