排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
银基二氧化铈和银基氧化铝合金的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用粉末冶金的方法制备了含3%二氧化铈的银基合金和含3% γ型氧化铝的银基合金.用X射线衍射和金相分析等方法对其组织结构进行分析,同时对其硬度、电导率、密度和摩擦因数等进行了测试.结果表明:这两种合金的相对密度均可达98%以上,和纯银相比其电导率有较大幅度的下降,晶粒显著细化,硬度有所提高,而对银和铜的摩擦因数并没有明显的降低. 相似文献
22.
借助光学显微镜、扫描电镜和万能力学试验机研究元素铼对铱显微组织和力学性能的影响。结果表明,添加元素铼可以细化铱的晶粒,显著改善铱的显微组织。随着铼含量的增加,在固溶强化和细晶强化作用下,铱铼合金的屈服强度和抗拉强度呈现先上升后下降的趋势,当铼质量分数为7.0%时屈服强度和抗拉强度达到最大值为472.0和526.0 MPa;而在铱中添加铼以后,铱铼合金的延伸率先降后升,其中纯铱的延伸率最高为2.52%。室温下铱铼合金的断口呈脆性沿晶断裂和脆性穿晶断裂的混合断裂模式,加入元素铼后断口形貌中脆性穿晶断裂区域明显增多。 相似文献
23.
24.
25.
26.
27.
28.
系统地研究添加Si≤10%对Cu-Ag合金力学、冶金学、物理学诸方面性能的影响。结果表明,随着Si添加量增加Cu-Ag合金硬度提高,但影响程度随合金中Ag含量增加而减弱。合金的密度随着Si添加量增加呈线性降低,电阻率则呈线性升高。Ag≤50%的Cu-Ag合金,添加Si可显降低合金的液相线温度,缩小合金固-液相线温度区间,对提高钎料合金的铺展性和间隙填充性具有重要意义。 相似文献
29.
单晶铱纳米压痕下位错形核与形变研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对(100)和(110)不同面的铱单晶进行了纳米压痕实验,拟合计算得到(100)与(110)面上铱单晶位错激活体积分别为1.09×10~(-3)nm~3、1.23×10~(-3)nm~3,证明该实验条件下位错来源于点缺陷的非均质形核;如果位错为均质形核,则位错激活能需达到60.57eV,激活半径达到1.971nm。在对(100)和(110)面的塑性变形中位错密度进行分析时,发现它们变形后位错密度在10~(14)m~(-2)左右,没有出现铱单晶变形后位错密度呈指数级增加的情况;金属铱发生脆性断裂或许因为铱中极小的位错激活体积导致铱产生大量的位错源及位错间剧烈的交互作用。 相似文献
30.
对Cu Si二元系中的k相和 η相进行了X射线衍射分析。k相属于镁型六方晶系 ,晶格点阵参数为a =b=0 .2 5 6 1nm、c =0 .4184nm、α =β =90°、γ =12 0° ,k相不稳定 ,在室温下长期放置会部分地转变成γ Cu5Si;η相属于正交晶系 ,晶格点阵参数为a =0 .6 0 41nm、b=0 .6 35 6nm、c=0 .42 88nm ,Cu3Si合金分别在 46 7、5 5 8、5 70和 6 2 0℃时发生相变。 相似文献