GB/T 35678-2017《公共安全 人脸识别应用 图像技术要求》

正随着人脸识别技术的不断进步,以人脸识别技术为基础的各类产品已逐渐步入实用阶段,在公共安全领域出现了诸如边检人证同一性认证、人员身份网络远程验证、人脸门禁、人脸考勤、人脸采集等一系列产品。伴随着电子护照、二代身份证等电子证件的广泛应用,特别是移动互联网的发展,     

低渗透油田精细分层注水开发技术方法的探讨

采用低渗透油田精细分层注水开发技术能够极大提升对低渗透油田的开发效果,解决以往油田开采中面临的部分难题,对我国石油能源开采量的提升起到了极为重要的作用。石油开采企业必须对低渗透油田精细分层注水开发技术给予足够的重视,加大对低渗透油田精细分层注水开发技术的应用力度。     

PR-SU与GP-10替代PVA在涤棉品种上的应用

主要介绍了环保型浆料PR-SU、GP-10的产品特性，在涤棉品种上的应用实践，生产过程中存在的问题，以及环保浆料未来发展的前景。     

履行社会责任推广节能变压器

一、生产节能环保产品服务电力建设特变电工是中国重大装备制造业核心骨干企业,是中国变压器行业龙头企业,也是中国最大的变压器产品研制生产基地,下属沈阳、衡阳、新疆、天津4个变压器生产基地,变压器年产能1.7亿kVA,居世界前三位,亚洲第一位。目前在超、特高压交直流输变电,大型水电及核电等关键输变电设备研制方面已达到世界领先水平。依托国家级工程实验室,企业技术中心和博士后科研工作站,公司先后承担了我国"十·五"及"十一·五"多项重大科研攻关计划,掌握了一大批代表世界节能输变电最高技术水平的     

氟磷灰石对酸性水溶液中铀(VI)的去除研究

随着全球核能的开发利用, 铀已成为土壤、地表水和地下水的常见污染物, 从含铀废水中去除铀(VI)已成为迫切需要。本工作以氟化钙、焦磷酸钙、氢氧化钙为反应原料合成氟磷灰石, 系统研究了其对铀(VI)的去除性能并采用不同测试手段对吸附铀(VI)前后的氟磷灰石进行表征, 揭示了其相关去除机理。结果表明: 在温度为308 K, pH=3, 固液比为0.12 g/L, 平衡时间为120 min, 初始铀浓度为100 mg/L的条件下, 氟磷灰石对铀(VI)的吸附容量可达655.17 mg/g, 其吸附过程符合准二级动力学和Langmuir等温吸附模型, 且为自发和吸热过程。氟磷灰石对铀(VI)的去除机理为表面矿化, 吸附铀(VI)的氟磷灰石表面产生了新相准钙铀云母[Ca(UO₂)₂(PO₄)₂·6H₂O], 准钙铀云母在pH≥3水溶液中能保持较高稳定性。因此, 氟磷灰石可以作为一种有前景的矿化剂, 用于含铀废水的净化和固体化处理。     

变频调速技术的应用

包头第二热电厂１号炉给粉调速系统原使用直流电机调速系统,经运用国际较先进的变频调速技术改造后,系统运行稳定、性能可靠、线性好、节电效果明显,有较强的保护和自诊断功能。     

N-1安全准则在天津电网中的应用

N-1安全准则是电网运行、调度、事故预想和保护整定计算必须考虑的最基本的原则之一，只有很好地将N-1安全准则运用于电网的规划设计才能保证电网的安全稳定运行。     

气相色谱法测定2,4-二氟硝基苯及其共存杂质

运用气相色谱法检测以间二氯苯为原料工业化生产的2,4-二氟硝基苯的转化率及其共存杂质,色谱柱为DB-1(25 m×?0.25 mm, 0.25μm),载气为高纯氮气(φ≥99.999%),进样口温度为250℃,汽化室温度为250℃,检测器温度为300℃;进样方式为分流进样,分流比30∶1,进样量0.5μL;程序升温。2,4-二氟硝基苯及其6种共存杂质具有良好的线性(r>0.999),加标回收率在98.75%～100.63%,RSD<2%。通过对2,4-二氟硝基苯硝化、氟化后所得粗品及精馏纯化产品进行检测,检测结果显示,以间二氯苯为原料经硝化、氟化合成的2,4-二氟硝基苯粗品,2,4-二氟硝苯转化率最高可达94.84%,2,4-二氟硝基苯粗品经精馏纯化后,转化率在99.49%～99.61%,其他共存杂质含量明显下降,且2-氟-4-氯硝基苯均未检出。     

基于滑移网格的反应釜内部流体动力学特性研究

基于滑移网格理论,采用 VOF 模型,应用计算流体动力学法（CFD）对现实生产中尿素水解搅拌反应釜的内部流场进行数值模拟,分析不同时刻的反应釜内部流场、流速与湍动能分布等的变化特性,以及不同时刻该反应釜内部气液两相的分布状态和流动规律,并得出结论：液体流速较大的区域出现在3个桨叶区,碰撞釜体后形成轴向流和大小不同的涡流,并产生液体流动死区;最大压力出现在釜顶和釜底,而压差最大的区域则是搅拌叶附近;流场的湍动能自下而上逐渐增大。     

GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响

用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .