单晶硅太阳电池铝背场的快速热处理制备

分别采用常规和快速热处理在800℃制备了单晶硅太阳电池的铝背场,并利用扩展电阻、X射线衍射和扫描电镜研究了铝背场的载流子浓度分布、铝硅相的组成和表面形貌.载流子浓度分布显示,快速热处理40s就能在硅片表面形成约7μm的背场,达到常规热处理20min的效果.X射线衍射分析和扫描电镜观察发现,快速热处理与常规热处理都能够在硅片背面形成Al3.21Si0.47相,但是快速热处理后形成了致密的铝硅合金,而常规热处理处理后表面依然呈颗粒分布.这些实验结果表明,快速热处理不仅促进铝在硅中的扩散从而能够在很短的时间形成铝背场,而且还能够同时促进铝硅合金化,形成良好的背电极.     

锗／硅短周期超晶格的X射线双晶衍射研究

用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗／硅短周期超晶格(SPS)样品进行了分析．所有样品的锗层厚度固定为1．5单原子层,而硅层厚度为1．4～3．8nm．对于硅层厚度小于2．4nm的样品来说,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽,而且看不到干涉引起的精细结构,这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整．对硅层较厚(＞2．9nm)的样品,摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄,而且有明显的由干涉产生的精细结构,表明此时超晶格的质量较高,界面平整．对硅层厚度为2．1～2．9nm的样品,超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰,但没有精细结构出现．这个区间与文献[1]报道的在荧光光谱发现的一个异常带出现区间完全相同．本实验的X射线双晶衍射测试与分析结果支持文献[1]提出的此异常带与局部应力场引起的外延层呈波浪状扭曲有关的结论。     

大断面回采巷道支护优化研究

通过对黄陵二号煤矿207运输顺槽支护参数优化,将207运输顺槽原顶部锚杆锚索支护在同一根钢带上的布置方式变为锚杆锚索交替支护。现场实测表明,优化支护参数后,巷道顶板下沉控制较好,取得较好的应用效果,为二号煤矿引进、开发成套快速掘进设备,发挥机械化、自动化优势奠定了基础。     

三元合金锗硅碳的器件应用研究

碳的加入改进了锗硅材料的性能 ,同时也为半导体器件的研制开发创造了条件 ,增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了 Si Ge C材料在硅基器件方面的应用 ,包括光探测器、MOS场效应晶体管、HBT等。     

掺杂Li＋对荧光粉YBO3：Eu3＋发光性能的影响

采用反应条件温和的水热法制备LI十掺杂的YBO3：Eu3＋荧光粉。通过掺入不同量的L｜＋研究其对荧光粉YBO3：Eu3＋的物相结构、微观形貌及光致发光特性的影响。用X射线衍射（XRD）,场发射扫描电镜（FEsEM）,荧光分光光度计及X射线能量色散谱仪（EDS）等手段表征材料性能。结果表明：Li＋掺杂能够提高荧光粉YBO3：Eu3＋的发光强度,最大能提高近20％。发光增强与Li＋掺杂量的多少有关,同时也可能与Li＋改变YBO3晶体场环境有一定关系。     

“微电子材料加工原理与技术”课程教学方法初探

针对“微电子材料加工原理与技术”课程多学科交融、知识更新快的特点,选取其中教学重点和难点之一的光刻技术进行教学探讨。结合课程教学的学科基础,采用系统讲授法和范例教学法相结合,以及用多媒体动画、生产实录视频演示等方法弥补课堂讲授之不足,可提高课堂教学效果和学生的学习兴趣,加深学生对多学科知识的综合理解。     

pH值和热处理对氧化亚铜薄膜结构和光学性能的影响

在三电极电化学池中,以ITO透明导电玻璃作为工作电极,在硫酸铜-乳酸钠体系中采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O薄膜,并讨论pH值和热处理对Cu2O薄膜结构和光学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)和紫外-可见光光谱仪(UV-vis)表征Cu2O薄膜物相结构、表面形貌以及光学性能。结果表明:沉积溶液的pH值和热处理均可提高Cu2O薄膜结晶性能,随着pH值的增加Cu2O薄膜的禁带宽度降低,热处理对Cu2O薄膜的禁带宽度影响不大。     

顺槽锚杆支护设计

由于锚杆设计没有统一的理论作支持，顺槽由于其断面形式和使用时间短等特性，使其支扩的方式和支扩强度很难准确把握，本文试图从二号煤矿这一特殊实例，说明顺槽变形、冒顶的原因，进而依据自然平衡提拱出顺槽锚杆的长度设计看法。     

碳布上负载的MnCo2O4纳米阵列的形貌、物相及电化学性能

以高温还原法制得的碳布(CC)为基底材料,通过一步水热法负载MnCo2O4纳米阵列,以制备无黏结剂CC/MnCo2O4复合材料.探究NH4F添加量对负载所得MnCo2O4形貌的影响,利用X射线衍射仪、场发射式扫描电子显微镜对复合材料进行结构表征,并通过电化学工作站对复合材料进行电化学性能测试.结果表明:随着NH4F量的...