基于红外成像法的零值瓷绝缘子检测

以7片XP-70型绝缘子组成的绝缘子串为研究对象,研究了加压时间、零值绝缘子位置以及湿度对零值绝缘子红外成像法检测结果的影响,并对零值瓷绝缘子位于绝缘子串中不同位置时的静电场进行仿真分析。结果表明:随着加压时间的增加,瓷绝缘子串的温度逐渐升高,3 h后趋于稳定;零值瓷绝缘子位于不同位置时,绝缘子串的温度分布规律不同,但均可识别出零值瓷绝缘子;湿度对绝缘子串的温度分布影响较小。仿真结果表明,零值瓷绝缘子钢帽内部的场强远低于正常绝缘子,与红外成像试验结果一致,验证了零值绝缘子红外检测判断依据的准确性。     

电场对玻璃绝缘材料积污特性的影响

电场对绝缘子的积污特性有显著影响,为了深入分析电场强度对玻璃绝缘材料表面积污特性的影响,在恒温、恒湿、静风环境下进行了人工积污试验.研究了交、直流电场下玻璃试片表面积污量与平板玻璃试片周围空间电场强度的关系,并通过真型玻璃绝缘子的积污试验对前述试验结论进行了验证.试验结果表明:交流电场对试片上表面积污量的影响不大;直流电场会加重试片表面的积污,但存在临界场强,高于该场强时,电场对积污的促进作用逐渐减弱,正、负极性电场下该临界场强分别为2 kV/cm和1.5 kV/cm;高湿环境会削弱电场对积污特性的影响;电场对平板试片与真型绝缘子积污特性的影响类似.     

玻璃绝缘子人工污秽模拟自然污秽试验方法研究

尽管国内外进行了许多研究,绝缘子的自然污秽试验和人工污秽试验的等价性始终没有得到较好的解决,自然污秽试验比人工污闪试验得到的污闪电压略高。文中进行了玻璃绝缘子串的自然污秽试验和人工污秽试验,以污闪电压为等价指标,研究了按盐密、灰密涂污时的不同涂污方式对人工污秽试验模拟自然污秽效果的影响。并在此基础上,研究了按盐成分涂污和按表面电导率涂污2种不同涂污方法对污闪电压的影响,以寻找与自然积污绝缘子污闪电压最接近的涂污方式。试验结果表明,按盐密、灰密涂污时,直接按整体盐灰密涂污最方便,按表面电导率涂污污闪电压最接近自然污秽污闪电压,按盐成分涂污次之。最后,为了分析人工污秽试验与自然污秽试验污闪电压不同的原因,进一步探究了盐成分以及污秽分布对绝缘子污闪电压的影响。     

基于EEMD与边际谱能量的电缆局部放电定位方法

振荡波局部放电试验在电缆绝缘缺陷检测中得到了越来越多的研究和应用,但背景噪声干扰和放电脉冲匹配的问题会影响局部放电定位的准确度。为实现振荡波电压下电缆绝缘缺陷的准确定位,提出一种基于集合经验模态分解与Hilbert边际谱能量的局部放电定位方法。首先采用移动窗口阈值法提取出局部放电脉冲信号,采用集合经验模态分解算法对信号进行分解,对得到的各分量进行Hilbert变换获得其边际谱能量值;然后选择不同本征模态函数分量在原始信号边际谱能量值的占比作为特征量,计算信号相似度进行入射脉冲信号和反射脉冲信号的匹配,最终采用时域反射法进行局部放电定位;最后对35 kV电缆进行振荡波耐压试验,对检测到的局部放电信号进行定位计算。结果表明,提出的方法可以在高斯白噪声较强的情况下实现电缆绝缘缺陷定位,定位平均误差可以达到1.15%。     

多巴胺D4受体PET显像剂18F-FHTP的生物学评价

为研究多巴胺D4受体在精神分裂症、注意力缺乏多动症等疾病病因分析中的作用,开展了多巴胺D4受体PET显像剂3-(4-[18F]氟苄基)-8-羟基-1, 2, 3, 4-四氢苯并吡喃[3, 4-c]吡啶-5-酮(18F-FHTP)的体内外生物学评价.通过体外受体竞争抑制结合分析,测定了FHTP对多巴胺D2样受体的亲和性;通过辛醇实验,测定了18F-FHTP的脂水分配系数;通过大鼠体内的生物分布和阻断分布实验,测定了18F-FHTP在大鼠体内的各感兴趣区域的摄取率.实验测得FHTP对D2, D3受体的亲和常数Ki值分别大于5 800, 3 000 nmol/L;对D4.2受体的Ki值为2.9 nmol/L;测得其脂水分配系数为1.11;大鼠生物分布实验显示,18F-FHTP能通过血脑屏障进入脑,并在纹状体、下丘脑、额叶皮质、海马、小脑等已知的D4受体分布区域有较高的摄取率.体外受体结合分析、脂水分布实验、大鼠体内分布和阻断分布研究表明, 18F-FHTP可作为多巴胺D4受体显像剂用于体内显像研究.     

550kV GIS电流互感器气室外部导流排异常发热的分析

外部导流排异常发热是GIS运行中较为常见的一种问题,特别是对于负荷较大的间隔,其中环流是导致该问题发生的先决条件。本文分析了GIS外部环流产生的原理及影响因素,针对某550kV GIS电流互感器气室外部导流排异常发热的问题,分析了发热原因并提出了处理措施,为该类问题的分析提供参考和借鉴。     

直流叠加冲击电压试验回路保护电阻参数选择与外形优化

在最大900 kV直流叠加1800 kV操作或2400 kV雷电冲击电压的试验中,需要设计特殊的电阻元件保护直流电压发生器免受冲击电压的损坏.本文通过仿真计算,对直流叠加冲击电压试验回路中保护电阻的阻值进行了选取,同时基于试验时发生的外绝缘闪络,对电阻丝绕法与电极外形进行了优化,结果表明:保护电阻阻值选择500 kΩ,...     

粗大钴团在硬质合金烧结过程中的演变

钴池是降低硬质合金抗弯强度的一种缺陷,常以内表面存在一层钴膜的孔洞形式存在,压坯中的粗钴团是形成合金中钴池的主要因素。本文在90%WC+10%Co(质量分数)混合粉末中掺入粗大钴团(100~400μm),压制成形后分别在950、1 290、1 310、1 330、1 350和1 410℃烧结,保温时间为5 min。用SEM和金相显微镜研究粗钴团在各温度段的形貌,结果表明:在较低温度(≤1 310℃)烧结后,合金中钴团发生固相烧结,以蜂窝结构存在于孔洞中;继续升高温度,钴部分转变为液相并少量渗入合金组织中,冷却后留下孔,且孔表面有岛状的钴;当烧结温度≥1 410℃时,过量液相铺展在孔内表面,冷却后在合金孔内表面形成一层钴膜。     

一起110kV电缆中间接头故障分析

文章介绍了一起由红外检测发现的高压电缆中间接头故障案例。通过解体分析,确定了故障原因为电缆接头受潮导致绝缘劣化,长期运行最终产生局部放电烧蚀。最后提出了电缆安装和运维阶段的技术监督措施,为高压电缆接头在电力系统中安全、稳定运行提供保障。