音色先决!最强音乐手机大激斗

现在几乎每一部手机都有MP3播放功能,但哪个手机能播放出真正的好音乐呢?为了找出最佳音质的手机,我们特别找来四部以音乐功能挂帅的Music Phone,在音质方面作比较,看看哪台表现最好?同场也会送上耳机比拼及喇叭介绍,替你的手机选出音乐功能最佳拍档。     

丙烯压缩机浮环的损坏原因分析

通过对丙烯压缩机进口浮环与国产备件的金相及化学成份对比分析，阐述了浮环金属成份润机理，根据分析结果提出具体配料、加工措施，解决了国产浮环磨损快、易损坏转子轴的问题。     

聚合物合金相容剂的发展动向

许多聚合物彼此之间是不相容的。将这些不相容体系的聚合物共混而制成聚合物合金的基础技术之一就是开发以相容剂为中心的相容化技术。     

基于混合输入的环境交互问题研究

针对软件安全测试中静态符号执行技术难以处理环境交互的问题, 提出了一种基于混合输入的符号执行方法。首先, 定义了程序执行的一致性模型, 系统化地分析了符号执行与实际执行的逼近问题; 接着, 提出了符号执行与具体执行的转换方法及维护一致性的启发式策略; 最后, 通过区分可求解约束和复杂约束条件, 提出了具体值和符号值混合代入法化简复杂约束的路径求解算法。实验结果表明该方法在处理环境交互问题上的可行性和有效性, 扩展了静态符号执行的能力。     

矶崎新：思考在建成与未建成之间

9月17日,建川博物馆迎来了建筑大师矶崎新,他是博物馆即将新开的侵华罪行馆的建筑设计者,此番是对已经竣工的主体建筑进行验收。由如此著名的日本建筑师设计侵华罪行馆,日本国内外的舆论反应可想而知。矶崎新是一名反战分子,曾在上海留学,其父是一名汉学家。不仅深切爱好和平,而且和中国渊源颇深。但他“心平气和”地接下了这个项目,并不似外界揣测的有那么多政治关怀。矶崎新说：“它（侵华罪行馆）没有要声讨战争的本质,而是要向世界展示这段真实的历史。”建筑师的冷静,给这个作品一份接近真理的中间气质,也给一段乱世哀歌尘埃落定的机会。     

1000kV交流特高压瓷外套金属氧化物避雷器的结构分析

本文根据《1000kV交流特高压试验示范工程主设备技术条件书（第二版）》，并结合本公司的研发实际，分析了1000kV交流特高压瓷外套MOA的结构。虽然均压电容组件可使MOA的电位分布不均匀系数及荷电率降低一些，但却带来了外套管径变大、径向电场集中、性能难以检验及运行可靠性下降等诸多不安全因素，得不偿失。应用现代解析和测试手段，依靠均压环优化设计、MOR合理分布、MOR允许荷电率的明显提高。可使无均压电容结构的MOA满足技术条件书的要求。建议优先选用无均压电容结构的MOA。     

MRAM开始量产

利用巨磁阻抗效应的非易失性存储器MRAM终于正式面世,飞思卡尔公司率先推出容量为4M b的MRAM产品。从目前的产品规格及开发状况判断,MRAM的用途仍被局限在一些特定的市场上。目前正在开拓要求可进行无限次读写操作、且需要使用可在高温下工作的非易失性存储器的市场。具有这些特征的存储器只有M R A M。其中,用M R A M替代以电池备份SRAM为中心的中低速SRAM的可能性最大。其次,还可以用来替换设备内的小容量闪存和SRAM等。在这些用途上,网络设备、安全设备、存储设备、游戏机、打印机等厂商已经对此次推出的产品显示出了兴趣…     

C/W多层膜的制备及其光学特性

介绍了软X射线波段C/W多层膜的制备和光学性能检测.采用高真空直流磁控溅射方法在超光滑硅基片上制作了C/W多层膜,用X射线衍射(XRD)仪,小角测量方法测试多层膜的光学性能,采用透射电镜(TEM)观测多层膜断层样品的微观结构,并在同步辐射软X射线光束线上,测试了所制备的C/W多层膜样品的反射率,然后对测试结果进行拟合分析.结果表明,所制备的C/W多层膜样品的质量较高,界面清晰,粗糙度小,所有膜层均为无定形态,没有晶相生成,以44.2°入射在5.9 nm处有约6%的反射率.     

基于PC104总线的嵌入式以太网卡设计

针对近年来工业现场设备愈来愈多的上网需求,提出一种利用Intel嵌入式微处理器386EX设计智能以太网卡的技术方法。通过对系统硬件及软件的设计描述,说明利用此方案设计的智能以太扩展模块能够实现基于PC104总线的工业设备的快速上网需求。     

变压器油流带电数学模型的研究及其应用：第一部分：数学模型 …

由油流带电引发的变压器事故或故障引进了各国电力部门的广泛关注,许多国家纷纷开展变压器油流带电的研究,大量的油流带电的机理模型也就应运而生。本文在国外学者提出的流动作用机理和电动作用机理两种机理模型的基础上,推导出变压器油流带电的数学模型,与目前存在的几种典型的油流带电计算模型相比,本模型的特点在于它可综合反映起电的流动作用和电动作用,并可基本反映油流流速,油品电导率,外加交流电场强度和系统温度等因