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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
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新型NTC热敏电阻材料—含铜Mn系铁氧体的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu~(2+)离子取代Fe~(2+)离子或Mn~(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可与传统氧化物器件相比拟的性能。 相似文献
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等值线图绘制原理和程序实现 总被引:1,自引:0,他引:1
等值线图算法理论上讨论很多并且有相当多的程序,但真正被地质人员方便掌握且较满意的尚不多见。本文较系统地讨论了等值线图生成原理、比较了各种方法的优劣,并且在决定等值线图质量好坏关键之一的等值线光滑方面提出了基于线性选代和分段低次多项式拟合的综合方法,更为重要的是将数据库系统、高级语言和AutoCAD融为一体,各取所长,克服了其它绘图方法的缺点,地质人员在查阅和检索资料后,可方便地进入绘图系统,绘制令人满意的等值线图。 相似文献