光DQPSK调制在不同色散补偿系统中的性能

分析了光非归零-差分正交相移键控(NRZ-DQPSK)、33%归零-差分正交相移键控(33%RZ-DQPSK)和载波抑制归零-差分正交相移键控(CSRZ-DQPSK)三种调制格式的频域特性。并数字仿真了40Gbit/s的单信道光纤系统中三种调制格式在对色散(CD)进行后补偿、预补偿和对称补偿等三种补偿方式及考虑偏振模色散(PMD)和非线性效应情况下的传输性能。仿真结果表明,33%RZ-DQPSK对自相位调制(SPM)有最好的容忍度,但缓解PMD和CD的能力较弱;CSRZ-DQPSK在色散后补偿方式中对PMD和非线性效应具有最好的抑制能力。     

8×40Gbit/sWDM系统中CSRZ-DQPSK性能数值分析

通过求解耦合非线性薛定谔方程,数值分析了8×40 Gbit/s波分复用(WDM)系统中色散、偏振模色散(PMD)、非线性效应和信道间距对载波抑制归零-差分正交相移键控(CSRZ-DQPSK)调制格式的影响.结果表明不同信道间传输特性相似,而在高速、窄信道间距的WDM系统中偏振模色散(PMD)和非线性效应的影响会进一步加剧.当入纤功率从8 dBm增大到11 dBm时,CSRZ-DQPSK调制格式Q值从7.8dB线性降低到2.8dB,而当信道间距低于100 GHz后系统性能急速变差.     

两种实现方式的改进型光双二进制性能分析

文章仿真研究了两种改进型光双二进制调制格式。首先对比分析了产生两种改进型光双二进制调制格式的发射机结构及两种调制格式的码型和频谱特性,随后进行了系统的传输性能仿真。仿真结果表明：当残留色散较大时,改进Ⅱ型光双二进制调制格式性能较为优异;而在-13.2～2.8dBm入纤光功率范围内,与改进Ⅱ型光双二进制和NRZ（非归零）码调制格式相比,改进Ⅰ型光双二进制的Q值最高,抗非线性效应能力最强。     

CDMA系统中改进的功率控制算法研究

提出了一种CDMA系统中改进的自适应功率控制算法．新算法基于信噪比测量，采用卡尔曼滤波器估计信道衰落，采用记忆单元记录功率控制调整指令历史，并综合利用两方面的信息来决定下一次的功率调整步长。该算法在一定程度上可以有效克服信道中深度衰落和快衰落带来的影响，并改善CDMA系统的性能．     

基于单MZM和FBG的10倍频抑制载波RoF系统

为优化光载无线通信系统(RoF)结构,提出了一种基于单马赫曾德尔外调制器(MZM)和光纤布拉格光栅(FBG)的10倍频抑制载波RoF系统实现方案。通过设置射频驱动信号幅度和MZM偏置电压抑制主载波和偶数阶边带,结合FBG滤波功能,最终实现10倍频RoF毫米波信号。理论推导了10倍频毫米波信号实现机理,优化了FBG带宽及反射率,实验结果表明该新型RoF系统传输20 km后功率代价为1.66 dB。     

基于级联马赫曾德尔调制器的16倍频RoF系统

为降低光载无线(RoF)通信系统复杂度并提高倍频 系数,提出了一种基于偏振复用技术和级联马赫曾德尔调制器(MZM)的16倍频光载毫米波方 案。推导了方案的毫米波产生机理,讨论了MZM消光比、射频驱动信号相移、偏振控制器方 位角和线偏振器角度对光边带抑制比(OSSR)和射频杂散抑制比(RFSSR)的影响,在此基础上 研究了基于本方案的RoF系统传输性能。结果表明通过合理控制参数偏移量,在保持较宽的 偏移量最佳区间同时可以产生高性能的光载毫米波信号,其对应的最优OSSR和RFSSR分别为 30 dB和22.6 dB。当误码率(RBE)为10－9时,传输40 km 和背靠背传输相比功率代价为2.4 dB,相应的功率预算可达 50 dB。该方案结构简单且性能高效,在整个系统中并未使用光滤波器等波长 相关器件,可与现有WDM无源光网络兼容,同时该方案也为RoF系统设计提供了参考依据。     

大学“去行政化”研究:进展与趋势

近年来大学"去行政化"研究出现了爆炸性的增长。大学"去行政化"研究既有重要的理论价值,也有其较好的实践价值。学者们主要从制度、组织和文化的角度对大学"去行政化"进行了研究,涉及的主题主要有大学"去行政化"的内涵、大学行政化的表现与危害、大学行政化的形成原因、大学"去行政化"的策略。下一步研究的可能方向是:进一步厘清大学"去行政化"的内涵,研究主题更加集中和深化,研究方法更加多样化。     

一种载边比可调单边带全双工光载无线系统

理论分析了一种基于双平行马赫曾德尔调制器(MZM)的2倍频光单边带调制方案,仿真研究了基于该方案的载波重用全双工光载无线(RoF)通信系统性能.合理设置射频驱动信号相移及双平行MZM主调制器偏置电压产生单边带信号,再调整调制指数以实现光载边比ROCS的连续可调谐.讨论了射频信号相移、主调制器偏置电压、双平行MZM消光比...     

N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）北大核心CSCD

由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线衍射仪(HR-XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等对材料进行了表征。结果表明,N极性面GaN/AlGaN异质结材料的二维电子气面密度和迁移率分别为0.92×1013cm^(-2)和1035cm^2/(V·s)。制备了N极性GaN/AlGaN异质结场效应晶体管(HFET)。测试结果表明,1μm栅长的n极性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨导为88.9mS/mm,峰值电流为128mA/mm。     

基于偏振复用技术的载边比可调光单边带RoF系统

为提高单边带光载无线通信(RoF)系统倍频及载 边比(OCSR)调谐能力,利用马赫-曾德 尔调制器(MZM)和光纤布拉格光栅(FBG),提出了一种基于偏振复用技术的载边比可调光单边 带调制方案,通过调整偏振控制器(PC)偏振角度即可实现大动态范围的载边比调谐。理论分 析了方案的基本原理,讨论了相关参数对载边比调谐特性的影响,理论研究与实验结果较为 一致。结果表明在误码率(BER)为10－9时,当载边比从4.35 dB调谐到0dB并经50 km光纤传输后接收机灵敏 度可提高1.31 dB。