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11.
12.
材料生态循环评估体系(LCA) 总被引:2,自引:0,他引:2
材料的生态循环评估是国际上正在兴起并迅速发展的新材料研究中的新领域。概述了这一新领域的研究进展,介绍了生态循环评估的概念,主要研究内容和研究现状,并讨论了几个相关的问题。. 相似文献
13.
14.
BNKLT无铅压电陶瓷中频滤波器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用本组发明的[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(BNKLT)系无铅压电陶瓷,研制了单片式中频陶瓷滤波器。该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍具有较强压电性。利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3 dB,中心频率约为530 kHz,带宽约为8.8 kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器。除中心频率以外,各项指标均与村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品相当,具有良好的应用前景。 相似文献
15.
(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/LaNiO3薄膜的射频磁控溅射制备和性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射技术,以LaNiO3(LNO)作为过渡层,在SiO2/Si(100)、Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上分别获得了(100)、(110)取向的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜.研究了LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)和LNO/SiO2/Si(100)基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响.实验结果表明,与在LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上沉积的(110)取向的PLT薄膜相比较,在LNO/SiO2/Si(100)基底上沉积的高度(100)取向的PLT薄膜具有更好的微结构和更高的剩余极化强度,其2Pr为40.4μC/cm2. 相似文献
16.
采用恒电流电沉积技术,在不同衬底(金属钼片、镀金的硅片、ITO导电玻璃)上,不同溶液酸碱性的条件下制备出了具有白钨矿结构的钼酸钡薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了分析表征。分析了利用电沉积方法制备的钼酸钡薄膜的成膜机制.实验结果表明:在室温环境下,利用电沉积技术,在不同材质的衬底(金属钼片、镀金的硅片和ITO导电玻璃)上,可以制备出具有白钨矿结构钼酸钡薄膜,不同材质的衬底会影响到薄膜晶粒的形状进而影响薄膜的表面形貌和致密性,用镀金的硅片(Au-Si片)作衬底时,制备的钼酸钡薄膜晶粒更加饱满,晶体生长呈四方锥形,晶界清晰。 相似文献
17.
60年代末期至70年代初期,有机电子学材料与器件的发展是以有机压电材料和有机热释电材料的开发和相应器件的实用化为标志的。到了70年代中后期,有机电子学的研究除继续开展有机压电及有机热释电材料与器件的研究外,有机导电体和半导体、有机非线性光学材料的发展特别引人注目,不仅开发了非晶结构材料,还培育出了完全伸直 相似文献
18.
采用传统陶瓷工艺制备掺MnO2的(Bi0.5Na0.5)0.9Ba0.07Sr0.03TiO3(BNBST)无铅压电陶瓷。锰掺杂(MnO2摩尔掺量x=0~1.25%)可以提高陶瓷的烧结性能,在1150℃烧结,可以得到致密陶瓷和纯的钙钛矿相。X射线衍射显示:室温、0.20x0.75时,形成四方相与三方相共存的准同型相界(morphotropic phase boundary,MPB),且x=0.25时,锰掺杂的BNBST陶瓷表现出优良的性能,其中压电常数d33=157pC/N,平面机电耦合系数kp=33%,机械品质因数Qm=364,相对介电常数εr=843,介电损耗tanδ=2%。这些结果确认了MPB组成与x之间的相互关系,并为设计新型压电材料提供方法。 相似文献
19.
20.